【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储器，特别是涉及一种自整流隧道结器件的制造方法。
技术介绍
1、磁随机存储器(magnetic random access memory，mram)具有高速、非易失、与互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)工艺兼容等特点，在存储领域具有重要应用前景。其中，磁性隧道结(magnetic tunnel junction，mtj)时mram的基本存储元件，钉扎层和自由层的极性状态决定了mtj阻值的大小，两者相一致为低阻态，不一致时为高阻态。mram的存储能力与mtj的集成密度有关，因此人们为了提高mram的存储能力开始对mtj的结构进行研究。
2、传统mram存储阵列中的存储单元由一晶体管和一隧道结串联组成，但mtj的写入电流较大，且是一种双极性器件，从而使mtj串联的晶体管尺寸很大，进而导致整体存储密度较小。现有技术则是通过外加磁场，将具有单极性的隧道结器件与二极管串联组成mram中的存储单元。如此一来，既引入了外加磁场，不利于芯片的实际使用，...
【技术保护点】
1.一种自整流隧道结器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供薄膜结构，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻所述薄膜结构至所述耦合层上方，得到隧道结结构之前，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述蚀刻所述隧道结结构至所述衬底层上方，得到底电极蚀刻结构之前，还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述蚀刻所述隧道结结构至所述衬底层上方，得到底电极蚀刻结构之前，还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种自整流隧道结器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供薄膜结构，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻所述薄膜结构至所述耦合层上方，得到隧道结结构之前，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述蚀刻所述隧道结结构至所述衬底层上方，得到底电极蚀刻结构之前，还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述蚀刻所述隧道结结构至所述衬底层上方，得到底电极蚀刻结构之前，还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔岩，李彬鸿，徐勇，王云，叶甜春，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：
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