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一种半导体结构包括绝缘层和复合层的交替堆叠。该复合层中的每个复合层包括沿第一水平方向横向延伸的多个导电字线带以及沿该第一水平方向横向延伸并且与该多个导电字线带交错的多个介电隔离带。存储器开口行沿第一水平方向进行布置。每个存储器开口行竖直延伸...
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