一种半导体处理用的成膜方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体处理用的成膜方法，包括以下步骤：S1、对半导体基板进行超声波清洗处理；S2、将半导体基板放置在腔室内，对腔室内进行预升温至60

【技术实现步骤摘要】
一种半导体处理用的成膜方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体为一种半导体处理用的成膜方法。

技术介绍

[0002]半导体是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质，其电导率容易受控制，可作为信息处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。很多电子产品，如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息，在现有的半导体制作中，需要对半导体进行表面成膜处理，但现有的成膜往往为单材质成膜，在对半导体使用时的耐久度差。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种半导体处理用的成膜方法，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的半导体制作中，需要对半导体进行表面成膜处理，但现有的成膜往往为单材质成膜，在对半导体使用时的耐久度差的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种半导体处理用的成膜方法，包括以下步骤：
[0005]S1、对半导体基板进行超声波清洗处理；
[0006]S2、将半导体基板放置在腔室内，对腔室内进行预升温至60
‑
80℃；
[0007]S3、对内部进行二次升温处理，同时通入气体将半导体基板上进行初步镀膜处理；
[0008]S4、对半导体基板不需要成膜的位置进行遮盖；
[0009]S5、加入靶材进行真空溅射并进行一次成膜处理；
[0010]S6、在半导体基板下方铺设二氧化硅并对二氧化硅加热进行二次成膜处理；
[0011]S7、对成膜后的半导体基板进行除杂处理。
[0012]作为本专利技术的一种优选方案：所述S1中的对半导体基板进行超声波清洗处理具体包括以下步骤：
[0013]S11、向超声波清洗机内倒入碱性清洗液，然后将半导体基板放入碱性清洗液内进行超声波一次清洗处理；
[0014]S12、取去离子水进行加热，加热至55
‑
65℃，然后排出碱性清洗液并向超声波清洗机内倒入加热后的去离子水，将半导体基板放入超声波清洗机内进行二次清洗处理；
[0015]S13、取出半导体基板进行热风烘干处理。
[0016]作为本专利技术的一种优选方案：所述S13中的热风烘干处理具体包括以下步骤：
[0017]S131、将半导体基板通过温度为40
‑
55℃的热风进行吹风处理；
[0018]S132、通过40
‑
55℃的热风吹风10
‑
30min后将热风的温度升至60
‑
70℃，继续吹风5
‑
15min，将半导体基板完成烘干。
[0019]作为本专利技术的一种优选方案：所述S3中的对内部进行二次升温处理，同时通入气体将半导体基板上进行初步镀膜处理具体包括以下步骤：
[0020]S31、预升温后对腔室内部通入含硼气体；
[0021]S32、在通入含硼气体的同时对腔室内继续加热至85
‑
98℃，进行保温处理；
[0022]S33、持续通入含硼气体10
‑
30min后，对半导体基板上进行初步镀膜。
[0023]作为本专利技术的一种优选方案：所述S4中的靶材为钛铝靶、钛错靶、钛硅靶和镍铬靶中的其中一种。
[0024]作为本专利技术的一种优选方案：所述S4中的对半导体基板不需要成膜的位置进行遮盖具体包括以下步骤：
[0025]S41、对半导体基板需要成膜的位置进行选定；
[0026]S42、将选定以外的区域通过覆盖板进行遮蔽处理，遮蔽不需要成膜的位置，并将覆盖板的位置进行固定处理。
[0027]作为本专利技术的一种优选方案：所述S5中的加入靶材进行真空溅射并进行一次成膜处理具体包括以下步骤：
[0028]S51、将靶材在半导体基板上进行铺设，放置真空设备内进行抽真空处理；
[0029]S52、冲入氩气，保持内部真空压力为0.5至2pa；
[0030]S53、同时对真空设备内部进行加热至50
‑
70℃，保持1
‑
3h后完成一次成膜处理。
[0031]作为本专利技术的一种优选方案：所述S6中的在半导体基板下方铺设二氧化硅并对二氧化硅加热进行二次成膜处理具体包括以下步骤：
[0032]S61、在半导体基板下方铺设二氧化硅材料，对二氧化硅进行加热，加热温度为110
‑
160℃；
[0033]S62、向内通入惰性气体的同时，加热的二氧化硅材料对半导体基板表面进行二次覆膜处理。
[0034]作为本专利技术的一种优选方案：所述S7中的对成膜后的半导体基板进行除杂处理具体包括以下步骤：
[0035]S71、将半导体基板的位置进行夹持固定，并对半导体基板进行毛刷清扫；
[0036]S72、在清扫时对半导体基板清扫的位置进行吸尘处理，将半导体基板表面进行除杂处理。
[0037]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术通过加入了一次成膜处理，实现了通过靶材进行加热，并对半导体基板的表面橡胶靶材加热成膜处理，提高了成膜处理的效率，通过加入了二次成膜处理，实现了通入惰性气体的同时，加热的二氧化硅材料对半导体基板表面进行二次覆膜处理，提高了半导体的稳定性。
具体实施方式
[0038]本专利技术提供一种技术方案：一种半导体处理用的成膜方法，包括以下步骤：
[0039]S1、对半导体基板进行超声波清洗处理，通过超声波清洗处理将成膜前的半导体基板进行全面清洗，提高了清洗的效率和成膜的效率；
[0040]S2、将半导体基板放置在腔室内，对腔室内进行预升温至60
‑
80℃，进行预加热，提高了内部镀膜时的效率；
[0041]S3、对内部进行二次升温处理，同时通入气体将半导体基板上进行初步镀膜处理；
[0042]S4、对半导体基板不需要成膜的位置进行遮盖，将选定以外的区域通过覆盖板进
行遮蔽处理，遮蔽不需要成膜的位置，并将覆盖板的位置进行固定处理，提高了成膜时的稳定性；
[0043]S5、加入靶材进行真空溅射并进行一次成膜处理；
[0044]S6、在半导体基板下方铺设二氧化硅并对二氧化硅加热进行二次成膜处理，加热的二氧化硅材料对半导体基板表面进行二次覆膜处理；
[0045]S7、对成膜后的半导体基板进行除杂处理。
[0046]其中，S1中的对半导体基板进行超声波清洗处理具体包括以下步骤：
[0047]S11、向超声波清洗机内倒入碱性清洗液，然后将半导体基板放入碱性清洗液内进行超声波一次清洗处理；
[0048]S12、取去离子水进行加热，加热至55
‑
65℃，然后排出碱性清洗液并向超声波清洗机内倒入加热后的去离子水，将半导体基板放入超声波清洗机内进行二次清洗处理，对半导体基板进行二次超声波清洗，通过碱性清洗液和去离子水进行清洗，对外部的灰尘进行完全清除，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体处理用的成膜方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、对半导体基板进行超声波清洗处理；S2、将半导体基板放置在腔室内，对腔室内进行预升温至60
‑
80℃；S3、对内部进行二次升温处理，同时通入气体将半导体基板上进行初步镀膜处理；S4、对半导体基板不需要成膜的位置进行遮盖；S5、加入靶材进行真空溅射并进行一次成膜处理；S6、在半导体基板下方铺设二氧化硅并对二氧化硅加热进行二次成膜处理；S7、对成膜后的半导体基板进行除杂处理。2.根据权利要求1所述的一种半导体处理用的成膜方法，其特征在于：所述S1中的对半导体基板进行超声波清洗处理具体包括以下步骤：S11、向超声波清洗机内倒入碱性清洗液，然后将半导体基板放入碱性清洗液内进行超声波一次清洗处理；S12、取去离子水进行加热，加热至55
‑
65℃，然后排出碱性清洗液并向超声波清洗机内倒入加热后的去离子水，将半导体基板放入超声波清洗机内进行二次清洗处理；S13、取出半导体基板进行热风烘干处理。3.根据权利要求2所述的一种半导体处理用的成膜方法，其特征在于：所述S13中的热风烘干处理具体包括以下步骤：S131、将半导体基板通过温度为40
‑
55℃的热风进行吹风处理；S132、通过40
‑
55℃的热风吹风10
‑
30min后将热风的温度升至60
‑
70℃，继续吹风5
‑
15min，将半导体基板完成烘干。4.根据权利要求3所述的一种半导体处理用的成膜方法，其特征在于：所述S3中的对内部进行二次升温处理，同时通入气体将半导体基板上进行初步镀膜处理具体包括以下步骤：S31、预升温后对腔室内部通入含硼气体；S32、在通入含硼气体的同时对腔室内继续加热至85<...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁晓升，
申请(专利权)人：南通捷晶半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：