一种蚀刻小外形封装中垫片的引线框架的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种蚀刻小外形封装中垫片的引线框架的制作方法，包括：选取原材料，前清洗，压干膜，曝光，显影，蚀刻，退膜，电镀，贴带等步骤，最终得到所述引线框架。该方法的蚀刻步骤中，通过将引线框架中散热片下方的垫片蚀刻掉，使SOP引线框架能够实现QFN引线框架的单颗数量，从而克服了SOP引线框架排布稀疏，颗数少等问题。等问题。等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种蚀刻小外形封装中垫片的引线框架的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种蚀刻小外形封装中垫片的引线框架的制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体行业内框架的种类不断增加，衍生出不同种类的封装型式。除了现有的QFN、LQFP、TSSOP系列之外，还有一种常见的元器件形式——SOP系列封装(Small Out
‑
Line Package小外形封装)，其属于表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L字形))。其中，SOP系列框架由于有runner和slot等设计，所以框架上Unit排布显得比较分散。如图1所示，SOP系列框架上的Unit数量远远低于另一种贴装型封装——QFN(Quad Flat No
‑
leads Package，方形扁平无引脚封装))系列框架的Unit数量，这样使得整条框架的利用率大大降低，封装成本变高。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种蚀刻小外形封装中垫片的引线框架的制作方法，以解决现有技术中SOP系列封装上排布本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻小外形封装(SOP)中垫片的引线框架的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S1选取原材料；S2前清洗；S3压干膜：S4曝光：S5显影：S6蚀刻：通过喷淋的方式将蚀刻液喷洒在铜材表面，利用所述蚀刻液与铜的化学反应，对未被感光干膜保护的铜面进行蚀刻，从而将引线框架中散热片下方的垫片蚀刻掉，即通过蚀刻去除掉引线框架的凸起部分，从而使SOP引线框架能够转变为QFN引线框架的排布方式，增加单条框架上单颗Unit的数量；S7退膜：S8电镀：S9贴带；S10制作完成，得到所述引线框架。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S6中，采用双面蚀刻工艺，用所述蚀刻液对引线框架功能区外的多余铜材进行腐蚀，蚀刻之后的框架排布方式能够按照QFN的形式进行排列。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述原材料是具有一定厚度的高精度铜材。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述前清洗是采用碱性除油的方式，对铜材表面进行清洗，有效去除铜材表面的油污、氧化点及附着物，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张弛，张敏，徐浩宇，
申请(专利权)人：江苏柒捌玖电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：