本发明专利技术的基板处理装置在处理容器内使用超临界状态的处理流体来处理基板的技术中，防止混入到处理流体中的杂质被紊流运送而附着于基板。在处理容器(12)且在俯视时在相比基板(S)的一端部的外侧设有面向处理空间中的比基板靠上方的空间开口的第一导入口(123a)和面向比支撑托盘(15)靠下方的空间开口的第二导入口(124a)。并且，在俯视时在相比基板的另一端部的外侧设有面向处理空间中的比支撑托盘靠上方的空间开口的第一排出口(125a)和面向比支撑托盘靠下方的空间开口的第二排出口(126a)。超临界状态且为第一温度的处理流体经由第一导入口向处理空间供给，并且更低温的第二温度的处理流体经由第二导入口向处理空间供给。供给。供给。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置以及基板处理方法
[0001]本专利技术涉及在处理容器内使用超临界状态的处理流体来处理基板的基板处理技术。
技术介绍
[0002]在半导体基板、显示装置用玻璃基板等各种基板的处理工序中，包括利用各种处理流体来处理基板的工序。这样的处理有时以处理流体的高效利用、防止向外部的散逸为目的而在气密性的处理容器内进行。在该情况下，在处理容器设有用于进行基板的搬入、搬出的开口部和用于封堵该开口部而确保内部空间的气密性的盖部。例如在专利文献1所记载的处理装置中，成为处理对象的基板(晶片)以载置于与盖部形成一体的平板状的支架的状态被搬入至处理容器内。然后，导入超临界状态的处理流体来处理基板。处理容器的内部空间形成为比基板以及支架的包覆外形稍大。因此，能够减少处理流体的使用量，提高处理效率。
[0003]在该现有技术中，在从基板观察时从与开口部相反的一侧的侧方朝向基板的上表面供给超临界状态的处理流体。然后，经由开口部的附近通过基板的下表面侧而返回来的处理流体向外部排出(例如图5)。存在从保持开口部的气密的密封部件产生的杂质附着于基板的担忧。在上述现有技术中，导入双重密封机构，与处理流体接触的密封部件使用耐腐蚀性较高的材料，从而能够抑制杂质的产生。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2015
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039040号公报
技术实现思路
[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]更一般而言，若为了使通过开口部的周围后的处理流体不与基板接触，则能够避免混入到处理流体中的杂质附着于基板。例如，使洁净的处理流体沿基板向一个方向流通，从而能够防止在相比基板的下游侧产生的杂质附着于基板。在该情况下，理想的是，在处理容器内，在基板的上表面侧和下表面侧分别形成没有紊流的层流。
[0009]然而，实际上难以实现这样的条件。例如支架与处理容器之间的间隙、经由设于支架的开口而在基板的上层与下层之间产生的处理流体的流动、因处理容器内的部件与处理流体的温度差而产生的对流等可能成为紊流的原因。若像这样在处理容器内产生紊流，则由此运送的杂质附着于基板的表面，污染基板。
[0010]用于解决课题的方案
[0011]本专利技术是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供如下技术：在处理容器内使用超临界状态的处理流体来处理基板的基板处理技术中，能够防止混入到处理流体中的杂质被紊流运送而附着于基板。
[0012]本专利技术的一个方式是一种基板处理装置，具备：平板状的支撑托盘，其支撑水平姿势的基板的下表面；处理容器，其具有容器主体和盖部，上述容器主体设有能够收纳支撑上述基板的上述支撑托盘的处理空间以及与上述处理空间连通且用于使上述支撑托盘通过的开口部，上述盖部能够封堵上述开口部；以及流体供给部，其向上述处理空间供给超临界处理用的处理流体。并且，本专利技术的另一方式是一种在处理容器内利用超临界状态的处理流体来处理基板的基板处理方法。
[0013]在上述专利技术中，在上述处理容器中，作为用于向上述处理空间导入上述处理流体的导入口而设有：第一导入口，其在俯视时在相比上述基板的一端部的外侧，面向上述处理空间中的比上述基板靠上方的空间开口；以及第二导入口，其在相比上述一端部的外侧，面向上述处理空间中的比上述支撑托盘靠下方的空间开口，并且，作为用于从上述处理空间排出上述处理流体的排出口而设有：第一排出口，其在俯视时在相比上述基板的与上述一端部相反一侧的另一端部的外侧，面向上述处理空间中的比上述支撑托盘靠上方的空间开口；以及第二排出口，其在相比上述另一端部的外侧，面向上述处理空间中的比上述支撑托盘靠下方的空间开口。然后，经由上述第一导入口向上述处理空间供给超临界状态且是预定的第一温度的上述处理流体，并且经由上述第二导入口向上述处理空间供给超临界状态且是比上述第一温度低的第二温度的上述处理流体。
[0014]在像这样构成的专利技术中，从基板的一端部侧向处理空间导入处理流体，在基板的另一端部侧排出处理流体。而且，在处理空间中的比基板靠上方的空间和比基板靠下方的空间，分别单独地进行处理流体的导入及排出。因此，在基板的上方、下方分别形成从一端部侧朝向另一端部侧的一个方向的处理流体的层流。此外，此处所说的“基板的下方”是指在支撑托盘覆盖基板的下表面的情况下包括支撑托盘的下方的概念。
[0015]作为扰乱层流的主要原因，可以举出由处理流体的供给量和排出量的不均衡、上方侧与下方侧的流量或流速的不均衡、起因于处理流体的温度因包括基板及支撑托盘的处理空间内的部件与处理流体的温度差而变动的对流等。尤其，在接近临界点的温度以及压力条件下，因上述条件的微小变化，超临界状态的处理流体的密度校大地变化。因这些原因，在基板的上表面侧流动的层流与在下表面侧流动的层流之间产生处理流体的流动，从而产生紊流。如上所述，紊流可能成为基板污染的原因。
[0016]在本专利技术中，向基板的上方供给的处理流体与向下方供给的处理流体的温度不同。具体而言，向基板的上方供给的处理流体的温度成为高温。向基板的上方侧及下方侧分别供给的处理流体向同一空间供给而压力相同。因此，温度的差异变成密度的差异。即，向基板的上方供给温度较高且密度较低的处理流体，而另一方面向基板的下方供给温度较低且密度较高的处理流体。利用该密度差，能够抑制上层与下层之间的处理流体的流动。因此，能够抑制紊流的产生，也能够避免杂质被紊流运送而附着于基板的问题。
[0017]专利技术的效果如下。
[0018]如上所述，在本专利技术中，在处理容器内的处理空间中，在基板的上方和下方分别形成处理流体的一个方向的流动，而且处理流体的温度在基板的上方比基板的下方高。因此，能够抑制因处理流体在上层与下层之间流动而产生紊流，能够有效地防止由紊流运送的杂质附着于基板。
[0019]在参照附图并阅读以下的详细说明时，本专利技术的上述及其它目的、新的特征会变
得更完全地明确。其中，附图仅用于解说，并不限定本专利技术的范围。
附图说明
[0020]图1是示出本专利技术的基板处理装置的一个实施方式的简要结构的图。
[0021]图2是示出处理单元的主要部分的立体图。
[0022]图3是示出由基板处理装置执行的处理的流程图。
[0023]图4是示出超临界干燥处理的处理工序的流程图。
[0024]图5A是示意性地示出处理空间中的处理流体的流动的图。
[0025]图5B是示意性地示出处理空间中的处理流体的流动的图。
[0026]图6A是说明在处理空间内产生的紊流以及抑制该紊流的方法的图。
[0027]图6B是说明在处理空间内产生的紊流以及抑制该紊流的方法的图。
[0028]图7是示出处理流体的流通路径的一例的图。
[0029]图8是示出处理流体的流通路径的另一例的图。
[0030]图9是示出处理流体的流通路径的另一例的图。
[0031]图10是示出处理流体的流通路径的另一例的图本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：平板状的支撑托盘，其支撑水平姿势的基板的下表面；处理容器，其将上述支撑托盘收纳于内部的处理空间；以及流体供给部，其向上述处理空间供给超临界处理用的处理流体，上述处理容器具有容器主体和盖部，上述容器主体设有能够收纳支撑上述基板的上述支撑托盘的上述处理空间以及与上述处理空间连通且用于使上述支撑托盘通过的开口部，上述盖部能够封堵上述开口部，上述处理容器设有作为用于向上述处理空间导入上述处理流体的导入口的第一导入口及第二导入口、以及作为用于从上述处理空间排出上述处理流体的排出口的第一排出口及第二排出口，上述第一导入口在俯视时在相比上述基板的一端部的外侧，面向上述处理空间中的比上述基板靠上方的空间开口，上述第二导入口在相比上述一端部的外侧，面向上述处理空间中的比上述支撑托盘靠下方的空间开口，上述第一排出口在俯视时在相比上述基板的与上述一端部相反一侧的另一端部的外侧，面向上述处理空间中的比上述支撑托盘靠上方的空间开口，上述第二排出口在相比上述另一端部的外侧，面向上述处理空间中的比上述支撑托盘靠下方的空间开口，上述流体供给部经由上述第一导入口向上述处理空间供给超临界状态且为预定的第一温度的上述处理流体，并且经由上述第二导入口向上述处理空间供给超临界状态且为比上述第一温度低的第二温度的上述处理流体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述开口部设置于上述容器主体的侧面，在俯视时，从上述基板观察时在与上述开口部相反一侧设有上述第一导入口及上述第二导入口，在相比上述基板离上述开口部近的一侧设有上述第一排出口及上述第二排出口。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，具备将上述流体供给部与上述第一导入口连接的第一供给流路以及将上述流体供给部与上述第二导入口连接的第二供给流路，在上述第一供给流路以及上述第二供给流路的至少一方设有调节上述处理流体的温度的温度调节部。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述温度调节部使上述处理流体的温度变化来使上述处理流体在气相、液相以及超临界状态之间进行相变。5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其特征在于，具备：温度检测部，其分开检测从上述第一排出口和上述第二排出口分别排出的上述...
【专利技术属性】
技术研发人员：山口侑二，折坂昌幸，宫川纱希，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：
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