用于具有相邻平面干扰检测的智能验证的设备和方法技术

提供了一种设备，该设备包括多个非易失性存储器单元和耦接到非易失性存储器单元的控制电路。该控制电路被配置为对耦接到第一字线的第一组非易失性存储器单元执行第一编程

【技术实现步骤摘要】
用于具有相邻平面干扰检测的智能验证的设备和方法


[0001]本申请涉及一种存储器装置及其操作方法，并且更具体地，用于具有相邻平面干扰检测的智能验证的设备和方法。

技术介绍

[0002]半导体存储器广泛用于各种电子装置，诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子、移动计算装置、服务器、固态驱动器、非移动计算装置和其他装置。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。即使在非易失性存储器未连接到电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。非易失性存储器的示例包括闪速存储器(例如，NAND型和NOR型闪速存储器)。
[0003]存储器系统可用于存储由主机装置(或其他客户端)提供的数据。然而，在操作此类存储器系统时存在各种挑战。特别是，随着存储器单元尺寸的减小以及存储器阵列密度的增加，保持所存储数据的完整性变得更具挑战性。

技术实现思路

[0004]一个实施例包含设备，其包含多个非易失性存储器单元和耦接到非易失性存储器单元的控制电路。控制电路配置为在耦接到第一字线的第一组非易失性存储器单元上执行第一编程<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，包括：多个非易失性存储器单元；以及耦接到所述非易失性存储单元的控制电路，所述控制电路配置为：对耦接到第一字线的第一组非易失性存储器单元执行第一编程
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验证迭代，以确定将所述第一组非易失性存储器单元编程到第一编程状态的第一起始编程电压；并且仅当不存在缺陷条件时才以所述第一起始编程电压开始编程耦接到所述第一字线的第二组非易失性存储器单元。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路还配置为确定是否存在所述缺陷条件。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路还配置为，如果存在所述缺陷条件，则在完成编程所述非易失性存储器单元之前终止编程所述非易失性存储器单元。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路还配置为：编程所述非易失性存储器单元的第一平面和第二平面；以及如果编程所述第一平面比编程所述第二平面更慢第一量，则确定存在所述缺陷条件。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述第一量是编程过程的预定迭代次数。6.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制电路还配置为，在确定存在所述缺陷条件之后，在完成编程所述第一平面之前终止编程所述第一平面。7.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制电路还配置为，在确定存在所述缺陷条件之后继续编程所述第二平面。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路还被配置为，仅当不存在所述缺陷条件时才以所述第一起始编程电压开始编程耦接到第二字线的第三组非易失性存储器单元。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路还配置为：对耦接到所述第一字线的第三组非易失性存储器单元执行第二编程
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验证迭代，以确定将所述第三组非易失性存储器单元编程到所述第一编程状态的第二起始编程电压；以及如果存在所述缺陷条件，则以所述第二起始编程电压开始编程耦接到所述第一字线的所述第二组非易失性存储器单元。10.根据权利要求9所述的设备，其中所述控制电路还配置为，如果存在所述缺陷条件，则以所述第二起始编程电压开始编程耦接到第二字线的第四组非易失性存储器单元。11.根据权利要求9所述的设备，其中所述控制电路还配置为：编程所述非易失性存储器单元的第一平面和第二平面；如果编程所述第一平面比编程所述第二平面更慢第一量，则确定存在所述缺陷条件；在确定存在所述缺陷条件后，在完成编程所述第一平面...

【专利技术属性】
技术研发人员：田璇，殷冠华，李靓，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：