【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led模组，具体涉及一种mini cob修复方法。
技术介绍
1、随着led显示屏技术创新与发展，单位面积分辨率高的小间距led显示屏模组已经成为led显示屏的主流产品，它可以显示更高清晰度的图形图像和视频，也可以显示更多的视频和图像画面，尤其是在图像拼接方面的运用，可以做到任意大面积拼接。
2、当前所有led显示屏的制作过程中，存在着固晶、封装、老化等多种工艺流程。在这些工艺流程中，均容易发生死灯现象。目前cob模块通常用胶水压膜进行封装，经过压膜后的模块在后续工序或在客户端处容易出现死灯、暗灯等电性能不良问题，返修后模块表面不一致，无法与其他模块并片组屏，且在mini-led cob模块上，单块模块的芯片颗粒数多，死灯出现概率大。
3、在中国申请号为202110056851.8，公布日为2021.5.18的专利文献公开了一种精准提供胶水量的led cob模块的修复方法，获取cob模块的损坏部；去除cob模块上损坏部处对应的led芯片及其封装结构，形成待补部；对待补部进行补晶处理；获取经过补晶处理后的待补部内部空腔容积，确定点入至待补部内所需的胶水量；根据确定的胶水量将胶水点入至待补部内对待补部处的缺口进行修复。
4、该修复方法进行补晶时，在待补部处点入锡膏，通过融化锡膏进行焊锡；同时需要添加助焊膏作为焊料，而在锡膏的加热过程中，助焊膏会快速气化，导致锡膏锡珠发生飞溅；从而会出现锡珠桥连导致短路异常；同时在点入锡膏时，锡膏滴落基板上形成球状结构，球状锡膏的端部与中心的锡量不同，
技术实现思路
1、本专利技术提供一种mini cob修复方法，焊接时能避免助焊剂气化导致锡膏锡珠发生飞溅的情况发生；降低焊接过程中出现短路的风险。
2、为达到上述目的，本专利技术的技术方案是：一种mini cob修复方法，包括以下步骤：
3、s1、获取基板上已损坏芯片的位置。
4、s2、去除已损坏芯片，形成待修复部。
5、s3、在待修复部上设置助焊剂，然后放入银锡电极芯片；然后对银锡电极芯片进行固晶，所述银锡电极芯片包括led芯片和银电极，且银电极底部设置有锡层，根据锡层的含量确定待修复部上助焊剂的剂量。
6、s4、对银锡电极芯片与待修复部进行焊接。
7、以上方法，设置助焊剂，通过助焊剂中的还原剂去除基板上的氧化层，提升银锡电极芯片与基板连接的紧密性，同时通过添加助焊剂，提升焊接效果，通过银锡电极芯片自带的锡层进行焊接，不会出现采用金电极芯片与锡膏焊接时，金电极芯片的金层与锡膏反应，消耗锡膏，导致锡膏与基板的连接强度较弱的情况。银锡电极芯片自带的锡层基板充分接触，银锡电极芯片与基板的焊接推拉力大。
8、由于银锡电极芯片自带锡层，进而在进行焊接时无需额外设置锡膏，避免焊接过程中助焊剂气化导致锡膏锡珠发生飞溅的情况发生。同时银锡电极芯片上锡层的含量是预设的，不同银锡电极芯片上锡层的含量差值小，不会出现采用锡膏焊接时，锡膏的滴落大小不同，需要多次调节助焊剂含量的情况。
9、银锡电极芯片上锡层的水平度高，银锡电极芯片与基板贴合效果好，银锡电极芯片平整焊接在基板上；同时银锡电极芯片上锡层的含量是预设的，不同银锡电极芯片上锡层的含量差值小，确定一银锡电极芯片所需的助焊剂含量后，可以快速确定其余银锡电极芯片所需的助焊剂含量，不会出现采用锡膏焊接时，锡膏的滴落大小不同，需要多次调节助焊剂含量的情况。
10、进一步的，s1中，获取已损坏芯片的位置，具体为：通过点亮测试机对基板上的led芯片进行点亮测试，基板上正常点亮的led芯片为未损坏芯片，基板上异常点亮或不点亮的led芯片为已损坏芯片，记录已损坏芯片在基板上的位置。
11、以上方法，通过对基板上的led芯片进行点亮测试识别正常点亮的led芯片、异常点亮的led芯片、无法点亮的led芯片；从而确定已损坏芯片在基板的上位置，方法简单。
12、进一步的，s2中，去除已损坏芯片，具体为：去晶机对已损坏芯片进行去晶处理，并对待修复部进行去污处理。以上方法，通过去晶机去除已损坏芯片，方法简单。
13、进一步的，s3中，具体为：将去除已损坏芯片的基板放入固晶机，在待修复部上设置助焊剂，在待修复部放入银锡电极芯片；然后对银锡电极芯片进行固晶。
14、以上方法，通过固晶机对锡电极芯片进行固晶，方法简单。
15、进一步的，助焊剂通过喷胶或雾喷的方式设置在待修复部上。
16、以上方法，实现助焊剂涂覆在待修复部上。
17、进一步的，步骤s3还包括：在led芯片的银电极上通过蒸镀工艺形成锡层，锡层的厚度为10μm。
18、以上设置，既能确保锡层具有足够的锡量也能确保连接的可靠性。
19、进一步的，助焊剂在焊盘上的涂覆面积为50 %的焊盘面积 ~ 100 %的焊盘面积。
20、以上设置，能确保银锡电极芯片能可靠地连接在基板上。
21、进一步的，当锡层的厚度为10μm时，助焊剂在焊盘上的涂覆面积为70 %的焊盘面积。
22、以上设置，既能确保锡层能充分与助焊剂相接触确保连接的可靠性。
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1.一种mini cob修复方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种mini cob修复方法，其特征在于：S1中，获取已损坏芯片的位置，具体为：通过点亮测试机对基板上的LED芯片进行点亮测试，基板上正常点亮的LED芯片为未损坏芯片，基板上异常点亮或不点亮的LED芯片为已损坏芯片，记录已损坏芯片在基板上的位置。
3.根据权利要求1所述的一种mini cob修复方法，其特征在于：S2中，去除已损坏芯片，具体为：去晶机对已损坏芯片进行去晶处理。
4.根据权利要求1所述的一种mini cob修复方法，其特征在于：S3中，具体为：将去除已损坏芯片的基板放入固晶机，在待修复部上设置助焊膏，在待修复部放入银锡电极芯片；然后对银锡电极芯片进行固晶。
5.根据权利要求4所述的一种mini cob修复方法，其特征在于：助焊膏通过点胶或雾喷的方式设置在待修复部上。
6.根据权利要求2所述的一种mini cob修复方法，其特征在于：通过点亮测试机对基板上的LED芯片进行点亮测试，具体为：定正常点亮的LED芯片的亮度阈值，对
7.根据权利要求1所述的一种mini cob修复方法，其特征在于：银锡电极芯片的形成工艺，在芯片的银电极的表面设置锡层。
8. 根据权利要求1所述的一种mini cob修复方法，其特征在于：当锡层的厚度为10μm时，助焊剂在焊盘上的涂覆面积为70 %的焊盘面积。
...【技术特征摘要】
1.一种mini cob修复方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种mini cob修复方法，其特征在于：s1中，获取已损坏芯片的位置，具体为：通过点亮测试机对基板上的led芯片进行点亮测试，基板上正常点亮的led芯片为未损坏芯片，基板上异常点亮或不点亮的led芯片为已损坏芯片，记录已损坏芯片在基板上的位置。
3.根据权利要求1所述的一种mini cob修复方法，其特征在于：s2中，去除已损坏芯片，具体为：去晶机对已损坏芯片进行去晶处理。
4.根据权利要求1所述的一种mini cob修复方法，其特征在于：s3中，具体为：将去除已损坏芯片的基板放入固晶机，在待修复部上设置助焊膏，在待修复部放入银锡电极芯片；然后对银锡电极芯片进行固晶。
5.根据权利要求4所述的一种mini...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊杰，陈小文，桑建，刘传标，
申请(专利权)人：广州市鸿利显示电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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