微型电容制造技术

本发明专利技术公开了一种微型电容。该微型电容包括：单层金属层和氧化物；所述单层金属层包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第二极板之间具有间隔，且所述间隔内填充所述氧化物；所述第一极板包括第一电极，所述第二极板包括第二电极，所述第一电极与所述第二电极相对设置。本发明专利技术的微型电容的两个极板由单层金属层实现，极板间以氧化物填充，相较于采用两层金属层实现的电容，本发明专利技术的微型电容能实现更小的电容值，满足用户需求。满足用户需求。满足用户需求。

【技术实现步骤摘要】
微型电容


[0001]本专利技术涉及电子产品
，尤其涉及一种微型电容。

技术介绍

[0002]根据摩尔定律，集成电路上可以容纳的晶体管数目大约每经过18个月便会增加一倍，集成电路的发展也基本追随这一定律。高集成度的电路也对集成电容的电容密度、绝对容值和鲁棒性等方面提出了更高的要求。尤其微型电容，需要保证低容值的前提下尽量避免寄生电容导致的不稳定。
[0003]目前集成电路上主要使用的集成电容有三种，金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)电容、金属
‑
绝缘体
‑
金属(MIM)电容和金属
‑
氧化物
‑
金属(MOM)电容。MOS电容以MOS晶体管的栅端作为一极，源、漏、体端短接后作为另一极。MOS电容的容值随控制电压的变化而变化，容值不精确，一般不用于对电容容值有较高要求的设计。MIM电容类似于平板电容，需特殊的绝缘层做为介质，容值较准确但是制造成本高，此外，根据已定义的设计规则，最小的MIM电容被限制在飞法拉级内，无法满足对微型容值电容的需求。相比之下，MOM电容以金属间的氧化物为介质，在CMOS集成电路工艺中，金属间的氧化物是正常的介质填充，MOM电容通常使用多层金属，电容密度高，以SMIC180nm BCD工艺下的MOM电容为例，工艺厂提供的MOM电容至少使用两层金属，最小容值约为8飞法拉，也不能满足需要。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中的上述缺陷，提供一种微型电容。
[0005]本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
[0006]一种微型电容，包括：单层金属层和氧化物；
[0007]所述单层金属层包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第二极板之间具有间隔，且所述间隔内填充所述氧化物；
[0008]所述第一极板包括第一电极，所述第二极板包括第二电极，所述第一电极与所述第二电极相对设置。
[0009]可选地，所述第一极板还包括与所述第一电极连接的第一连接部，所述第一连接部用于外接导线。
[0010]可选地，所述第一电极与所述第一连接部垂直连接。
[0011]可选地，所述第二极板还包括与所述第二电极连接的第二连接部，所述第二连接部用于外接导线。
[0012]可选地，所述第二电极与所述第二连接部垂直连接。
[0013]可选地，所述第一电极与所述第二电极之间的间距与所述微型电容的电容值呈负相关；
[0014]和/或，所述第一电极与所述第二电极的正对长度与微型电容的电容值呈正相关；
[0015]和/或，单层金属层的厚度与所述微型电容的电容值呈正相关。
[0016]可选地，所述第一电极与所述第二电极之间的间距的取值范围为[0.8um，1um]；
[0017]和/或，所述第一电极与所述第二电极的正对长度的取值范围为[3um，3.2um]；
[0018]和/或，所述微型电容的电容值的取值范围为[0.2fF，0.3fF]。
[0019]可选地，所述第一极板为U型，所述第二极板为T型，所述第二电极的部分位于所述第一极板的U型开口内。
[0020]可选地，所述单层金属层还包括屏蔽环；
[0021]所述屏蔽环围设于所述第一极板和所述第二极板的周围。
[0022]在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本专利技术各较佳实例。
[0023]本专利技术的积极进步效果在于：本专利技术的微型电容的两个极板由单层金属层实现，极板间以氧化物填充，相较于采用两层金属层实现的电容，本专利技术的微型电容能实现更小的电容值，满足用户需求。
附图说明
[0024]图1为本专利技术一示例性实施例提供的一种微型电容的电路版图示意图；
[0025]图2为本专利技术一示例性实施例提供的另一种微型电容的电路版图示意图；
[0026]图3为本专利技术一示例性实施例提供的另一种微型电容的电路版图示意图。
具体实施方式
[0027]下面通过实施例的方式进一步说明本专利技术，但并不因此将本专利技术限制在所述的实施例范围之中。
[0028]本专利技术实施例提供一种微型电容，参见图1～图3，该微型电容包括：单层金属层和氧化物，单层金属层包括第一极板11和第二极板12，第一极板11与第二极板12之间具有间隔，且间隔内填充氧化物/介质(图中空白部分)。
[0029]第一极板11包括第一电极111，第二极板12包括第二电极121，第一电极111与第二电极121相对设置。
[0030]本专利技术实施例的微型电容的两个极板由单层金属层实现，极板间以氧化物填充，相较于采用两层金属层实现的电容，本专利技术实施例中利用第一极板11与第二极板12之前(单层金属间)的横向电场能实现更小的电容值，满足用户需求。并且该微型电容无需施加控制电压，电容值不会随控制电压的变化而变化，该微型电容的电容值较稳定。第一极板11与第二极板12通过对单层金属层光刻得到，单层金属层的厚度较均匀，进一步确保微型电容的电容值的稳定性。
[0031]在一个实施例中，第一极板11还包括与第一电极111连接的第一连接部112，第一电极111与第一连接部112可以是一体成型的，第一连接部112用于外接导线，以便于微型电容与芯片或集成电路中的其他元器件连接。
[0032]与第一极板11类似的，第二极板12还包括与第二电极121连接的第二连接部122，第二电极121与第二连接部122可以是一体成型的，第二连接部122用于外接导线，以便于微型电容与芯片或集成电路中的其他元器件连接。
[0033]第一电极111与第一连接部112之间可以形成一夹角，以便于外接导线，而为了便于生产制造、电路版图的排版和走线，第一电极111与第一连接部112之间的夹角设置为90
°
，也即第一电极111与第一连接部112垂直连接。
[0034]同样，第二电极121与第二连接部122之间可以形成一夹角，以便于外接导线，而为了便于生产制造，第二电极121与第二连接部122之间的夹角设置为90
°
，也即第二电极121与第二连接部122垂直连接。
[0035]第一极板11和第二极板12的形状可以根据实际情况自行设置，参见图1，第一极板11是U型的，第二极板12是T型；参见图2，第一极板11是L型的，第二极板12是T型的；参见图3，第一极板11是U型的，第二极板12是L型的；除了图1～图3示出的形状外，第一极板11与第二极板12还可以是其他形状的，例如第一极板11与第二极板12均为一字型，第一极板11与第二极板12均为T型或者均为L型。
[0036]参见图1，当第一极板11为U型，第二极板12为T型，第二电极121的部分位于第一极板11的U型开口内，经试验得出，图1示出的极板设计能避免引入极板间额外的寄生，进一步提高微型电容的电容值的稳定性。
[0037]经试本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型电容，其特征在于，包括：单层金属层和氧化物；所述单层金属层包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第二极板之间具有间隔，且所述间隔内填充所述氧化物；所述第一极板包括第一电极，所述第二极板包括第二电极，所述第一电极与所述第二电极相对设置。2.根据权利要求1所述的微型电容，其特征在于，所述第一极板还包括与所述第一电极连接的第一连接部，所述第一连接部用于外接导线。3.根据权利要求2所述的微型电容，其特征在于，所述第一电极与所述第一连接部垂直连接。4.根据权利要求1所述的微型电容，其特征在于，所述第二极板还包括与所述第二电极连接的第二连接部，所述第二连接部用于外接导线。5.根据权利要求4所述的微型电容，其特征在于，所述第二电极与所述第二连接部垂直连接。6.根据权利要求1所述的微型电容，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒芋钧，丁杰，
申请(专利权)人：高澈科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：