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互补金属氧化物半导体图像传感器的像素制造技术
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文档序号:3597715
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提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的单元像素,其包括光电转换元件、转移晶体管、升压电容器和信号转移电路,其中,光电转换元件基于入射光产生电荷,转移晶体管响应转移控制信号将电荷转移到浮动扩散结点,升压电容器被放置在转移晶体管...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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