【技术实现步骤摘要】
一种化合物的多晶型及其制备方法和应用
[0001]本申请要求享有2021年3月19日向中国国家知识产权局提交的,专利申请号为202110297078.4,专利技术名称为“一种化合物的多晶型及其制备方法和应用”的在先申请的优先权权益。所述在先申请的全文通过引用的方式结合于本申请中。
[0002]本专利技术属于药物晶型领域,涉及一种化合物的多晶型及其制备方法和应用,具体涉及2
‑
((2
‑
(反式
‑4‑
羟基
‑
顺式
‑4‑
甲基环己基)
‑6‑
甲氧基
‑
2H
‑
吲唑
‑5‑
基)氨甲酰基)
‑6‑
甲基吡啶1
‑
氧化物的多晶型,以及所述多晶型的制备方法和应用。
技术介绍
[0003]白细胞介素
‑
1受体相关激酶(IRAK)是存在于细胞内的一类丝/苏氨酸蛋白激酶家族,有四个成员:IRAK1,IRAK2,IRAK
‑
M和IRAK4,共同特征是具有典型的N
‑
末端死亡结构域,该结构域介导与MyD88
‑
家族衔接蛋白和位于中心的激酶结构域之间的相互作用,其中IRAK1和IRAK4具有激酶活性。IRAK4是Toll样受体(TLR)/白介素
‑
1受体(IL
‑
1R)介导的炎症信号转导通路下游的关键因子,TLR细胞外部分识别病原特异 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.下式化合物A的所示的2
‑
((2
‑
(反式
‑4‑
羟基
‑
顺式
‑4‑
甲基环己基)
‑6‑
甲氧基
‑
2H
‑
吲唑
‑5‑
基)氨甲酰基)
‑6‑
甲基吡啶1
‑
氧化物的多晶型物:2.根据权利要求1所述的多晶型物,其中,所述多晶型物为晶型III,所述晶型III使用Cu
‑
Kα辐射,以2θ角度表示的X
‑
射线粉末衍射在12.15
±
0.20
°
、15.98
±
0.20
°
、16.62
±
0.20
°
、17.14
±
0.20
°
、24.32
±
0.20
°
、26.08
±
0.20
°
处具有特征峰;优选地,所述晶型III为化合物A的无水物;优选地,所述晶型III具有基本如图4所示的粉末X射线衍射图;优选地,所述晶型III的差示扫描量热法(DSC)分析显示在加热至峰值温度188.81℃附近出现第一个吸热峰;优选地,所述晶型III的热重分析(TGA)显示在180℃之前几乎无失重;优选地,所述晶型III具有基本如图8所示的DSC
‑
TGA图谱;优选地,所述晶型III为不规则形貌晶体;优选地,所述晶型III的粒径小于5μm;优选地,所述晶型III具有基本如图6所示的PLM图谱;优选地,所述晶型III的纯度在95%以上。3.根据权利要求1所述的多晶型物,其中,所述多晶型物为晶型VII,所述晶型VII使用Cu
‑
Kα辐射,以2θ角度表示的X
‑
射线粉末衍射在12.94
±
0.20
°
、14.41
±
0.20
°
、15.64
±
0.20
°
、17.25
±
0.20
°
、21.75
±
0.20
°
、24.23
±
0.20
°
处具有特征峰;优选地,所述晶型VII为化合物A的无水物;优选地,所述晶型VII具有基本如图23所示的粉末X射线衍射图;优选地,所述晶型VII的差示扫描量热法(DSC)分析显示在加热至峰值温度201.07℃附近出现一个吸热峰;优选地,所述晶型VII的热重分析(TGA)显示在200℃之前几乎无失重,优选在180℃之前几乎无失重;优选地,所述晶型VII具有基本如图25所示的DSC
‑
TGA图谱;优选地,所述晶型VII为不规则形貌晶体;优选地,所述晶型VII的粒径小于5μm;优选地,所述晶型VII具有基本如图24所示的PLM图谱;优选地,所述晶型VII的纯度在95%以上。4.根据权利要求1所述的多晶型物,其中,所述多晶型物为晶型I,所述晶型I使用Cu
‑
Kα辐射,以2θ角度表示的X
‑
射线粉末衍射在11.85
±
0.20
°
、15.86
±
0.20
°
、16.57
±
0.20
°
、17.68
±
0.20
°
、20.99
±
0.20
°
、23.99
±
0.20
°
处具有特征峰。优选地,所述晶型I具有基本如图1所示的粉末X射线衍射图。5.根据权利要求1所述的多晶型物,其中,所述多晶型物为晶型II,所述晶型II使用Cu
‑
Kα辐射,以2θ角度表示的X
‑
射线粉末衍射在13.49
±
0.20
°
、17.51
±
0.20
°
、17.72
±
0.20
°
、20.97
±
0.20
°
、23.67
±
0.20
°
、27.32
±
0.20
°
处具有特征峰。优选地,所述晶型II具有基本如图4所示的粉末X射线衍射图。6.根据权利要求1所述的多晶型物,其中,所述多晶型物为晶型IV,所述晶型IV使用Cu
‑
Kα辐射,以2θ角度表示的X
‑
射线粉末衍射在5.38
±
0.20
°
、6.68
±
0.20
°
、9.76
±
0.20
°
、19.69
±
0.20
°
、27.48
±
0.20
°
、29.65
±
0.20
°
处具有特征峰。优选地,所述晶型IV具有基本如图11所示的粉末X射线衍射图。7.根据权利要求1所述的多晶型物,其中,所述多晶型物为晶型V,所述晶型V使用Cu
‑
Kα辐射,以2θ角度表示的X
‑
射线粉末衍射在7.11
±
0.20
°
、9.62
±
0.20
°
、14.07
±
0.20
°
、19.23
±
0.20
°
、21.59
±
0.20
°
、25.65
±
0.20
°
处具有特征峰。优选地,所述晶型V具有基本如图14所示的粉末X射线衍射图。8.根据权利要求1所述的多晶型物,其中,所述多晶型物为晶型IX,所述晶型IX使用Cu
‑
Kα辐射,以2θ角度表示的X
‑
射线粉末衍射在8.26
技术研发人员:野国中,田勇,孙宗国,栾林波,陈永凯,王朝东,
申请(专利权)人:上海美悦生物科技发展有限公司,
类型:发明
国别省市:
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