三维存储器及其制作方法、存储器系统技术方案

本公开实施例公开了一种三维存储器的制作方法，包括：提供半导体层；半导体层包括沿第一方向排布的第一区域、第二区域、第三区域；第一方向垂直于第二方向，第二方向为半导体层的厚度方向；在半导体层上形成包括绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠结构；形成贯穿堆叠结构且从第一区域上的堆叠结构延伸至第三区域上的堆叠结构的栅缝隙；第二区域上的栅缝隙在第三方向的尺寸大于第一区域以及第三区域上的栅缝隙在第三方向的尺寸，第三方向与第一方向以及第二方向均垂直；在栅缝隙中填充牺牲材料，形成牺牲结构；去除第二区域上的牺牲材料，形成第一凹槽；在第一凹槽中填充第一材料层；分别去除第一区域上的牺牲材料以及第三区域上的牺牲材料。牺牲材料。牺牲材料。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制作方法、存储器系统


[0001]本公开涉及半导体
，具体地，涉及一种三维存储器及其制作方法、存储器系统。

技术介绍

[0002]三维存储器是一种新兴的闪存类型，三维存储器器件通过垂直堆叠多层数据存储单元来解决二维或者平面闪存带来的限制。三维存储器器件具备卓越的精度，支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，成本低，功耗低，能全面满足众多需求。然而，三维存储器还面临诸多的挑战。

技术实现思路

[0003][0004]本公开实施例提出一种三维存储器及其制作方法、存储器系统。
[0005]根据本公开的一个方面，提供了一种三维存储器的制作方法，包括：
[0006]提供半导体层；所述半导体层包括沿第一方向排布的第一区域、第二区域、第三区域；所述第一方向垂直于第二方向，所述第二方向为所述半导体层的厚度方向；
[0007]在所述半导体层上形成包括绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠结构；
[0008]形成贯穿所述堆叠结构且从所述第一区域上的堆叠结构延伸至所述第三区域上的堆叠结构的栅缝隙；所述第二区域上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体层；所述半导体层包括沿第一方向排布的第一区域、第二区域、第三区域；所述第一方向垂直于第二方向，所述第二方向为所述半导体层的厚度方向；在所述半导体层上形成包括绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠结构；形成贯穿所述堆叠结构且从所述第一区域上的堆叠结构延伸至所述第三区域上的堆叠结构的栅缝隙；所述第二区域上的栅缝隙在第三方向的尺寸大于所述第一区域以及第三区域上的栅缝隙在所述第三方向的尺寸，所述第三方向与所述第一方向以及第二方向均垂直；在所述栅缝隙中填充牺牲材料，形成牺牲结构；去除所述第二区域上的牺牲材料，形成第一凹槽；在所述第一凹槽中填充第一材料层；分别去除所述第一区域上的牺牲材料以及所述第三区域上的牺牲材料。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲材料的材质与所述第一材料层的材质不同。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一材料层包括第一子材料层和第二子材料层，所述第一子材料层包围所述第二子材料层，且所述第一子材料层和所述第二子材料层的材质相同或不同。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一子材料层的材质包括氮化硅，所述第二子材料层的材质包括氧化硅；或，所述第一子材料层的材质包括氧化硅，所述第二子材料层的材质包括氮化硅；所述方法还包括：在分别去除所述第一区域上的牺牲材料以及所述第三区域上的牺牲材料之后，分别在所述第一区域以及所述第三区域上的栅缝隙中均填充绝缘材料，形成从所述第一区域上的堆叠结构延伸至所述第三区域上的堆叠结构的栅极隔离结构。5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一材料层的材质包括碳；所述方法还包括：在分别去除所述第一区域上的牺牲材料以及所述第三区域上的牺牲材料之后，去除所述第一凹槽中的碳；在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域上的栅缝隙中填充绝缘材料，形成从所述第一区域上的堆叠结构延伸至所述第三区域上的堆叠结构的栅极隔离结构。6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一区域上的栅缝隙在所述第三方向的尺寸与所述第三区域上的栅缝隙在所述第三方向的尺寸相等，所述第二区域上的栅缝隙在所述第三方向的尺寸与所述第一区域上的栅缝隙在所述第三方向的尺寸的比值范围为：2～5。7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第二区域上的所述牺牲结构中形成有空腔；所述去除第二区域上的牺牲材料，包括：通过湿法刻蚀工艺，从所述空腔去除第二区域上的牺牲材料；在去除所述第二区域上的牺牲材料时，所述第一区域以及所述第三区域上的部分牺牲材料被去除，形成第二凹槽；在所述第一凹槽中填充第一材料层，包括：
在所述第一凹槽以及所述第二凹槽中填充所述第一材料层。8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述第一区域上的堆叠结构中形成沿所述第二方向延伸的多个沟道结构，同时在所述第二区域上的堆叠结构中形成沿所述第二方向延伸的多个虚设沟道结构；在所述第三区域上的堆叠结构中形成沿所述第二方向延伸的多个接触结构。9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述多个接触结构沿所述第二方向的深度不同，不同深度的接触结构连接不同层的牺牲层。10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述栅缝隙包括沿所述第二方向排布的第一栅缝隙、第二栅缝隙、第三栅缝隙，形成堆叠结构以及形成栅缝隙，包括：在所述半导体层上形成第一堆叠结构；形成贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔以及从所述第一区域上延伸至所述第三区域上的第一栅缝隙，并在所述第一沟道孔以及所述第一栅缝隙中均填充第一牺牲材料；在所述第一堆叠结构上形成第二堆叠结构；形成贯穿所述第二堆叠结构的第二沟道孔以及从所述第一区域上延伸至所述第三区域上的第二栅缝隙，并在所述第二沟道孔以及所述第二栅缝隙中均填充第二牺牲材料；在所述第二堆叠结构上形成第三堆叠结构；形成贯穿所述第三堆叠结构的第三沟道孔以及第三栅缝隙的第一部分，并去除所述第二沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贝贝，徐伟，袁彬，许宗珂，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：