基板处理装置及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种根据基板或基板处理工艺控制在基板上安置的夹圈的个数，从而，能够有效地防止基板的弯曲变形(warpage)的基板处理装置及基板处理方法。根据本发明专利技术的实施例的基板处理装置，包括：支撑卡盘，其用于支撑所述基板；及弯曲变形防止装置，其在所述支撑卡盘上支撑的所述基板的周围区域安置一个以上的夹圈，而向所述基板的周围区域施加荷重，从而，防止所述基板的弯曲变形。所述弯曲变形防止装置通过调整在所述基板的周围区域安置的所述夹圈的个数而调整向所述基板的周围区域施加的荷重。荷重。荷重。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及基板处理方法


[0001]本专利技术涉及基板处理装置及基板处理方法，更详细地，涉及一种能够防止基板的弯曲变形(warpage)的基板处理装置及基板处理方法。

技术介绍

[0002]一般而言，半导体集成电路是非常小、薄的硅芯片，但，其由各种电子部件构成，完成一个半导体芯片需要经过图案工艺、蚀刻工艺、蒸镀工艺、封装工艺等各种制造工序。因在晶圆(wafer)等半导体基板上蒸镀各种物质，相互不同的热膨胀率导致在半导体基板上发生弯曲变形(warpage)现象。
[0003]并且，可向晶圆施加夹具荷重而防止晶圆的弯曲变形，但，因晶圆的材质(例如，硅、玻璃等)导致晶圆的弯曲变形水准发生差异，并且，晶圆的强度/硬性、脆性等方面存在物性差异，因此，存在不易通过相同的夹具荷重防止各种材质的晶圆弯曲变形的有限性。
[0004]例如，如果是刚性较大的晶圆，即使施加夹具荷重，晶圆也可能无法完全与卡盘紧贴。如上述地，在晶圆上发生弯曲变形的状态下进行等离子处理时，在晶圆下面发生局部等离子，而使得晶圆和部件受到损伤。为了防止上述情况，如果使用更重本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，作为用于处理基板的基板处理装置，其特征在于，包括：支撑卡盘，其用于支撑所述基板；及弯曲变形防止装置，其在所述支撑卡盘上支撑的所述基板的周围区域安置一个以上的夹圈，而向所述基板的周围区域施加荷重，从而，防止所述基板的弯曲变形，并且，所述弯曲变形防止装置通过调整在所述基板的周围区域安置的所述夹圈的个数而调整向所述基板的周围区域施加的荷重。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述弯曲变形防止装置包括：多个销，其沿着所述支撑卡盘的周围配置，并由上下方向延伸；多个支撑部件，其在所述多个销沿着上下方向设置，而将所述夹圈由水平方向支撑；多个夹圈，其形成有使得所述多个销贯通的贯通孔，并且，形成能够加压所述基板的周围区域的环形状，分别被所述多个支撑部件支撑；升降驱动部，其使得所述多个销升降驱动；及控制部，其控制所述升降驱动部而使得所述多个销升降驱动，以便通过所述多个销的升降高度调整在所述基板的周围区域安置的夹圈的个数。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个支撑部件包括：多个第1支撑部件，其在所述多个销的第1位置形成；及多个第2支撑部件，其在相比所述多个销的所述第1位置更高的第2位置形成，所述多个夹圈包括：第1夹圈，其在所述多个第1支撑部件上被支撑，并且，形成有使得所述多个销贯通的多个第1贯通孔；及第2夹圈，其在所述多个第2支撑部件上被支撑，并且，形成有使得所述多个销贯通的多个第2贯通孔，并且，多个所述第1贯通孔和多个所述第2贯通孔形成不同的大小或不同的形状。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述第1贯通孔形成无法使得所述多个第1支撑部件贯通且同时使得所述多个第2支撑部件贯通的形状，所述第2贯通孔形成无法使得所述多个第2支撑部件贯通的形状。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部根据所述基板的材质及基板处理工艺中的至少一个而决定所述多个销的升降高度；并且，根据决定的所述升降高度使得所述多个销升降，由此，调整在所述基板的周围区域安置的夹圈的个数。6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述第1支撑部件及所述第2支撑部件分别在所述销的周围部分突出形成，所述第1贯通孔形成有使得所述销贯通且无法使得所述第1支撑部件贯通并同时使得所述第2支撑部件贯通的第1直径，所述第2贯通孔形成有相比所述第1直径更小的第2直径，而使得所述销贯通且所述第2
支撑部件无法贯通。7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个销通过所述控制部及所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴钟范，
申请(专利权)人：PSK控股公司，
类型：发明
国别省市：