电抗元件、电抗元件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种电抗元件、电抗元件的制备方法。所述电抗元件包括：衬底；位于所述衬底一侧的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层接入零电位；位于所述金属屏蔽层远离所述衬底一侧的至少一层第一介质层；位于所述第一介质层远离所述衬底一侧的至少一个电抗结构；其中，所述金属屏蔽层在所述衬底上的正投影覆盖所述电抗结构在所述衬底上的正投影。本发明专利技术实施例能够提高电抗元件的Q值，降低衬底损耗。降低衬底损耗。降低衬底损耗。

【技术实现步骤摘要】
电抗元件、电抗元件的制备方法


[0001]本专利技术实施例涉及微电子
，尤其涉及一种电抗元件、电抗元件的制备方法。

技术介绍

[0002]电抗元件为电感或者电容，在现代电子
中有着重要的应用。并且随着集成度的提高，片上电抗元件(片上电容、片上电感)的应用也越来越广泛。
[0003]然而，对于片上电抗元件来说，在高频工作环境下，片上电抗元件的衬底中存在较大的涡流，因而衬底中会有极大的涡流损耗，也即电抗元件的Q值较低，严重限制了电抗元件的进一步应用。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种电抗元件、电抗元件的制备方法，以提高电抗元件的Q值，降低电抗元件的损耗。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种电抗元件，所述电抗元件包括：衬底；
[0006]位于所述衬底一侧的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层接入零电位；位于所述金属屏蔽层远离所述衬底一侧的至少一层第一介质层；位于所述第一介质层远离所述衬底一侧的至少一个电抗结构；其中，所述金属屏蔽层在所述衬底上的正投影覆盖所述电抗结构在所述衬底上的正投本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电抗元件，其特征在于，所述电抗元件包括：衬底；位于所述衬底一侧的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层接入零电位；位于所述金属屏蔽层远离所述衬底一侧的至少一层第一介质层；位于所述第一介质层远离所述衬底一侧的至少一个电抗结构；其中，所述金属屏蔽层在所述衬底上的正投影覆盖所述电抗结构在所述衬底上的正投影。2.根据权利要求1所述的电抗元件，其特征在于，所述电抗元件还包括位于所述衬底远离所述金属屏蔽层一侧的背面金属层；所述背面金属层与所述金属屏蔽层通过第一金属化通孔电连接。3.根据权利要求1或2所述的电抗元件，其特征在于，所述电抗元件还包括位于所述第一介质层远离所述金属屏蔽层一侧的正面金属层，所述正面金属层在所述衬底上的正投影与所述电抗结构在所述衬底上的正投影不交叠；所述正面金属层通过第二金属化通孔与所述金属屏蔽层电连接。4.根据权利要求2所述的电抗元件，其特征在于，所述电抗元件还包括位于所述第一介质层远离所述金属屏蔽层一侧的正面金属层，所述正面金属层在所述衬底上的正投影与所述电抗结构在所述衬底上的正投影不交叠；所述正面金属层通过第二金属化通孔与所述金属屏蔽层电连接；所述第二金属化通孔在所述衬底上的正投影与所述第一金属化通孔在所述衬底上的正投影交叠。5.根据权利要求1所述的电抗元件，其特征在于，所述金属屏蔽层在所述衬底上的正投影整面覆盖所述衬底。6.根据权利要求5所述的电抗元件，其特征在于，所述金属屏蔽层为块状或网格状。7.根据权利要求1所述的电抗元件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄宏达，朱若璞，
申请(专利权)人：昆山工研院第三代半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：