System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 基于三维光偏折效应的Mini LED芯片检测方法技术_技高网

基于三维光偏折效应的Mini LED芯片检测方法技术

技术编号:40609174 阅读:2 留言:0更新日期:2024-03-12 22:16
本发明专利技术提供了一种基于三维光偏折效应的Mini LED芯片检测方法,S0.预设激光经过Mini LED芯片的正常位置时的折射角度;S1.依据灯板上Mini LED芯片的位置设置折射片组一和折射片组二在导光板上的位置;S2.通过导光板两端的对位卡槽将导光板与灯板进行对位,使灯板上的Mini LED芯片卡入折射片组一与折射片组二的间距内;S3.将导光板和灯板放置于暗室中,然后启动激光发射器发出激光,使激光依次经过激光通道后,最后通过激光接收器接受;S4.分析激光接收器接受得到的激光的折射角度,然后判断出灯板上Mini LED芯片的位置是否发生偏移,能够更快地检测Mini LED芯片的位置,方法可靠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片检测,具体涉及一种基于三维光偏折效应的mini led芯片检验方法。


技术介绍

1、在对mini led进行贴片过程中,通常会采用贴片机对led芯片进行组装,在组装过程中,会通过电机带动负压吸嘴在晶圆以及基板之间做往复运动,将晶圆上的芯片吸附并运输至基板上方,基板上方的触点附近会预先涂抹锡膏,芯片贴附在锡膏外侧进行固定,在芯片贴片时,由于是通过负压吸嘴对芯片进行移动的,难免会出现偏差(如芯片偏移等),这样需要对芯片进行检测,如中国专利申请号为202310587192.x,公布日为2023.08.29,其公开了一种mini or micro led芯片检测方法及系统,包括采集芯片目标显示区域在第一图像驱动信号下的第一图像集;对第一图像集执行第一分析获取画质信息;对第一图像集执行第二分析获取mura补偿值;基于所述mura补偿值完成光学矫正;其中,第一图像驱动信号包括固晶后的点灯检测aoi驱动信号;第一图像集包括亮色度值信息。

2、上述方法,通过拍照获取芯片模组图像集,然后通过aoi检测输出不同的异常信息,接着通过demura光学矫正分析,并通过亮色度计提取亮色度信息后对mura进行提取、修复,但是该过程中需要处理aoi检测的异常信息密度大,这样对于mini芯片检测效率会下降且检测速度慢。


技术实现思路

1、本专利技术目的在于提供一种基于三维光偏折效应的mini芯片检测方法,能够更快地检测mini芯片的位置,方法可靠且检测效率高。

2、为达到上述目的,一种基于三维光偏折效应的mini led芯片检测方法,通过激光检测装置实现检测,激光检测装置包括激光发射器、导光板以及激光接收器,激光接收器与处理器相连;

3、包括以下步骤:

4、s0.预设激光经过mini led芯片的正常位置时的折射角度;

5、s1.依据灯板上mini led芯片的位置设置折射片组一和折射片组二在导光板上的位置,使折射片组一与折射片组二沿着导光板的长度方向错位设置,导光板上设置有两个以上激光通道,每个激光通道上分别设置有一个折射片组一和一个折射片组二,激光通道的数量与mini led芯片的数量相同,折射片组一与折射片组二之间的间距与灯板上的miniled芯片相匹配;

6、s2.通过导光板两端的对位卡槽将导光板与灯板进行对位,使灯板上的mini led芯片卡入折射片组一与折射片组二的间距内;

7、s3.将导光板和灯板放置于黑暗的测试环境中,然后启动激光发射器发出激光,使激光依次经过激光通道以及mini led芯片后,最后通过激光接收器接收从导光板射出的激光;

8、s4.通过处理器分析激光接收器接收得到的激光的折射角度,然后判断出灯板上mini芯片的位置是否发生偏移。

9、以上设置,通过灯板上mini led芯片的位置来设置折射片组一和折射片组二在导光板上的位置,这样那个确保折射片组一与折射片组二之间的间距与灯板上的mini led芯片相匹配;通过在导光板两端设置对位卡槽,这样能够准确地将导光板与灯板进行对位,从而使得灯板上的mini led芯片能够准确卡入折射片组一与折射片组二的间距内,这样在激光进入导光板后才能够经过mini led芯片发生折射;而将导光板和灯板放置于暗室中再启动激光发射器发出激光,这样能够避免其他光对激光折射过程产生干扰影响,最后将激光接收器与处理器连接,激光发射器发出的光线通过一激光通道然后经过折射片组一与折射片组二的间距位置,若折射片组一和折射片组二之间设置有mini led芯片,则mini led芯片对激光进行折射,然后与预设正常折射角度之后的光线进行比对确定mini led芯片是否发生偏移,这种测试方法简单,且只需要判断出射光线是否异常从而使得检测效率高。

10、进一步的,步骤s4包括:

11、s4.1若激光接收器接收得到的激光折射角度与预设激光经过mini led芯片的正常位置时的折射角度匹配,则判断出mini led芯片在灯板上的位置没有发生偏移;

12、s4.2若激光接收器接收得到的激光折射角度与预设激光经过mini led芯片的正常位置时的折射角度不匹配,则判断出mini led芯片在灯板上的位置已经发生偏移;

13、s4.3若激光接收器接收得到的激光没有折射角度,则判断出灯板上的位置没有mini led芯片。

14、以上方法,根据不同的情况,可以分别确定是否有芯片,并且能方便确定芯片是否放正确。

15、进一步的,所述激光发射器设置在导光板的一侧,所述激光接收器设置在导光板的另一侧,所述导光板包括从上到下依次设置上遮光层、上导光层、中遮光层、下导光层以及下遮光层,所述上导光层上设有两个以上且间隔设置的折射片组一,下导光层上设置有两个以上且间隔设置的折射片组二。

16、以上设置,通过将激光发射器设置在导光板的一侧,同时将激光接收器设置在导光板的另一侧,这样在将导光板和灯板放置在黑暗室内后,便能够使激光发射器发射激光通过导光板,最后被激光接收器接收;通过将折射片组一间隔设置在上导光层,同时将折射片组二间隔设置在下导光层,能够通过射片组一改变激光的传播路线并经过mini led芯片折射,使得折射后的激光再经过折射片组二改变传播路线从下导光层射出,而上遮光层、中遮光层以及下遮光层分别对上导光层以及下导光层上的除了激光通道上的光线进行遮挡,放置激光通道上的激光对上下导光成的影响。

17、进一步的,所述折射片组一的一端固定在上导光层上,折射片组一的另一端向下延伸并依次贯穿中遮光层、下导光层以及下遮光层凸出设置。

18、以上设置,能够通过折射片组一改变激光进入上导光层后的传播路线,且折射片组一能延伸到miniled芯片的一侧。

19、进一步的,所述折射片组二的一端固定在下导光层上,折射片组二的另一端向下延伸并贯穿下遮光层凸出设置。

20、以上设置,能够通过折射片组二改变折射后的激光传播路线进入下导光层并从下导光层射出。

21、进一步的,所述折射片组一包括盒体一和至少两个的折射镜片一,折射镜片一设置在盒体一的两侧且与盒体一两侧的折射镜片一相对设置,盒体一两侧且与折射镜片一设置有开口一,折射镜片一与盒体一的竖直方向之间的夹角角度设置为45°~60°。

22、以上设置,便于激光进入上导光层后,进而穿过盒体一一端的开口一射在折射镜片一上改变激光的传播路线,然后穿过盒体一另一端的开口一射在miniled芯片上。

23、进一步的,所述折射片组二包括盒体二和至少两个的折射镜片二,折射镜片二设置在盒体二的两侧且盒体二两侧的折射镜片二相对设置,盒体二两侧且与折射镜片二设置有开口二,折射镜片二与盒体二的竖直方向之间的夹角角度设置为45°~60°。

24、以上设置,便于经过miniled芯片的折射后的激光穿过盒体二一端的开口二射在折射镜片二上改变激光的传播本文档来自技高网...

【技术保护点】

1. 基于三维光偏折效应的Mini LED芯片检测方法,其特征在于:

2.根据权利要求1所述的基于三维光偏折效应的Mini LED芯片检测方法,其特征在于:步骤S4包括:S4.1若激光接收器接收得到的激光折射角度与预设激光经过Mini LED芯片的正常位置时的折射角度匹配,则判断出Mini LED芯片在灯板上的位置没有发生偏移;

3.根据权利要求1所述的基于三维光偏折效应的Mini LED芯片检测方法,其特征在于:所述激光发射器设置在导光板的一侧,所述激光接收器设置在导光板的另一侧,所述导光板包括从上到下依次设置上遮光层、上导光层、中遮光层、下导光层以及下遮光层,所述上导光层上设有两个以上且间隔设置的折射片组一,下导光层上设置有两个以上且间隔设置的折射片组二。

4.根据权利要求3所述的基于三维光偏折效应的Mini LED芯片检测方法,其特征在于:所述折射片组一的一端固定在上导光层上,折射片组一的另一端向下延伸并依次贯穿中遮光层、下导光层以及下遮光层凸出设置。

5.根据权利要求3所述的基于三维光偏折效应的Mini LED芯片检测方法,其特征在于:所述折射片组二的一端固定在下导光层上,折射片组二的另一端向下延伸并贯穿下遮光层凸出设置。

6.根据权利要求3所述的基于三维光偏折效应的Mini LED芯片检测方法,其特征在于:所述折射片组一包括盒体一和至少两个的折射镜片一,折射镜片一设置在盒体一的两侧且与盒体一两侧的折射镜片一相对设置,盒体一两侧且与折射镜片一设置有开口一,折射镜片一与盒体一的竖直方向之间的夹角角度设置为45°~60°。

7.根据权利要求3所述的基于三维光偏折效应的Mini LED芯片检测方法,其特征在于:所述折射片组二包括盒体二和至少两个的折射镜片二,折射镜片二设置在盒体二的两侧且盒体二两侧的折射镜片二相对设置,盒体二两侧且与折射镜片二设置有开口二,折射镜片二与盒体二的竖直方向之间的夹角角度设置为45°~60°。

8.根据权利要求3所述的基于三维光偏折效应的Mini LED芯片检测方法,其特征在于:所述下遮光层的两端固定有对位卡槽。

9.根据权利要求1所述的基于三维光偏折效应的Mini LED芯片检测方法,其特征在于:所述激光发射器发射的激光波长设置为720nm ~ 760nm。

10.根据权利要求1所述的基于三维光偏折效应的Mini LED芯片检测方法,其特征在于:激光通道包括设置在上导光板上的第一导光槽、设置在下导光板上的第二导光槽,第一导光槽的一端与激光发射器对应设置,第二导光槽的另一端固定有折射片组一的一端,第二导光槽的一端固定有折射片组二的一端,第二导光槽的另一端与激光接收器对应设置。

...

【技术特征摘要】

1. 基于三维光偏折效应的mini led芯片检测方法,其特征在于:

2.根据权利要求1所述的基于三维光偏折效应的mini led芯片检测方法,其特征在于:步骤s4包括:s4.1若激光接收器接收得到的激光折射角度与预设激光经过mini led芯片的正常位置时的折射角度匹配,则判断出mini led芯片在灯板上的位置没有发生偏移;

3.根据权利要求1所述的基于三维光偏折效应的mini led芯片检测方法,其特征在于:所述激光发射器设置在导光板的一侧,所述激光接收器设置在导光板的另一侧,所述导光板包括从上到下依次设置上遮光层、上导光层、中遮光层、下导光层以及下遮光层,所述上导光层上设有两个以上且间隔设置的折射片组一,下导光层上设置有两个以上且间隔设置的折射片组二。

4.根据权利要求3所述的基于三维光偏折效应的mini led芯片检测方法,其特征在于:所述折射片组一的一端固定在上导光层上,折射片组一的另一端向下延伸并依次贯穿中遮光层、下导光层以及下遮光层凸出设置。

5.根据权利要求3所述的基于三维光偏折效应的mini led芯片检测方法,其特征在于:所述折射片组二的一端固定在下导光层上,折射片组二的另一端向下延伸并贯穿下遮光层凸出设置。

6.根据权利要求3所述的基于三维光偏折效应的mini led芯片检测...

【专利技术属性】
技术研发人员:满乾才马飞飞桑建刘传标
申请(专利权)人:广州市鸿利显示电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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