一种发光二极管及显示设备制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管及显示设备。本实用新型专利技术提供的发光二极管包括透光层，透光层的一侧依次设置有第一半导体层，有源层、第二半导体层和第一电极，第一半导体层靠近第二半导体层的一侧设置有与第一电极间隔的第二电极；第一半导体层和第二电极之间夹设有填平层使第一电极和第二电极到透光层距离相当。本实用新型专利技术还提供一种显示设备。解决发光二极管因电极高低差发光均匀性较差的技术问题。均匀性较差的技术问题。均匀性较差的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及显示设备


[0001]本技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管及显示设备。

技术介绍

[0002]随着人类社会的不断发展，能源的消耗越来越大，全球范围的能源短缺已成为了大家的共识。而半导体发光二极管所具有的高耐久性、寿命长、轻巧、低耗电、响应速度快等优点，使其广泛应用于各类光显示、交通信号、照明等光源。
[0003]现有技术中发光二极管用于显示背光应用，发光二极管的两个电极与线路板连接，但由于二极管内部电极之间存在距离差，多个发光二极管与线路板连接后，半导体发光元件发出的光线因为电极距离差导致其发光方向不一致，从而使得发光均匀性差，直接导致发光二极管在背光显示中出现明暗点阵，严重影响用户的使用体验。

技术实现思路

[0004]为解决发光二极管因电极高低差发光均匀性较差的技术问题，本技术提供了一种发光二极管及显示设备。
[0005]本技术解决技术问题的方案是提供一种发光二极管，所述发光二极管包括透光层，所述透光层的一侧依次设置有第一半导体层，有源层、第二半导体层和第一电极，所述第一半导体层靠近所述第二半导体层的一侧设置有与第一电极间隔的第二电极；
[0006]所述第一半导体层和所述第二电极之间夹设有填平层使第一电极和第二电极到透光层距离相当。
[0007]优选地，所述填平层的厚度范围为5
‑
10微米。
[0008]优选地，所述发光二极管包括绝缘保护层，所述绝缘保护层包括第一保护层和第二保护层，所述第一保护层夹设于所述第二半导体层和所述第一电极之间，所述第二保护层夹设于所述第一半导体和所述填平层之间。
[0009]优选地，所述第一保护层上开设有贯穿第一保护层的第一导流通道，所述第一导流通道内设置有电性连通第一电极和第二半导体层的第一导流件；所述第二保护层上开设有贯穿第二保护层的第二导流通道，所述第二导流通道内设置有电性连通第二电极和填平层的第二导流件。
[0010]优选地，所述绝缘保护层包括设于所述填平层与所述第二半导体层之间的第三保护层。
[0011]优选地，所述发光二极管包括用于导电的接垫层，所述接垫层包括第一接垫层和第二接垫层，所述第一接垫层夹设于所述第一保护层和所述第一电极之间，所述第二接垫层夹设于所述第二保护层和所述第二电极之间。
[0012]优选地，所述填平层为金填平层或铂填平层。
[0013]优选地，所述第一半导体层的厚度为3
‑
8微米，所述第二半导体层的厚度为1
‑
2微米。
[0014]优选地，所述透光层为含有蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氮化铝、砷化镓或氮化镓中的任一种材质的透光层。
[0015]本技术解决技术问题的又一方案是提供一种显示设备，包括若干个排列的如上述的发光二极管和与所述发光二极管连接的线路板。
[0016]与现有技术相比，本技术提供的一种发光二极管及显示设备，具有以下优点：
[0017]1.本技术实施例提供的一种发光二极管，发光二极管包括透光层，透光层的一侧依次设置有第一半导体层，有源层、第二半导体层和第一电极，第一半导体层靠近第二半导体层的一侧设置有与第一电极间隔的第二电极；第一半导体层和第二电极之间夹设有填平层使第一电极和第二电极到透光层距离相当。现有的发光二极管半导体倒装结构中两个电极之间存在距离差，当电流驱动发光二极管的有源层，进行发光时，往往因为电极的距离差造成发出的光方向不一致，使得显示设备出现明暗不一的现象。本实施例中有源层可以是用于限制电子空穴移动的多重量子阱，借由增加电子空穴碰撞机率，因而增加电子空穴结合率与发光效率。另外本实施例通过设置填平层对第二电极进行垫高，消除了第一接触面和第二接触面之间形成的距离差，使得第一电极和第二电极接收电流激发有源层的距离一致，从而有效的解决了发光二极管出光不一致的技术问题。
[0018]2.本技术实施例的填平层的厚度范围为 5
‑
10微米。通过对填平层的厚度进行设定，使得距离差被消除，半导体元件发出光无角度偏差，一致性好。
[0019]3.本技术实施例的发光二极管包括绝缘保护层，绝缘保护层包括第一保护层和第二保护层，第一保护层夹设于第二半导体层和第一电极之间，第二保护层夹设于第一半导体层和填平层之间。绝缘保护层可以对有源层发出的光进行反射，同时绝缘保护层可以对半导体层进行保护，防止导电材料泄漏至电连通的第一半导体层和第二半导体层，减少发光二极管的短路异常。
[0020]4.本技术实施例的第一保护层上开设有贯穿第一保护层的第一导流通道，第一导流通道内设置有电性连通第一电极和第二半导体层的第一导流件；第二保护层上开设有贯穿第二保护层的第二导流通道，第二导流通道内设置有电性连通第二电极和填平层的第二导流件。通过设置第二导流件，实现了第二电极接收的电流通过第二导流通道传递至第一半导体层上。
[0021]5.本技术实施例的绝缘保护层包括设于填平层与第二半导体层之间的第三保护层，第三保护层用于阻隔电流。第一半导体层和第二半导体层上的导电材料泄漏连通会造成发光二极管短路，通过设置第三保护层，阻隔了第一半导体层和第二半导体层进行连通。
[0022]6.本技术实施例的发光二极管包括用于导电的接垫层，接垫层包括第一接垫层和第二接垫层，第一接垫层夹设于第一保护层和第一电极之间，第二接垫层夹设于第二保护层和第二电极之间。第一接垫层可将第一电极的电流传递至第一导流通道处，第二接垫层可将第二电极的电流传递至第二导流通道处，同时，第一接垫层使得第一电极和第一保护层的连接更为紧密，第二接垫层使得第二电极和填平层的连接更为紧密。
[0023]7.本技术实施例的填平层为金填平层或铂填平层。金可以作为导体使用，并且金的防腐蚀性能好。
[0024]8.本技术实施例的第一半导体层的厚度为3
‑
8微米，第二半导体层的厚度为
1
‑
3微米。有源层的厚度为0.2
‑
1微米，整个半导体层的厚度为4
‑
10微米，若最后形成的半导体层厚度达10 微米以上，这样厚的半导体层对整个半导体发光元件的制作是非常不利的。一是过厚的半导体层会在半导体材料的形成过程中产生应力，使半导体层处于应力状态而发生翘曲，翘曲现象会使得半导体层的加热温度不均匀，从而导致生长的半导体层材料均匀性变差，使得生产出的发光二极管产品的良率大大受到限制。因此通过对第一半导体层和第二半导体层厚度进行设定，使得外延出的半导体层形成地更为均匀。而第二半导体层的优选厚度为1
‑
1.5微米，因为第二半导体层优选的材料为砷化镓，砷化镓对光的吸收能力强，因此厚度较薄的第二半导体层对光的吸收能力较弱，使得发出的光不会因为砷化镓的吸收而衰减。
[0025]9.本技术实施例的透光层为含有蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氮化铝、砷化镓本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括透光层，所述透光层的一侧依次设置有第一半导体层，有源层、第二半导体层和第一电极，所述第一半导体层靠近所述第二半导体层的一侧设置有与第一电极间隔的第二电极；所述第一半导体层和所述第二电极之间夹设有填平层使第一电极和第二电极到透光层距离相当。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述填平层的厚度范围为5
‑
10微米。3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括绝缘保护层，所述绝缘保护层包括第一保护层和第二保护层，所述第一保护层夹设于所述第二半导体层和所述第一电极之间，所述第二保护层夹设于所述第一半导体层和所述填平层之间。4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述第一保护层上开设有贯穿第一保护层的第一导流通道，所述第一导流通道内设置有电性连通第一电极和第二半导体层的第一导流件；所述第二保护层上开设有贯穿第二保护层的第二导流通道，所述第二导流通道内设置有电性连通第二电极和填平层的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱长波，陈永铭，
申请(专利权)人：广州市鸿利显示电子有限公司，
类型：新型
国别省市：