本发明专利技术实施例提供一种晶圆调节装置、反应腔室及晶圆调节方法，晶圆调节装置包括：升降模块，所述升降模块具有用于承载晶圆的第一承载面，所述第一承载面可相对于基准面上升至预设最高位置或下降至预设最低位置；承载模块，所述承载模块具有第二承载面，所述第二承载面的位置高于所述预设最低位置且低于所述预设最高位置，所述第二承载面用于转接所述第一承载面承载的所述晶圆；抽气模块，所述抽气模块具有被所述第二承载面环绕的朝向所述晶圆的第一抽气口，所述抽气模块用于通过所述第一抽气口吸附所述晶圆。本发明专利技术实施例有利于缩短晶圆的调节时长。圆的调节时长。圆的调节时长。
【技术实现步骤摘要】
晶圆调节装置、反应腔室以及晶圆调节方法
[0001]本专利技术实施例涉及半导体领域，特别涉及一种晶圆调节装置、反应腔室以及晶圆调节方法。
技术介绍
[0002]现有技术中，晶圆在完成一工艺制程之后及在进行下一工艺制程之前，需要进行中间调节，以保证晶圆的状态能够满足下一工艺制程的要求，不同工艺制程的要求可能不同，不同反应腔室内的同一工艺制程的要求也可能不同。中间调节包括对晶圆的位置、温度以及应力进行调控。
[0003]晶圆的中间调节时长较长会导致半导体结构的制作时长较长，半导体结构的产量较低。在保证晶圆状态满足工艺制程要求的情况，如何缩短调节时长成为当前研究的重点。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例提供一种晶圆调节装置、反应腔室以及晶圆调节方法，有利于缩短晶圆的调节时长。
[0005]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种晶圆调节装置，包括：升降模块，所述升降模块具有用于承载晶圆的第一承载面，所述第一承载面可相对于基准面上升至预设最高位置或下降至预设最低位置；承载模块，所述承载模块具有第二承载面，所述第二承载面的位置高于所述预设最低位置且低于所述预设最高位置，所述第二承载面用于转接所述第一承载面承载的所述晶圆；抽气模块，所述抽气模块具有被所述第二承载面环绕的朝向所述晶圆的第一抽气口，所述抽气模块用于通过所述第一抽气口吸附所述晶圆。
[0006]另外，所述抽气模块还用于控制所述第一抽气口的抽气速率，以使所述承载模块承载的所述晶圆受到的来源于所述第一抽气口的第一压强为1KPa～30KPa。
[0007]另外，所述承载模块包括多个承载单元，多个所述承载单元的承载面构成所述第二承载面，所述抽气模块具有多个所述第一抽气口，每一所述承载单元的承载面环绕一所述第一抽气口。
[0008]另外，所述承载模块包括第一承载单元和多个第二承载单元，所述第一承载单元的第三承载面和所述第二承载单元的第四承载面构成所述第二承载面，多个所述第四承载面对应的多个中心处于同一圆上，所述第三承载面的中心与所述圆的圆心重合，所述第三承载面和每一所述第四承载面各环绕一所述第一抽气口。
[0009]另外，晶圆调节装置还包括：基盘，所述基盘的顶面作为所述基准面，所述基准面低于或处于所述预设最低位置，所述抽气模块还具有被所述基准面环绕的朝向所述晶圆的第二抽气口，所述抽气模块还用于通过所述第二抽气口吸附所述晶圆，多个所述第一抽气口对应的多个中心处于同一圆上，所述第二抽气口的中心与所述圆的圆心重合。
[0010]另外，所述抽气模块用于通过所述第一抽气口和所述第二抽气口同时吸附所述晶圆，所述抽气模块还用于控制所述第二抽气口的抽气速率，以使通过所述第二抽气口向所
述晶圆施加的吸附力小于通过所述第一抽气口向所述晶圆施加的吸附力。
[0011]另外，所述抽气模块用于控制所述承载模块承载的所述晶圆受到的来源于所述第二抽气口的第二压强为1KPa～2Kpa。
[0012]另外，具有所述第一抽气口的抽气管道设置于所述承载模块内，所述第二承载面暴露所述第一抽气口，在垂直于所述基准面的方向上，所述第一抽气口在所述第二承载面所在平面上的正投影被所述第二承载面环绕。
[0013]另外，所述承载模块包括固定部和支撑部，所述支撑部具有柱状结构，所述抽气管道设置于所述柱状结构内，所述固定部为设置于所述柱状结构顶面边缘的环状结构，所述环状结构的材料为弹性材料。
[0014]另外，所述第一抽气口由至少两个子抽气口组成，所述抽气模块用于通过至少两个所述子抽气口吸附所述晶圆。
[0015]另外，所述第一抽气口由三个所述子抽气口组成，三个所述子抽气口的中心的连线构成等边三角形，在垂直于所述基准面的方向上，所述等边三角形的中心的正投影与所述第二承载面的中心的正投影重合。
[0016]相应地，本专利技术实施例还提供一种反应腔室，包括：涂胶显影装置，用于向所述晶圆调节装置承载的晶圆涂覆光刻胶；如上述任一项所述的晶圆调节装置，所述晶圆调节装置用于调节已涂覆所述光刻胶的所述晶圆。
[0017]相应地，本专利技术实施例还提供一种晶圆调节方法，包括：提供如上述任一项所述的晶圆调节装置；控制升降模块的第一承载面上升至预设最高位置；提供晶圆并控制所述晶圆承载于所述第一承载面上；控制所述第一承载面下降至预设最低位置，以使承载模块的第二承载面转接所述晶圆；开启所述抽气模块，以通过所述第一抽气口吸附所述晶圆。
[0018]另外，在控制所述升降模块下降之前，开启所述抽气模块。
[0019]另外，所述承载模块包括多个承载单元，多个所述承载单元的承载面构成所述承载模块的第二承载面，所述抽气模块具有多个所述第一抽气口，每一所述承载单元的承载面环绕一所述第一抽气口；所述开启所述抽气模块，包括：控制所述第一抽气口的抽气速率，以使所述承载模块承载的所述晶圆受到的来源于所述第一抽气口的总压强为1KPa～30KPa。
[0020]另外，所述抽气模块的开启时间为5～50s。
[0021]与现有技术相比，本专利技术实施例提供的技术方案具有以下优点：
[0022]上述技术方案中，设置有可调节晶圆垂直位置的升降模块和被第二承载面环绕的第一抽气口，第一抽气口通过吸气吸附晶圆并将晶圆固定在承载模块上，第一抽气口的吸附作用可释放或均匀化晶圆的集中应力，且可降低晶圆的温度，也就是说，晶圆调节装置既可以调节晶圆相对于基准面的垂直高度，又可以同时改善晶圆的应力情况和调控晶圆的温度，如此，无需设置多个装置分别调节晶圆的位置、应力或温度，有利于缩短晶圆调节时长。
[0023]另外，多个承载单元的承载面构成第二承载面，相对于单一承载表面，设置多个承载面有利于保证晶圆的均匀受力，避免晶圆受到应力损伤以及加速晶圆应力的释放。
附图说明
[0024]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说
明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
[0025]图1为光刻胶的双螺旋现象示意图；
[0026]图2至图5为本专利技术实施例提供的晶圆调节装置的结构示意图。
具体实施方式
[0027]晶圆在涂胶显影装置内完成相应制程之后，传送至冷却盘(Interface Block Chill Plate Process Station，ICPL)，以通过ICPL提前调控晶圆的温度；在传送至ICPL之后，基于温度控制单元(Temperature Stabilization Unit，TSU)的占用情况，进行晶圆的进一步转移。具体地，若TSU内已有其他晶圆或出现故障，则将晶圆传送至晶圆暂存缓冲区(Stationary Buffering Stage,SBU)内，以等待TSU的维修或空位，SBU没有针对晶圆的温度调节功能；若TSU内没有其他晶圆且处于正常状态，则将晶圆从ICPL或SBU传送至TSU内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆调节装置，其特征在于，包括：升降模块，所述升降模块具有用于承载晶圆的第一承载面，所述第一承载面可相对于基准面上升至预设最高位置或下降至预设最低位置；承载模块，所述承载模块具有第二承载面，所述第二承载面的位置高于所述预设最低位置且低于所述预设最高位置，所述第二承载面用于转接所述第一承载面承载的所述晶圆；抽气模块，所述抽气模块具有被所述第二承载面环绕的朝向所述晶圆的第一抽气口，所述抽气模块用于通过所述第一抽气口吸附所述晶圆。2.根据权利要求1所述的晶圆调节装置，其特征在于，所述抽气模块还用于控制所述第一抽气口的抽气速率，以使所述承载模块承载的所述晶圆受到的来源于所述第一抽气口的第一压强为1KPa～30KPa。3.根据权利要求1所述的晶圆调节装置，其特征在于，所述承载模块包括多个承载单元，多个所述承载单元的承载面构成所述第二承载面，所述抽气模块具有多个所述第一抽气口，每一所述承载单元的承载面环绕一所述第一抽气口。4.根据权利要求3所述的晶圆调节装置，其特征在于，所述承载模块包括第一承载单元和多个第二承载单元，所述第一承载单元的第三承载面和所述第二承载单元的第四承载面构成所述第二承载面，多个所述第四承载面对应的多个中心处于同一圆上，所述第三承载面的中心与所述圆的圆心重合，所述第三承载面和每一所述第四承载面各环绕一所述第一抽气口。5.根据权利要求3所述的晶圆调节装置，其特征在于，还包括：基盘，所述基盘的顶面作为所述基准面，所述基准面低于或处于所述预设最低位置，所述抽气模块还具有被所述基准面环绕的朝向所述晶圆的第二抽气口，所述抽气模块还用于通过所述第二抽气口吸附所述晶圆，多个所述第一抽气口对应的多个中心处于同一圆上，所述第二抽气口的中心与所述圆的圆心重合。6.根据权利要求5所述的晶圆调节装置，其特征在于，所述抽气模块用于通过所述第一抽气口和所述第二抽气口同时吸附所述晶圆，所述抽气模块还用于控制所述第二抽气口的抽气速率，以使通过所述第二抽气口向所述晶圆施加的吸附力小于通过所述第一抽气口向所述晶圆施加的吸附力。7.根据权利要求6所述的晶圆调节装置，其特征在于，所述抽气模块用于控制所述承载模块承载的所述晶圆受到的来源于所述第二抽气口的第二压强为1KPa...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴从军，章杏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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