【技术实现步骤摘要】
包括具有气隙的坝结构的半导体器件和包括其的电子系统
[0001]本公开的示例实施方式涉及包括坝结构的半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。
技术介绍
[0002]在需要存储数据的电子系统中，需要能够存储大量数据的半导体器件。因此，正在对能够增加半导体器件的数据存储容量的方案进行研究。例如，提出了包括三维排列的存储单元来代替二维排列的存储单元的半导体器件，作为用于增加半导体器件的数据存储容量的方法之一。
技术实现思路
[0003]本公开的示例实施方式提供了能够降低工艺成本同时实现可靠性增强的半导体器件及其制造方法。
[0004]根据本公开的一示例实施方式的一种半导体器件可以包括：包括基板和晶体管的外围电路结构，基板包括单元区和延伸区；在外围电路结构上的半导体层；在单元区中在半导体层上的源极导电层；在延伸区中在半导体层上的连接模层；在源极导电层和连接模层上的支撑导电层；掩埋绝缘层，在延伸区中在外围电路结构上并接触半导体层的侧壁；在支撑导电层上的栅极堆叠结构；在掩埋绝缘层上的模结构；延伸穿过栅极堆叠结构的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：包括基板和晶体管的外围电路结构，所述基板包括单元区和延伸区；在所述外围电路结构上的半导体层；在所述单元区中在所述半导体层上的源极导电层；在所述延伸区中在所述半导体层上的连接模层；在所述源极导电层和所述连接模层上的支撑导电层；掩埋绝缘层，在所述延伸区中在所述外围电路结构上并接触所述半导体层的侧壁；在所述支撑导电层上的栅极堆叠结构；在所述掩埋绝缘层上的模结构；延伸穿过所述栅极堆叠结构的沟道结构和支撑物层；延伸穿过所述模结构和所述掩埋绝缘层的通孔通路(THV)；在所述栅极堆叠结构和所述模结构之间的坝结构；其中所述支撑物层包括上支撑物层和下支撑物层，所述上支撑物层在所述坝结构上；以及延伸穿过所述栅极堆叠结构和所述上支撑物层的字线分隔层，其中所述坝结构包括第一间隔物和在所述第一间隔物的内侧壁上的第二间隔物，所述下支撑物层连接到所述上支撑物层并且在所述第二间隔物的内侧壁的一部分上，以及气隙，具有由所述第二间隔物限定的侧壁和由所述下支撑物层限定的顶端。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述气隙由所述第一间隔物、所述第二间隔物、所述下支撑物层和所述半导体层限定。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述下支撑物层具有形成为倒U形状或倒V形状的底表面，所述底表面包括第一倾斜表面和在顶点处连接到所述第一倾斜表面的第二倾斜表面；以及所述气隙的上部区段的一部分在所述第一倾斜表面和所述第二倾斜表面之间延伸到所述下支撑物层中。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述气隙沿着所述第二间隔物的长度垂直地延伸，所述气隙的所述上部区段的宽度随着所述上部区段向上延伸到所述下支撑物层中而逐渐减小。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述气隙的底端的水平低于所述半导体层的上表面的水平。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一间隔物包括：第一区段，接触所述第二间隔物的外侧壁；以及第二区段，接触所述第二间隔物的下端。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述气隙直接接触所述第二区段的内侧壁。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一间隔物包括氧化物，所述第二间隔物包括氮化物。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述上支撑物层和所述下支撑物层彼此成
一体，并包括相同的材料。10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一上绝缘层和第二上绝缘层，在所述栅极堆叠结构和所述上支撑物层之间并位于所述模结构和所述上支撑物层之间，其中所述第一间隔物、所述第二间隔物和所述下支撑物层延伸穿过所述第一上绝缘层和所述第二上绝缘层。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一间隔物包括接触所述栅极堆叠结构的第一外间隔物，以及接触所述模结构的第一内间隔物；以及所述坝结构还包括互连所述第一外间隔物和所述第一内间隔物的水平层。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述气隙由所述第二间隔物、...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。