【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地涉及包含自对准隔离带的三维存储器器件及其形成方法。
技术介绍
1、包括每个单元具有一个位的三维竖直nand串的三维存储器器件在t.endoh等人的名称为“novel ultra high-density memory with a stacked-surrounding gatetransistor(s-sgt)structured cell”，iedm proc.(2001)33-36的文章中公开。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：绝缘层和复合层的交替堆叠，其中该复合层中的每个复合层包括沿第一水平方向横向延伸的相应多个导电字线带以及沿第一水平方向横向延伸的多个介电隔离带，其中该多个导电字线带和该多个介电隔离带沿垂直于第一水平方向的第二水平方向彼此交错，并且绝缘层中的每个绝缘层沿第二水平方向连续地延伸，并且在沿竖直方向的平面视图中在存储器阵列区内与复合层内的每个导电带和每个介电隔离带具有面积重叠；存储器开...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括阶梯区，在所述阶梯区中，所述交替堆叠包括阶梯式表面，并且所述复合层沿所述第一水平方向的横向范围随着距衬底的竖直距离而减小。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中：
4.根据权利要求2所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述后向阶梯式介电材料部分接触所述交替堆叠内的所述导电字线带中的每个导电字线带和所述介电隔离带中的每个介电隔离带。
6.根据权利要求1所述的半导体结
<...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括阶梯区，在所述阶梯区中，所述交替堆叠包括阶梯式表面，并且所述复合层沿所述第一水平方向的横向范围随着距衬底的竖直距离而减小。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中：
4.根据权利要求2所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述后向阶梯式介电材料部分接触所述交替堆叠内的所述导电字线带中的每个导电字线带和所述介电隔离带中的每个介电隔离带。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
7.根据权利要求6所述的半导体结构，所述半导体结构还包括接触所述竖直半导体沟道的端部部分的源极层，其中所述交替堆叠位于所述源极层与所述逻辑管芯之间。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述复合层中的每个复合层中的相应多个导电字线带中的每个导电字线带和所述多个介电隔离带中的每个介电隔离带包括位于与所述第一水平方向垂直的同一竖直平面内的相应侧壁区段。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述介电隔离带中的每个介电隔离带包括大致沿所述第一水平方向延伸并且...
【专利技术属性】
技术研发人员：岩井高崎，猪股隆，前仓隆之，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。