用于补偿由于半圆漏极侧选择栅极引起的擦除速度变化的系统和方法技术方案

本发明专利技术题为“用于补偿由于半圆漏极侧选择栅极引起的擦除速度变化的系统和方法”。本申请公开了非易失性存储器系统。该存储器系统包括成行的存储器孔FC

【技术实现步骤摘要】
用于补偿由于半圆漏极侧选择栅极引起的擦除速度变化的系统和方法


[0001]本申请涉及利用存储器孔，在该存储器孔中边缘被切割/改变，从而限定半圆存储器孔。具体地，本申请涉及使用不同的阈值电压对全圆(即，未切割/未改变的)存储器孔和半圆存储器孔进行编程。这些不同的阈值电压允许全圆存储器孔和半圆存储器孔实现相似的擦除速度。

技术介绍

[0002]半圆漏极侧选择栅极(“SC
‑
SGD”)存储器技术提供若干优点，包括减小的管芯尺寸。为了生产SC
‑
SGD，使用蚀刻技术来切割存储器孔，从而赋予它们半圆形形状，并将块或行分成若干串。取决于用于形成SC
‑
SGD的工艺，可能出现某些低效率。例如，如果不正确地切割存储器孔，那么它们可能变得无用，即在擦除操作期间无法使用。另外，虚设孔通常存在于存储器设备中，在行的两个区域之间提供非功能缓冲区。
[0003]由于SC
‑
SGD与全圆漏极侧选择栅极(“FC
‑
SGD”)一起形成，因此，块可以包括FC
‑
SGD和SC
‑
SGD两者。然而，FC
‑
SGD和SC
‑
SGD的相应擦除速度是不同的。例如，FC
‑
SGD擦除速度比SC
‑
SGD擦除速度快。在SC
‑
SGD擦除速度太慢的情况下，无法实现SC
‑
SGD存储器技术。就这一点而言，即使当SC
‑r/>SGD存储器孔功能正常(即，能够存储一些用户数据)时，其他问题诸如相对擦除速度仍然是个问题。

技术实现思路

[0004]本公开的一个方面涉及一种用于对存储器设备进行编程的方法。该方法包括将第一行存储器孔的一个或多个选择栅极编程至第一阈值电压。该第一行存储器孔的该一个或多个选择栅极限定全圆漏极侧选择栅极(FC
‑
SGD)。该方法以基于该第一阈值电压使得该第一行存储器孔的该一个或多个选择栅极具有第一擦除速度而继续。该方法以将第二行存储器孔的一个或多个选择栅极编程至不同于该第一阈值电压的第二阈值电压而继续。该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极限定半圆漏极侧选择栅极(SC
‑
SGD)。该方法以基于该第二阈值电压使得该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极具有第二擦除速度而继续，该第二擦除速度与该第一擦除速度至少相差阈值擦除速度。
[0005]在一个实施方案中，该第二擦除速度与该第一擦除速度匹配。
[0006]在一个实施方案中，该方法继续进行，对该第一行存储器孔的该一个或多个选择栅极进行编程包括施加第一编程电压。该方法继续进行，对该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极进行编程包括施加大于该第一编程电压的第二编程电压。
[0007]在一个实施方案中，在对该第一行的一个或多个选择栅极和该第二行的一个或多个选择栅极进行编程之前，该方法以确定该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极是否限定SC
‑
SGD而继续。该方法以基于预定验证水平对该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极进行编程而继续。
[0008]在一个实施方案中，在对该第一行存储器孔的该一个或多个选择栅极和该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极进行编程之前，该方法以向该第一行存储器孔的该一个或多个选择栅极和该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极提供擦除脉冲而继续。该方法以基于该擦除脉冲，确定该第一行存储器孔的该一个或多个选择栅极的第一擦除速度和该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极的第二擦除速度而继续。
[0009]在一个实施方案中，当该第一擦除速度快于该第二擦除速度时，该方法以将该第二阈值电压设置为高于该第一阈值电压而继续。
[0010]在一个实施方案中，该第一行存储器孔的该一个或多个选择栅极位于该存储器设备的存储器块的第一行中，并且该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极位于该存储器块的第二行中。
[0011]根据本公开的另一方面，一种存储器系统包括存储器设备。该存储器系统包括控制器，该控制器操作地耦接到该存储器设备。该控制器被配置为将第一行存储器孔的一个或多个选择栅极编程至第一阈值电压。该第一行存储器孔的该一个或多个选择栅极限定全圆漏极侧选择栅极(FC
‑
SGD)。该控制器被进一步配置为基于该第一阈值电压使得该第一行存储器孔的该一个或多个选择栅极具有第一擦除速度。该控制器被进一步配置为将第二行存储器孔的一个或多个选择栅极编程至不同于该第一阈值电压的第二阈值电压。该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极限定半圆漏极侧选择栅极(SC
‑
SGD)。该控制器被进一步配置为基于该第二阈值电压，使得该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极具有第二擦除速度，该第二擦除速度与该第一擦除速度至少相差阈值擦除速度。
[0012]在一个实施方案中，该第二擦除速度与该第一擦除速度匹配。
[0013]在一个实施方案中，该控制器被进一步配置为对该第一行存储器孔的该一个或多个选择栅极进行编程包括施加第一编程电压。该控制器被进一步配置为对该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极进行编程包括施加大于该第一编程电压的第二编程电压。
[0014]在一个实施方案中，在对该第一行的一个或多个选择栅极和该第二行的一个或多个选择栅极进行编程之前，该控制器被进一步配置为确定该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极是否限定SC
‑
SGD。该控制器被进一步配置为基于预定验证水平对该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极进行编程。
[0015]在一个实施方案中，在对该第一行存储器孔的该一个或多个选择栅极和该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极进行编程之前，该控制器被进一步配置为向该第一行存储器孔的该一个或多个选择栅极和该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极提供擦除脉冲。该控制器被进一步配置为基于该擦除脉冲，确定该第一行存储器孔的该一个或多个选择栅极的第一擦除速度和该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极的第二擦除速度。
[0016]在一个实施方案中，当该第一擦除速度快于该第二擦除速度时，控制器被进一步配置为将该第二阈值电压设置为高于该第一阈值电压。
[0017]在一个实施方案中，该第一行存储器孔的该一个或多个选择栅极位于该存储器设备的存储器块的第一行中，并且该第二行存储器孔的该一个或多个选择栅极位于该存储器块的第二行中。
[0018]根据本公开的另一方面，一种非暂态计算机可读存储介质，其被配置为存储指令，该指令在由包括存储器系统的控制器的处理器执行时，使得该存储器系统执行以下步骤：
将第一行存储器孔的一个或多个选择栅极编程到第一阈值电压。该第一行存储器孔的该一个或多个选择栅极限定全圆漏极侧选择栅极(FC
‑
SGD)。该指令进一步使得该存储器系统执行以下步骤：基于该第一阈值电压，使得该第一行存储器孔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于编程存储器设备的方法，所述方法包括：将第一行存储器孔的一个或多个选择栅极编程至第一阈值电压，其中所述第一行存储器孔的所述一个或多个选择栅极限定全圆漏极侧选择栅极(FC
‑
SGD)；基于所述第一阈值电压，使得所述第一行存储器孔的所述一个或多个选择栅极具有第一擦除速度；将第二行存储器孔的一个或多个选择栅极编程至不同于所述第一阈值电压的第二阈值电压，其中所述第二行存储器孔的所述一个或多个选择栅极限定半圆漏极侧选择栅极(SC
‑
SGD)；以及基于所述第二阈值电压，使得所述第二行存储器孔的所述一个或多个选择栅极具有第二擦除速度，所述第二擦除速度与所述第一擦除速度至少相差阈值擦除速度。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二擦除速度与所述第一擦除速度匹配。3.根据权利要求1所述的方法，其中：对所述第一行存储器孔的所述一个或多个选择栅极进行编程包括施加第一编程电压，并且对所述第二行存储器孔的所述一个或多个选择栅极进行编程包括施加大于所述第一编程电压的第二编程电压。4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在对所述第一行的所述一个或多个选择栅极和所述第二行的所述一个或多个选择栅极进行编程之前：确定所述第二行存储器孔的所述一个或多个选择栅极是否限定所述SC
‑
SGD；以及基于预定验证水平对所述第二行存储器孔的所述一个或多个选择栅极进行编程。5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在对所述第一行存储器孔的所述一个或多个选择栅极和所述第二行存储器孔的所述一个或多个选择栅极进行编程之前：向所述第一行存储器孔的所述一个或多个选择栅极和所述第二行存储器孔的所述一个或多个选择栅极提供擦除脉冲；以及基于所述擦除脉冲，确定所述第一行存储器孔的所述一个或多个选择栅极的第一擦除速度和所述第二行存储器孔的所述一个或多个选择栅极的第二擦除速度。6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括当所述第一擦除速度快于所述第二擦除速度时，将所述第二阈值电压设置为高于所述第一阈值电压。7.根据权利要求1所述的方法，其中：所述第一行存储器孔的所述一个或多个选择栅极位于所述存储器设备的存储器块的第一行中，并且所述第二行存储器孔的所述一个或多个选择栅极位于所述存储器块的第二行中。8.一种存储器系统，包括：存储器设备；以及控制器，所述控制器操作地耦接到所述存储器设备，所述控制器被配置为：将第一行存储器孔的一个或多个选择栅极编程至第一阈值电压，其中所述第一行存储器孔限定全圆漏极侧选择栅极(FC
‑
SGD)；基于所述第一阈值电压，使得所述第一行存储器孔具有第一擦除速度；将第二行存储器孔的一个或多个选择栅极编程至不同于所述第一阈值电压的第二阈
值电压，其中所述第二行存储器孔限定半圆漏极侧选择栅极(SC
‑
SGD)；以及基于所述第二阈值电压，使得所述第二行存储器孔具有第二擦除速度，所述第二擦除速度与所述第一擦除速度至少相差阈值擦除速度。9.根据权利要求8所述的存储器系统，其中所述第二擦除速度与所述第一擦除速度匹配。10.根据权利要求8所述的存储器系统，其中所述控制器被进一步配置为：对所述第一行存储器孔的所述一个或多个选择栅极进行编程包括施加第一编程电压，并且对所述第二行存储器孔的所述一个或多个选择栅极进行编程包括施加大于所述第一编程电压的第二编程电压。11.根据权利要求8所述的存储器系...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：