掩模套件制造技术

掩模套件包括掩模框架，所述掩模框架包括单元开孔和沿着单元开孔的外周限定的外框架；和单元掩模，所述单元掩模设置在掩模框架上并且包括聚合物材料。单元掩模包括掩模部分，所述掩模部分包括沉积部分，所述沉积部分对应于掩模框架的单元开孔设置并且包括掩模图案，和非沉积部分，所述非沉积部分从沉积部分延伸；和粘合部分，所述粘合部分与掩模框架的外框架重叠并且从掩模部分延伸。非沉积部分包括非图案部分和图案部分，所述图案部分具有比非图案部分的厚度小的厚度。部分的厚度小的厚度。部分的厚度小的厚度。

【技术实现步骤摘要】
掩模套件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年10月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10
‑
2020
‑
0139410的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本文公开涉及包括包含聚合物材料的单元掩模的掩模套件和其制造方法。

技术介绍

[0004]显示面板各自包括许多像素。像素各自包括驱动元件，比如晶体管；和显示元件，比如有机发光二极管。可通过将电极和发光图案层压在基板上而在基板上形成显示元件。
[0005]可使用具有限定于其中的掩模图案的掩模而图案化发光图案，以便形成在预定的区域中。可在由掩模图案暴露的区域中形成发光图案。可根据掩模图案的形状控制发光图案的形状。最近，为了增强包括发光图案的显示面板的成品率，正在开发用于制造大面积掩模的材料和方法。
[0006]应理解，该
技术介绍
章节部分旨在提供用于理解技术的有用背景。然而，该
技术介绍
章节也可包括在本文公开的主题的对应的有效申请日之前不为相关领域的技术人员知道或领会的部分的想法、概念或认知。

技术实现思路

[0007]本公开提供了掩模套件，其中可防止包括在包括聚合物材料的单元掩模中的掩模图案变形。
[0008]本公开的实施方式提供了掩模套件，所述掩模套件可包括掩模框架，所述掩模框架包括单元开孔，和外框架，所述外框架沿着单元开孔的外周限定；和单元掩模，所述单元掩模设置在掩模框架上并且包括聚合物材料。单元掩模可包括掩模部分，所述掩模部分包括沉积部分，所述沉积部分对应于掩模框架的单元开孔设置并且包括掩模图案，和非沉积部分，所述非沉积部分从沉积部分延伸；和粘合部分，所述粘合部分与掩模框架的外框架重叠并且从掩模部分延伸。非沉积部分可包括非图案部分和图案部分，所述图案部分具有比非图案部分的厚度小的厚度。
[0009]在实施方式中，掩模部分可平行于由第一方向和与第一方向相交的第二方向限定的平面。图案部分可包括第一图案部分，所述第一图案部分沿着沉积部分的在第一方向上彼此面向的侧当中一个侧设置；和第二图案部分，所述第二图案部分沿着沉积部分的在第一方向上彼此面向的侧当中的另一侧设置。
[0010]在实施方式中，第一图案部分的厚度和第二图案部分的厚度可彼此不同。
[0011]在实施方式中，第一图案部分和第二图案部分中的至少一个可包括在第一方向上彼此间隔开的子图案部分。
[0012]在实施方式中，图案部分可进一步包括第三图案部分，所述第三图案部分沿着沉
积部分的在第二方向上彼此面向的侧当中一个侧设置；和第四图案部分，所述第四图案部分沿着沉积部分的在第二方向上彼此面向的侧当中的另一侧设置。
[0013]在实施方式中，第一图案部分至第四图案部分当中的至少一个图案部分的厚度可不同于第一图案部分至第四图案部分当中的其他图案部分的厚度。
[0014]在实施方式中，第三图案部分和第四图案部分中的至少一个可包括在第二方向上彼此间隔开的子图案部分。
[0015]在实施方式中，图案部分可包括弯曲的表面部分。
[0016]在实施方式中，单元掩模可包括聚酰亚胺。
[0017]在实施方式中，掩模套件可进一步包括网格框架，所述网格框架设置在掩模框架和单元掩模之间并且包括金属材料。
[0018]在实施方式中，用于制造掩模套件的方法可包括制造包括掩模部分的单元掩模，和将单元掩模设置在掩模框架上。单元掩模的制造可包括蚀刻基础基板，以形成具有突出图案的图案层，和将聚合物材料施加在图案层上，以形成聚合物层。单元掩模的制造可进一步包括在聚合物层上形成包括掩模图案的沉积部分和从沉积部分延伸的非沉积部分，和将聚合物层和图案层分开，以获得单元掩模。非沉积部分可包括非图案部分和图案部分，所述图案部分对应于突出图案并且具有比非图案部分的厚度小的厚度。
[0019]在实施方式中，单元掩模可包括聚酰亚胺。
[0020]在实施方式中，突出图案可包括弯曲的表面部分。
[0021]在实施方式中，聚合物层的形成可包括将施加在图案层上的聚合物材料平坦化，和热处理平坦化的聚合物材料，以形成聚合物层。
[0022]在实施方式中，掩模部分的形成可包括在聚合物层上施加光致抗蚀剂，和将光致抗蚀剂图案化，以形成蚀刻掩模。掩模部分的形成可进一步包括使用蚀刻掩模蚀刻聚合物层，以形成包括掩模图案的沉积部分。
[0023]在实施方式中，方法可进一步包括在掩模框架上设置包括金属材料的网格框架，和将单元掩模设置在网格框架上。
[0024]在实施方式中，用于制造掩模套件的方法可包括制造包括聚合物材料的聚合物层，将聚合物层设置在掩模框架上并且在聚合物层上形成掩模图案，以制造单元掩模。聚合物层的制造可包括蚀刻基础基板，以形成包括突出图案的图案层，将聚合物材料施加在图案层上，以形成聚合物层，和将聚合物层和图案层彼此分开。单元掩模的制造可包括在聚合物层上形成掩模部分，所述掩模部分包括沉积部分，所述沉积部分包括掩模图案，和从沉积部分延伸的非沉积部分。非沉积部分可包括非图案部分和图案部分，所述图案部分对应于突出图案并且具有比非图案部分的厚度小的厚度。
[0025]在实施方式中，单元掩模可包括聚酰亚胺。
[0026]在实施方式中，聚合物层的形成可包括将施加的聚合物材料平坦化，和热处理平坦化的聚合物材料，以形成聚合物层。
[0027]在实施方式中，方法可进一步包括在掩模框架上设置包括金属材料的网格框架，和将聚合物层设置在网格框架上。
附图说明
[0028]包括所附附图以提供实施方式的进一步理解，并且将所附附图并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图阐释实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：
[0029]图1为根据实施方式的掩模套件的示意性透视图；
[0030]图2为根据实施方式的掩模套件的分解示意性透视图；
[0031]图3为根据实施方式的掩模套件的一部分的分解示意性透视图；
[0032]图4A和图4B为根据实施方式的单元掩模膜的示意性平面图；
[0033]图5A和图5B为沿着图4A中显示的切割线I
‑
I
’
截取的单元掩模的示意性横截面图；
[0034]图6A和图6B为对应于图3中显示的部分BB
’
的单元掩模的一部分的分解示意性平面图；
[0035]图7为示意性阐释根据实施方式的掩模套件制造方法的流程图；
[0036]图8A至图8E为阐释根据实施方式的掩模套件制造方法的示意性工艺图；
[0037]图9A至图9C为根据实施方式的图案层的示意性横截面图；
[0038]图10为示意性阐释根据实施方式的用于形成聚合物层的步骤的流程图；
[0039]图11为示意性阐释根据实施方式的用于形成掩模部分的步骤的流程图；
[0040]图12为示意性阐释根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模套件，所述掩模套件包括：掩模框架，所述掩模框架包括：单元开孔；和外框架，所述外框架沿着所述单元开孔的外周限定；和单元掩模，所述单元掩模设置在所述掩模框架上并且包括聚合物材料，其中所述单元掩模包括：掩模部分，所述掩模部分包括：沉积部分，所述沉积部分对应于所述掩模框架的所述单元开孔设置并且包括掩模图案；和非沉积部分，所述非沉积部分从所述沉积部分延伸；和粘合部分，所述粘合部分与所述掩模框架的所述外框架重叠并且从所述掩模部分延伸，并且所述非沉积部分包括：非图案部分；和图案部分，所述图案部分具有比所述非图案部分的厚度小的厚度。2.根据权利要求1所述的掩模套件，其中所述掩模部分平行于由第一方向和与所述第一方向相交的第二方向限定的平面；并且所述图案部分包括：第一图案部分，所述第一图案部分沿着所述沉积部分的在所述第一方向上彼此面向的侧当中的一个侧设置；和第二图案部分，所述第二图案部分沿着所述沉积部分的在所述第一方向上彼此面向的侧当中的另一侧设置。3.根据权利要求2所述的掩模套件，其中所述第一图案部分的厚度和所述第二图案部分的厚度彼此不同。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：李德重，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：