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本公开实施例公开了一种三维存储器的制作方法，包括：提供半导体层；半导体层包括沿第一方向排布的第一区域、第二区域、第三区域；第一方向垂直于第二方向，第二方向为半导体层的厚度方向；在半导体层上形成包括绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠结构；形成贯穿堆...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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