基板增层加工方法及封装结构技术

本发明专利技术涉及半导体加工工艺技术领域，具体公开了一种基板增层加工方法，其中，包括：提供载板；在载板的一个表面上进行热压包覆膜涂覆，形成覆盖双面铜柱的第一涂覆膜；对第一涂覆膜进行减薄处理以露出双面铜柱；在第一涂覆膜背离载板的表面形成双面重布线层；在双面重布线层上制作多个间隔设置的限位柱，其中限位柱的制作材料的力学性能参数满足以下条件：莫氏硬度大于3.0、杨氏模量高于110GPa以及剪切弹性模量大于49GPa；在双面重布线层的表面进行开口电镀，并制作介质层；在双面重布线层的表面进行热压包覆膜涂覆，形成覆盖介质层和限位柱的第二涂覆膜。本发明专利技术还公开了一种封装结构。本发明专利技术提供的基板增层加工方法能够有效控制减薄厚度。制减薄厚度。制减薄厚度。

【技术实现步骤摘要】
基板增层加工方法及封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体加工工艺
，尤其涉及一种基板增层加工方法及封装结构。

技术介绍

[0002]FC
‑
BGA（Flip Chip
‑
Ball Grid Array，倒装芯片球栅格阵列的封装格式）基板增层技术是利用钻孔、镀孔及填孔技术在包覆膜上进行层与层间的导通，并在其上进行单层电路层的制备，实现线路的连接，同时也可以通过制作电路层，后热压包覆膜使其填充整个线路层，然而这是在填充于金属层间的介质材料厚度符合理论厚度的前提下进行的，目前包覆膜厚度与理论的介质层厚度偏大，并且在金属层进行热压包覆膜后，金属表面会残留较薄的包覆膜层，影响层与层之间的连接，因此对热压包覆膜后的减薄工艺不可或缺，但随之到来的问题是机械减薄过程中容易使介质层厚度无法得到有效控制，会出现减薄量较少的现象，甚至会减薄过多，导致整体结构与理论厚度存在偏差。因此，有必要提高减薄量的精度，从而控制层数较多的板材的整体结构。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种基板增层加工方法及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板增层加工方法，其特征在于，包括：提供载板，其中所述载板上设置有金属通孔和双面铜柱；在所述载板的一个表面上进行热压包覆膜涂覆，形成覆盖所述双面铜柱的第一涂覆膜；对所述第一涂覆膜进行减薄处理以露出所述双面铜柱；在所述第一涂覆膜背离所述载板的表面形成双面重布线层；在所述双面重布线层上进行开口电镀，并制作多个间隔设置的限位柱，其中多个间隔设置的限位柱在所述双面重布线层上且沿外围呈环形分布，所述限位柱的高度大于待制作的介质层的预设高度，且所述限位柱的高度与介质层的预设高度的差值在预设范围内，所述限位柱的制作材料的力学性能参数满足以下条件：莫氏硬度大于3.0、杨氏模量高于110GPa以及剪切弹性模量大于49GPa；在所述双面重布线层的表面进行开口电镀，并制作介质层，其中所述介质层的实际高度大于所述介质层的预设高度，且所述介质层的实际高度与所述介质层的预设高度的差值在预设范围内；在所述双面重布线层的表面进行热压包覆膜涂覆，形成覆盖所述介质层和所述限位柱的第二涂覆膜，其中所述第二涂覆膜的厚度大于所述介质层的高度以及所述限位柱的高度；对所述第二涂覆膜按照预设研...

【专利技术属性】
技术研发人员：李轶楠，李明，姚昕，靳学昌，
申请(专利权)人：无锡中微高科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：