一种存储器的操作方法、读取方法、存储器及存储系统技术方案

本申请实施例提供一种存储器的操作方法、读取方法、存储器及存储系统。其中，所述操作方法包括：确定所述存储器中的存储单元在单层单元SLC擦除状态时的阈值电压的第一变化量；比较所述第一变化量和参考阈值；在比较结果为所述第一变化量与所述参考阈值之间不满足设定关系时，将所述存储单元在所述SLC擦除状态时的阈值电压调整至具有第二变化量，使所述第二变化量与所述参考阈值之间满足所述设定关系。变化量与所述参考阈值之间满足所述设定关系。变化量与所述参考阈值之间满足所述设定关系。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器的操作方法、读取方法、存储器及存储系统


[0001]本申请涉及存储器
，尤其涉及一种存储器的操作方法、读取方法、存储器及存储系统。

技术介绍

[0002]最近，随着存储器的发展，存储器可以是易失性的或非易失性的。非易失性存储器即使在未通电的情况下也能够保持数据，因此已经广泛用于蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备和其它设备中，比如一种示例，3D电荷捕捉闪存(CTF，Charge Trapping Flash)存储器的应用很广泛。3D电荷捕捉闪存存储器通过在其包含的存储单元的栅介质层中的陷阱(Trap)捕获和存储电荷来实现数据存储的功能。存储单元的栅介质层中的电荷捕获和丢失引起的随机电报噪声(RTN，Random telegraph noise)会影响对存储单元存储的数据的读取的正确性。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提供一种存储器的操作方法、读取方法、存储器及存储系统，调整存储单元对应的RTN的幅度，从而降低因RTN引起的读干扰。
[0004]为达到上述目的，本申请的技术方案是这样实现的：
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种存储器的操作方法，包括：
[0006]确定所述存储器中的存储单元在单层单元SLC擦除状态时的阈值电压的第一变化量；
[0007]比较所述第一变化量和参考阈值；
[0008]在比较结果为所述第一变化量与所述参考阈值之间不满足设定关系时，将所述存储单元在所述SLC擦除状态时的阈值电压调整至具有第二变化量，使所述第二变化量与所述参考阈值之间满足所述设定关系。
[0009]第二方面，本申请实施例还提供一种存储器的读取方法，包括：
[0010]在对所述存储器的存储单元执行读取操作时，对于所述存储单元耦接的选中字线提供读取电压；
[0011]对与所述存储单元属于同一存储单元串中其他存储单元耦接的未选中字线提供通过电压；
[0012]其中，所述通过电压基于记录的总偏移量和默认通过电压确定。
[0013]第三方面，本申请实施例还提供一种存储器，包括：存储阵列，所述存储阵列包括存储单元；
[0014]及与所述存储阵列耦接且被配置为控制所述存储阵列的外围电路；
[0015]所述外围电路，被配置为：前述任一项所述的操作方法。
[0016]第四方面，本申请实施例还提供一种存储系统，包括:一个或多个前述所述的存储器；以及耦接在所述存储器的存储器控制器；所述存储器控制器，用于：向所述存储器发送
各种操作命令。
[0017]本申请实施例提供一种存储器的操作方法、读取方法、存储器及存储系统。其中，所述存储器的操作方法包括：确定所述存储器中的存储单元在单层单元SLC擦除状态时的阈值电压的第一变化量；比较所述第一变化量和参考阈值；在比较结果为所述第一变化量与所述参考阈值之间不满足设定关系时，将所述存储单元在所述SLC擦除状态时的阈值电压调整至具有第二变化量，使所述第二变化量与所述参考阈值之间满足所述设定关系。本申请实施例提供的存储器的操作方法，将存储单元的RTN与参考阈值进行比较，并且在比较结果不满足设定关系时，将其与参考阈值的比较结果调整至满足设定关系，以此降低因RTN引起的读干扰。通俗来讲，本申请实施例提供的操作方法是将存储单元的RTN的幅度(存储单元的SLC擦除状态时的阈值电压的变化量表征RTN的幅度)调整至已知的最小幅度(参考阈值，比如，这个最小RTN的幅度可以为与位线相邻的存储单元对应的RTN的幅度)，以使因RTN引起的读取干扰降低，以便于能够正确读取存储单元存储的数据。
附图说明
[0018]当结合附图阅读时，从以下具体实施例方式中可以最好地理解本申请的方面。注意，根据工业汇总的标准实践，各种特征没有按照比例绘制。事实上，为了讨论的清楚，各特征的尺寸可以任意地增加或减小。
[0019]图1示出相关技术中具有存储器的示例性系统的块图；
[0020]图2示出具有存储器的示例性存储卡的示意图；
[0021]图3示出具有存储器的示例性固态硬盘(SSD)的示意图；
[0022]图4示出包含外围电路的示例性存储器的示意图；
[0023]图5示出了根据本申请的一些方面的包含存储单元串的示例性存储阵列的截面的侧视图；
[0024]图6示出包含存储阵列和外围电路的示例性存储器的块图；
[0025]图7示出MLC类型的存储单元的阈值电压分布的示意图；
[0026]图8示出TLC类型的存储单元的阈值电压分布的示意图；
[0027]图9示出QLC类型的存储单元的阈值电压分布的示意图；
[0028]图10示出三种对存储单元的RWM产生影响的因素示意图；
[0029]图11示出本申请实施例提供的一种存储器的操作方法的流程示意图；
[0030]图12示出本申请实施例提供的确定随机电报噪声的第一变化量的流程示意图一；
[0031]图13示出第一读取条件中的读取电压的示意图；
[0032]图14示出本申请实施例提供的确定随机电报噪声的第一变化量的流程示意图二；
[0033]图15示出本申请实施例提供的确定随机电报噪声的第一变化量的流程示意图三；
[0034]图16示出本申请实施例提供的在字线WL0、WL31、WL63耦接的存储单元在SLC擦除状态时的阈值电压的变化量分布的示意图；
[0035]图17示出本申请实施例提供的在各字线耦接的存储单元在SLC擦除状态时的阈值电压的变化量分布的3σ大小的分布示意图；
[0036]图18示出本申请实施例提供的存储单元在SLC擦除状态的变化量的调整的流程示意图；
[0037]图19示出本申请实施例提供的确定存储单元在SLC擦除状态的变化量的调整时机的流程示意图；
[0038]图20示出本申请实施例提供的读取方法的流程示意图；
[0039]图21示出本申请实施例提供的包含64层字线的CTF利用图18的流程确定与未选定存储单元耦接的未选中字线施加的通过电压相对于默认通过电压的总偏移量的流程示意图；
[0040]图22示出本申请实施例提供的判断当前编程/擦除次数是否需要进行RTN调整的流程示意图；
[0041]图23示出本申请实施例提供的在当前的编程/擦除次数达到预设次数时对于未选中存储单元的RTN的幅度进行调整的流程示意图。
具体实施方式
[0042]以下公开提供了用于实施所提供的主题的不同特征的许多不同实施例或示例。下面描述部件和布置的具体示例以简化本申请。当然，这些仅仅是示例，而不是限制性的。例如，在以下描述中，第一特征形成在第二特征之上或上可以包括其中第一特征和第二特征直接接触形成的实施例，并且还可以包括附加特征可以形成在第一特征与第二特征之间使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。另外，本申请可能在各种示例中重复参考数据和/或字母。这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的操作方法，其特征在于，包括：确定所述存储器中的存储单元在单层单元SLC擦除状态时的阈值电压的第一变化量；比较所述第一变化量和参考阈值；在比较结果为所述第一变化量与所述参考阈值之间不满足设定关系时，将所述存储单元在所述SLC擦除状态时的阈值电压调整至具有第二变化量，使所述第二变化量与所述参考阈值之间满足所述设定关系。2.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述确定所述存储器中的存储单元在单层单元SLC擦除状态时的阈值电压的第一变化量，包括：对所述存储单元所在存储块进行擦除操作，使所述存储块包含的存储单元均被擦除至所述SLC擦除状态；基于第一读取条件对所述存储单元执行多次读取操作；获得每次读出的所述存储单元的阈值电压的电压值；基于每一个所述电压值确定所述第一变化量。3.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述确定所述存储器中的存储单元在单层单元SLC擦除状态时的阈值电压的第一变化量，包括：对所述存储单元所在存储块进行擦除操作，使所述存储块包含的存储单元均被擦除至所述SLC擦除状态；基于第一读取条件对与选中字线耦接的各存储单元执行多次读取操作，获得所述各存储单元的阈值电压的变化量分布；所述选中字线为所述存储块中与所述存储单元耦接的字线；确定所述变化量分布的3σ作为所述第一变化量。4.根据权利要求2所述的操作方法，其特征在于，所述第一读取条件包括：对与所述存储单元耦接的选中字线施加一组读取电压；对与所述存储单元属于同一存储单元串中的其他存储单元耦接的未选中字线施加相应的默认通过电压；其中，所述一组读取电压包括位于所述SLC擦除状态对应的阈值电压分布的最小电压值到最大电压值之间的一组电压值。5.根据权利要求2所述的操作方法，其特征在于，所述基于每一个电压值确定所述第一变化量，包括：基于每一个所述电压值获取所述存储单元的阈值电压的平均电压值；基于所述每一个所述电压值中的任一电压值与所述平均电压值确定所述第一变化量。6.根据权利要求2或3所述的操作方法，其特征在于，所述方法还包括：在对所述存储块执行擦除操作后，等待第一预设时长。7.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述参考阈值为所述存储单元串中与位线相邻的存储单元在所述SLC擦除状态时的阈值电压的变化量。8.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述在比较结果为所述第一变化量与所述参考阈值之间不满足设定关系时，将所述存储单元在单层单元SLC擦除状态时的阈值电压调整至具有第二变化量，包括：使所述存储单元擦除至所述SLC擦除状态；
逐步调整第一读取条件，基于每一次调整后的第一读取条件对所述存储单元执行多次读取操作，直到将所述存储单元在所述SLC擦除状态时的阈值电压调整至具有第二变化量。9.根据权利要求8所述的操作方法，其特征在于，所述逐步调整第一读取条件，包括：对与所述存储单元耦接的选中字线施加的一组读取电压保持不变；对与所述存储单元属于同一存储单元串中的其他存储单元耦接的未选中字线施加的通过电压在默认通过电压的基础上按照设定偏移量逐步增加。10.根据权利要求9所述的操作方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述存储单元在所述SLC擦除状态时的阈值电压调整至具有第二变化量时，记录对所述未选中字线施加的通过电压相对于默认通过电压的总偏移量。11.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述设...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋璧若，付祥，刘红涛，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：