使用多重图案化过程形成图案化结构的方法和系统技术方案

公开了形成适用于多重图案化过程的图案化结构的方法。示例性方法包括通过以下来形成覆盖衬底的层：在前体脉冲周期内向反应室提供前体，在反应物脉冲周期内向反应室提供反应物，在第一等离子体功率周期内施加具有第一频率(例如小于1MHz)的第一等离子体功率，以及可选地，在第二等离子体功率周期内施加具有第二频率的第二等离子体功率，其中第一频率不同于第二频率。第二频率。第二频率。

【技术实现步骤摘要】
使用多重图案化过程形成图案化结构的方法和系统


[0001]本公开总体涉及用于在衬底表面上形成图案化结构的方法和系统。更具体地，本公开的示例涉及可用于形成适用于多重图案化过程的图案化结构的方法和系统。

技术介绍

[0002]在电子器件的制造过程中，通过图案化衬底表面并使用例如湿法蚀刻和/或干法蚀刻过程从衬底表面去除材料，可以在衬底表面上形成特征的精细图案。光致抗蚀剂通常用于衬底表面的这种图案化。
[0003]光致抗蚀剂图案可以通过以下形成：在衬底表面上涂覆一层光致抗蚀剂，掩蔽光致抗蚀剂的表面，将光致抗蚀剂的未掩蔽部分暴露于辐射，例如紫外光或电子束，并去除光致抗蚀剂的一部分(例如未掩蔽或掩蔽部分)，同时在衬底表面上留下光致抗蚀剂的一部分(例如未掩蔽或掩蔽部分中的另一个)。一旦光致抗蚀剂被图案化，图案化的光致抗蚀剂可被用作模板，用于在去除光致抗蚀剂的区域中蚀刻衬底表面上的材料，以在光致抗蚀剂下面的层中形成转移的图案。蚀刻后，剩余的光致抗蚀剂可被去除。
[0004]随着器件尺寸的减小，传统的光致抗蚀剂技术可能不适合形成所需尺寸的图案。在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种使用多重图案化过程形成图案化结构的方法，该方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底，该衬底包括含有图案化特征的表面；以及形成覆盖衬底的层，其中形成该层的步骤包括：在前体脉冲周期内向反应室提供前体；在反应物脉冲周期内向反应室提供反应物；在第一等离子体功率周期内施加具有小于1MHz的第一频率的第一等离子体功率；以及可选地，在第二等离子体功率周期内施加具有第二频率的第二等离子体功率，其中第一频率不同于第二频率。2.根据权利要求1所述的方法，其中，施加第一等离子体功率的步骤和施加第二等离子体功率的步骤重叠。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一频率在约300kHz和约500kHz之间。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的方法，其中，所述第二频率在约13MHz和约14MHz之间或者在约26MHz和约28MHz之间。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的方法，其中，形成所述层的步骤包括循环沉积过程。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的方法，其中，所述反应物脉冲周期与所述第一等离子体功率周期和第二等离子体功率周期中的一个或多个重叠。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的方法，其中，所述前体脉冲周期与所述第一等离子体功率周期和第二等离子体功率周期中的一个或多个不重叠。8.根据权利要求1
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7中任一项所述的方法，其中，所述第一等离子体功率周期和第二等离子体功率周期中的一个或多个的持续时间大于0且小于0.5秒/循环或约0至约0.5秒/脉冲。9.根据权利要求1
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8中任一项所述的方法，其中，在所述第一等离子体功率周期期间的等离子体功率小于500W/300mm晶片。10.根据权利要求1
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9中任一项所述的方法，其中，在所述第二等离子体功率周期期间的等离子体功率为约50W/300mm晶片至约500W/300mm晶片。11.根据权利要求1
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10中任一项所述的方法，还包括在反应物脉冲周期内向反应室提供反应物的步骤期间提供惰性气体，其中惰性气体与反应物的比率大于或等于2。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述惰性气体包括单独的或任意组合的氩、氦中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上尚树，中野竜，山田信哉，土屋真央，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：