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本发明公开了一种电抗元件、电抗元件的制备方法。所述电抗元件包括：衬底；位于所述衬底一侧的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层接入零电位；位于所述金属屏蔽层远离所述衬底一侧的至少一层第一介质层；位于所述第一介质层远离所述衬底一侧的至少一个电抗结构；其中...
该专利属于昆山工研院第三代半导体研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山工研院第三代半导体研究院有限公司授权不得商用。

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