三维存储器及其制备方法技术

本申请公开了一种三维存储器及其制备方法，三维存储器包括：堆叠层；源极，穿过所述堆叠层；所述源极包括第一多晶硅层和第二多晶硅层；所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的P掺杂浓度不同。本申请在ACS形成工艺中，有效地解决了源极内形成缝隙的问题，从而较好地满足后续工艺的要求，极大地提升了结构可靠性。而且，本申请还通过掺杂不同浓度的P的方式来有效地调整晶圆翘曲度，以使得晶圆翘曲度符合相应的工艺规范标准，从而较好地满足后续键合工艺的要求。艺的要求。艺的要求。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制备方法
[0001]本申请为申请日为2020年03月19日、申请号为202010196152.9、申请名称为“三维存储器及其制备方法”的中国专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本申请涉及一种三维存储器及其制备方法，尤其涉及ACS(Array Common Source，源极共阵列，作为MOS管的源极端)形成工艺。

技术介绍

[0003]作为克服二维存储器极限的替代，三维存储器被提出。三维存储器，需要具有可以获得更低制造成本的工艺，并且能够得到可靠的器件结构。
[0004]其中，三维闪存存储器是比较重要的非易失性存储器，其一个常用的架构就是三维NAND闪存架构。在三维NAND闪存架构中，多个源极构成ACS。
[0005]目前，ACS形成工艺一般采用一步成型工艺，即往源极隔槽内一次性沉积导体。但是，参考图4所示，由于一步成型工艺的局限性，源极内的多处会形成缝隙，导致无法满足后续工艺的要求，降低结构可靠性。
[0006]而且，晶圆在制造过程中以及后续在晶圆表面制作电子元器件的过程中，都可能使晶圆的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：堆叠层；源极，穿过所述堆叠层；所述源极包括第一多晶硅层和第二多晶硅层；所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的P掺杂浓度不同。2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括：衬底；所述堆叠层位于所述衬底上；所述源极穿过所述堆叠层延伸至所述衬底。3.如权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层中的至少一层包括P掺杂多晶硅。4.如权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述第一多晶硅层包括P掺杂多晶硅，所述第二多晶硅层包括纯多晶硅；或，所述第一多晶硅层包括纯多晶硅，所述第二多晶硅层包括P掺杂多晶硅。5.如权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层均包括P掺杂多晶硅。6.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第二多晶硅层位于所述第一多晶硅层上。7.如权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述第二多晶硅层位于所述第一多晶硅层上，包括：所述第二多晶硅层与所述第一多晶硅层接触，并位于所述第一多晶硅层上。8.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述源极内的所述第二多晶硅层的形状为上宽下窄。9.如权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，靠近所述衬底的所述第二多晶硅层沿平行于所述衬底的延伸方向的尺寸，小于远离所述衬底的所述第二多晶硅层沿平行于所述衬底的延伸方向的尺寸。10.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成堆叠层；在所述堆叠层中形成穿过所述堆叠层的源极隔槽；在所述源极隔槽内沉积第一多晶硅层和第二多晶硅层；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：严龙翔，杨川，彭爽爽，刘思敏，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：