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本发明公开了一种半导体处理用的成膜方法，包括以下步骤：S1、对半导体基板进行超声波清洗处理；S2、将半导体基板放置在腔室内，对腔室内进行预升温至60
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该专利属于南通捷晶半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通捷晶半导体技术有限公司授权不得商用。

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