多栅指晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多栅指晶体管及其制备方法。所述多栅指晶体管包括半导体外延结构、栅极、与所述栅极配合的源极以及漏极；所述半导体外延结构具有有源区和至少部分环绕所述有源区的非有源区；所述栅极包括栅条以及N个栅指，所述栅条设置于所述非有源区并沿第一方向延伸，所述栅指与所述栅条电连接，并沿第二方向延伸至所述有源区；所述第一方向与所述第二方向相交；所述栅条沿所述第一方向延伸的长度大于第一预设值。本发明专利技术能够提高多栅指晶体管的最大振荡频率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种多栅指晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、多栅指晶体管在现代半导体
有着重要的应用，其在高频下拥有良好的性能。然而，随着工作频率的越来越高，如何进一步提高多栅指晶体管的最大振荡频率成了亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种多栅指晶体管及其制备方法，以提高多栅指晶体管的最大振荡频率。

2、根据本专利技术的一方面，提供了一种多栅指晶体管，所述多栅指晶体管包括半导体外延结构、栅极、与所述栅极配合的源极以及漏极；

3、所述半导体外延结构具有有源区和至少部分环绕所述有源区的非有源区；

4、所述栅极包括栅条以及n个栅指，所述栅条设置于所述非有源区并沿第一方向延伸，所述栅指与所述栅条电连接，并沿第二方向延伸至所述有源区；所述第一方向与所述第二方向相交；

5、所述栅条沿所述第一方向延伸的长度大于第一预设值。

6、可选地，所述第一预设值为原始设计多栅指晶体管中栅条沿第一方向的长度。>

7、可选地，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多栅指晶体管，其特征在于，所述多栅指晶体管包括半导体外延结构、栅极、与所述栅极配合的源极以及漏极；

2.根据权利要求1所述的多栅指晶体管，其特征在于，所述第一预设值为原始设计多栅指晶体管中栅条沿第一方向的长度。

3.根据权利要求2所述的多栅指晶体管，其特征在于，N大于第二预设值，第二预设值为原始设计多栅指晶体管中栅指的数量；所述N个栅指沿所述第二方向延伸的长度之和为第三预设值，所述第三预设值为原始设计多栅指晶体管中的所有栅指沿所述第二方向延伸的长度之和；所述栅指沿所述第二方向延伸的长度小于第四预设值，所述第四预设值为原始设计多栅指晶体管中的栅指沿所述第二方...

【技术特征摘要】

1.一种多栅指晶体管，其特征在于，所述多栅指晶体管包括半导体外延结构、栅极、与所述栅极配合的源极以及漏极；

2.根据权利要求1所述的多栅指晶体管，其特征在于，所述第一预设值为原始设计多栅指晶体管中栅条沿第一方向的长度。

3.根据权利要求2所述的多栅指晶体管，其特征在于，n大于第二预设值，第二预设值为原始设计多栅指晶体管中栅指的数量；所述n个栅指沿所述第二方向延伸的长度之和为第三预设值，所述第三预设值为原始设计多栅指晶体管中的所有栅指沿所述第二方向延伸的长度之和；所述栅指沿所述第二方向延伸的长度小于第四预设值，所述第四预设值为原始设计多栅指晶体管中的栅指沿所述第二方向延伸的长度。

4.根据权利要求3所述的多栅指晶体管，其特征在于，所述栅指沿所述第二方向延伸的长度大于或等于所述第四预设值的一半时，n小于等于所述第二预设值的2倍。

5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕奇峰，
申请(专利权)人：昆山工研院第三代半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：