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一种半导体器件和包括其的电子系统，该半导体器件包括外围电路结构、半导体层、源极导电层、连接模层、支撑导电层、掩埋绝缘层、栅极堆叠结构、模结构、穿过栅极堆叠结构的沟道结构和支撑物层、穿过模结构和掩埋绝缘层的通孔通路、在栅极堆叠结构和模结构之间...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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