【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及固态成像器件和包括固态成像器件的电子装置。技术背景已知固态成像器件中以二维矩阵排列的多个像素中的每个包括具有光电二极管(photodiode )的光电转换部分。已知CMOS (互补金属氧化物半导体)固态成像器件是这样的固态成像 器件之一。CMOS固态成像器件包括具有MOS (金属氧化物半导体)晶体固态成像器件通过CMOS工艺制造。CMOS固态成像器件具有许多优点, 例如以低功耗在低电压下驱动,与周边电路集成为一个芯片,以及开始被安 装到电子装置例如便携式电子装置。附图1为示出根据相关技术的固态成像器件的布置的图。如图1所示,根据相关技术的固态成像器件101包括像素阵列102, 其中多个像素101a以二维矩阵布置;垂直驱动电路103;列信号处理电路 104;水平驱动电路105;水平信号线106;输出电路107;以及控制电路108。在固态成像器件101中,像素阵列102包括以二维矩阵布置的多个像素 101a,其中为图1中在横向方向(左右方向)上的各像素行提供行控制线, 且为图1中在纵向方向(上下方向)上的各像素列提供垂直信号线109。在具有上述布置 ...
【技术保护点】
一种固态成像器件,包括:成像区,包括以二维矩阵排列的多个像素,每个像素包括具有第一导电类型的电荷积累区的光电二极管、以及用于读取在该光电二极管处获得的电荷的晶体管;以及独立的第一导电类型区,至少设置到所述多个像素的一部分且与所述光电二极管和所述晶体管隔离,其中在相邻像素之间连续地且在每个像素内非均匀地设置所述独立的第一导电类型区。
【技术特征摘要】
JP 2006-10-5 274213/061、一种固态成像器件,包括成像区,包括以二维矩阵排列的多个像素,每个像素包括具有第一导电类型的电荷积累区的光电二极管、以及用于读取在该光电二极管处获得的电荷的晶体管;以及独立的第一导电类型区,至少设置到所述多个像素的一部分且与所述光电二极管和所述晶体管隔离,其中在相邻像素之间连续地且在每个像素内非均匀地设置所述独立的第一导电类型区。2、 根据权利要求1的固态成像器件,其中所述独立的第一导电类型区形成为在与所述二维平面垂直的深度方向 上具有与所述光电二极管不同的位置的区域。3、 根据权利要求1的固态成像器件,其中所述独立的第一导电类型区形成为在与所述二维平面垂直的深度方向 上具有与所述光电...
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