半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备半导体基板。在半导体装置的制造中，优选半导体基板的厚度均匀。所述制造方法包括：研磨步骤，研磨半导体基板的第一面，在半导体基板的外周形成外周剩余区域；以及旋转蚀刻步骤，用药液对半导体基板的第一面进行蚀刻，在半导体基板的比外周剩余区域靠内侧的区域中半导体基板的区域的端部处的厚度大于半导体基板的区域的中央部处的厚度。半导体基板的区域的中央部处的厚度。半导体基板的区域的中央部处的厚度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]以往以来，在半导体基板的加工方法中，已知有“仅对晶片的与器件区对应的背面进行研磨，并在与围绕器件区的外周剩余区域对应的背面的外周形成环状的加强部”的技术(例如，参照专利文献1和专利文献2)。
[0003]专利文献1：日本特开2007
‑
19461号公报
[0004]专利文献2：日本特开2008
‑
60470号公报

技术实现思路

[0005]技术问题
[0006]在半导体装置的制造中，优选使半导体基板的厚度均匀。
[0007]技术方案
[0008]为了解决上述课题，在本专利技术的一个方式中，提供具备半导体基板的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法可以包括研磨步骤。在研磨步骤中，可以对半导体基板的第一面进行研磨，在半导体基板的外周形成外周剩余区域。半导体装置的制造方法可以包括旋转蚀刻步骤。在旋转蚀刻步骤中，可以利用药液对半导体基板的第一面进行蚀刻。在半导体基板的比外周剩余区域靠内侧的区域中，半导体基板的区域的端部处的厚度可以大于半导体基板的区域的中央部处的厚度。
[0009]在研磨步骤之后，半导体基板可以在区域中具有与外周剩余区域接触的倾斜部。倾斜部的倾斜角度可以为1度以下。
[0010]倾斜部的高度可以为20μm以下。倾斜部的高度可以为半导体基板的厚度以下。
[0011]倾斜部的宽度可以为15mm以上。倾斜部的宽度可以为半导体基板的半径的10％以上。半导体基板的直径可以为300mm以上。
[0012]在研磨步骤中，可以通过使磨石的旋转轴相对于半导体基板的半径方向倾斜来研磨半导体基板。
[0013]在研磨步骤中，可以通过使磨石从区域的端部移动到区域的中央部为止来研磨半导体基板。磨石的直径可以大于区域的半径。在研磨步骤中，可以通过使磨石相对于半导体基板的圆周方向倾斜来研磨半导体基板。磨石的直径可以为区域的半径的110％以上且130％以下。
[0014]应予说明，上述
技术实现思路
并未列举出本专利技术的全部特征。另外，这些特征组的子组合也能够成为专利技术。
附图说明
[0015]图1是对半导体装置100的制造方法的一例进行说明的图。
[0016]图2是示出半导体装置100的一例的图。
[0017]图3a是对研磨步骤S101中处于研磨过程中的半导体装置100进行说明的图。
[0018]图3b是对研磨步骤S101中研磨后的半导体装置100进行说明的图。
[0019]图4a是对旋转蚀刻步骤S102中处于处理过程中的半导体装置100进行说明的图。
[0020]图4b是对旋转蚀刻步骤S102中处理后的半导体装置100进行说明的图。
[0021]图5是示出使半导体基板10低速旋转的情况下的半导体基板10的面内的蚀刻量的图。
[0022]图6是示出研磨步骤S101后和旋转蚀刻步骤S102后的半导体基板10的厚度的图。
[0023]图7a是对实施例的研磨步骤S101过程中的半导体装置100进行说明的图。
[0024]图7b是对实施例的研磨步骤S101后的半导体装置100进行说明的图。
[0025]图8a是对旋转蚀刻步骤S102中处于处理过程中的半导体装置100进行说明的图。
[0026]图8b是对旋转蚀刻步骤S102中处理后的半导体装置100进行说明的图。
[0027]图9a是对另一例的研磨步骤S101过程中的半导体装置100进行说明的图。
[0028]图9b是对另一例的研磨步骤S101过程中的半导体装置100进行说明的图。
[0029]图9c是对另一例的研磨步骤S101后的半导体装置100进行说明的图。
[0030]图10是对图9c中的区域A进行详细说明的图。
[0031]图11a是对另一例中的研磨步骤S101过程中的半导体装置100进行说明的图。
[0032]图11b是对另一例中的研磨步骤S101后的半导体装置100进行说明的图。
[0033]图12是对前倾角度θ5进行说明的图。
[0034]符号说明
[0035]10
…
半导体基板、11
…
第一面、12
…
第二面、14
…
中央部、15
…
薄部、16
…
端部、52
…
外周剩余区域、54
…
区域、56
…
倾斜部、58
…
平坦部、62
…
第一部分、64
…
倾斜部、66
…
第二部分、68
…
倾斜部、69
…
倾斜部、100
…
半导体装置、110
…
磨石、112
…
工作台、120
…
装置
具体实施方式
[0036]以下，通过专利技术的实施方式对本专利技术进行说明，但以下的实施方式并不限于权利要求书所涉及的专利技术。另外，在实施方式中说明的特征的组合并非全部都是专利技术的解决手段所必须的。应予说明，在本说明书和附图中，对于实质上具有相同的功能、结构的要素，通过标注相同的符号来省略重复说明，另外，对于与本专利技术没有直接关系的要素省略图示。另外，在一个附图中，有时对具有相同功能、结构的要素代表性地标注符号，对其他要素省略符号。
[0037]在本说明书中，将与半导体基板的深度方向平行的方向上的一侧称为“上”，将另一侧称为“下”。将基板、层或其他部件的2个主面中的一个面称为上表面，将另一个面称为下表面。“上”、“下”的方向并不限于重力方向或安装半导体模块时的方向。
[0038]在本说明书中，有时使用X轴、Y轴和Z轴的正交坐标轴来说明技术事项。正交坐标轴只不过是确定构成要素的相对位置，并不限于特定的方向。例如，Z轴并不限于表示相对于地面的高度方向。应予说明，+Z轴方向和
‑
Z轴方向是相互反向的方向。在未记载正负而记载为Z轴方向的情况下，是指与+Z轴和
‑
Z轴平行的方向。在本说明书中，将与半导体基板的
上表面和下表面平行的正交轴设为X轴和Y轴。另外，将与半导体基板的上表面和下表面垂直的轴设为Z轴。在本说明书中，有时将Z轴的方向称为深度方向。另外，在本说明书中，有时将包括X轴和Y轴且与半导体基板的上表面和下表面平行的方向称为水平方向。
[0039]在本说明书中，在称为“相同”或者“相等”的情况下，也可以包括具有由制造偏差等引起的误差的情况。该误差例如为10％以内。
[0040]图1是对半导体装置100的制造方法的一例进行说明的图。半导体装置100的制造方法包括研磨步骤S101和旋转蚀刻步骤S102。
[0041]图2是示出半导体装置100的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置具备半导体基板，所述制造方法包括：研磨步骤，对所述半导体基板的第一面进行研磨，在所述半导体基板的外周形成外周剩余区域；以及旋转蚀刻步骤，利用药液对所述半导体基板的第一面进行蚀刻，在所述研磨步骤之后，在所述半导体基板的比所述外周剩余区域靠内侧的区域中，所述半导体基板的所述区域的端部处的厚度大于所述半导体基板的所述区域的中央部处的厚度。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述研磨步骤之后，所述半导体基板在所述区域中具有与所述外周剩余区域接触的倾斜部。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述倾斜部的倾斜角度为1度以下。4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述倾斜部的高度为20μm以下。5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述倾斜部的高度为所述半导体基板的厚度以下。6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述倾斜部的宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：北野三千矢，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：