固体摄像器件制造技术

技术编号:3590919 阅读:111 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种固体摄像器件,具备以矩阵状配置在半导体基板(1)上并分别具有光电二极管的多个感光单元、和具有多个晶体管并用来驱动多个感光单元的周边驱动电路。作为多个晶体管具备将被传递与由光电二极管生成的信号电荷对应的信号电位并保持该信号电位的第1扩散层(2)作为源极或漏极的第1晶体管、和将不被传递信号电荷的第2扩散层作为源极或漏极的第2晶体管。在第1晶体管的第1扩散层的表面形成的金属硅化物层(4)的端缘与栅电极(6)的端缘之间的边缘间隔(D1),比在第2晶体管的第2扩散层的表面形成的金属硅化物层的端缘与栅电极的端缘之间的边缘间隔大。能够抑制周边驱动电路的晶体管的漏泄电流、以高精度保持已摄像的图像信息。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种固体摄像器件,具备:多个感光单元,以矩阵状配置在半导体基板上,分别具有光电二极管;周边驱动电路,具有形成在上述半导体基板上的多个晶体管,并构成为驱动上述多个感光单元;作为上述多个晶体管具备:第1晶体管,将被传递与由上述光电二极管生成的信号电荷对应的信号电位并保持该信号电位的第1扩散层作为源极或漏极;及第2晶体管,将不被传递上述信号电位的第2扩散层作为源极或漏极;其特征在于,在上述第1晶体管的上述第1扩散层的表面形成的金属硅化物层的端缘与栅电极的端缘之间的距离即第1边缘间隔,比在上述第2晶体管的上述第2扩散层的表面形成的金属硅化物层的端缘与栅电极的端缘之间的距离即第2边缘间隔大。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:内田干也三室研越智元隆
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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