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本申请公开了一种三维存储器及其制备方法，三维存储器包括：堆叠层；源极，穿过所述堆叠层；所述源极包括第一多晶硅层和第二多晶硅层；所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的P掺杂浓度不同。本申请在ACS形成工艺中，有效地解决了源极内形成缝隙的问题，从...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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