互补金属氧化物半导体图像传感器的像素制造技术

提供了一种互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）图像传感器的单元像素，其包括光电转换元件、转移晶体管、升压电容器和信号转移电路，其中，光电转换元件基于入射光产生电荷，转移晶体管响应转移控制信号将电荷转移到浮动扩散结点，升压电容器被放置在转移晶体管的栅极和浮动扩散结点之间，并且信号转移电路响应选择信号来转移浮动扩散结点的电势，并且浮动扩散结点的电势的动态范围可以加宽，转移晶体管的漏极－源极电压差可以增加，从而电荷转移效率可以提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及图像传感器，尤其涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。
技术介绍
图像传感器是一种将照片图像转换为电信号的半导体模块。图像传感器通常被广泛用于数码相机、具有内置相机的蜂窝电话、可视系统等中。在市场上通常有两种类型的图像传感器。一种是电荷耦合器件(CCD)型图像传感器，另一种是互补金属氧化物半导体(CMOS)型图像传感器。CMOS型图像传感器与CCD型图像传感器相比具有较差的噪声特性和图像质量。然而，CCD型图像传感器与CMOS型图像传感器相比在生产成本和能量消耗上存在缺点。CMOS型图像传感器可以通过传统的半导体制造工艺来制造并且可以与信号放大或信号处理的外围系统集成。另外，CMOS型图像传感器与CCD型图像传感器相比在处理速度和能量消耗上具有优点。然而，CMOS型图像传感器与CCD型图像传感器相比在噪声、图像质量、低信燥比(SNR)和有限的动态信号范围上存在缺点。传统的CMOS图像传感器具有三种结构，例如，1-晶体管结构、3-晶体管结构和4-晶体管结构。在这三种CMOS图像传感器结构中，4-晶体管结构的应用最广泛。4-晶体管结构CMOS图像传感器的单元像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）图像传感器的单元像素，包括：光电转换元件，其被配置成基于入射光产生电荷；转移晶体管，其被配置成响应转移控制信号，将光电转换元件中聚集的电荷转移到浮动扩散结点；放置在转移晶体管的栅极和浮动扩散结点之间的升压电容器；和信号转移电路，其被配置成响应选择信号来转移浮动扩散结点的电势。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金利泰，金永灿，孔海庆，崔成浩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]