一种芯片的制备方法及芯片技术

本发明专利技术涉及芯片制造技术领域，本发明专利技术提供了一种芯片的制备方法及芯片。该芯片的制备方法包括通过先对初始晶圆进行电镀处理，得到处理后晶圆；该初始晶圆包括初始芯片和对位芯片；并在处理后晶圆上涂覆阻挡层，通过图形化阻挡层以形成后续需要电镀形成的焊点或者对位点的通孔；由于该对位芯片上的起封装对位作用的区域为对位点，且该对位点的横截面积与焊点的横截面积相近，从而使得两种结构在电镀回流后的高度差较小，提高了两种结构所在平面的均匀性，进而有利于提高后续对晶圆进行研磨的均匀性。均匀性。均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片的制备方法及芯片


[0001]本专利技术涉及芯片制造
，特别涉及一种芯片的制备方法及芯片。

技术介绍

[0002]在芯片制造过程中，芯片是在统一规格的晶圆上不断加工，从而形成不同规格尺寸的芯片，一方面为了降低芯片的尺寸，以便于该芯片适用于集成度高的电路；另一方面为了提高芯片的平整度，均需要对芯片进行磨片处理，而芯片磨片的均匀性除了设备要求外，对芯片本身的平整度也有较高要求。
[0003]现有技术中，一般是基于晶圆级芯片进行磨片，磨片工艺后再进行分片，形成单颗芯片，虽然这种方式提高了芯片的加工效率，但这使得对晶圆级芯片的平整度有了更为苛刻的要求，然而，现有技术中的晶圆上不仅包含有效芯片，还包对位标记芯片，现有的加工工艺使得二者的高度差较大，进而使得晶圆级芯片整体高度均匀性较低，造成磨片时受力不均导致裂片或者良率损失。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的是现有芯片制备方法具有是晶圆级芯片高度均匀性低的技术问题。
[0005]为解决上述技术问题，本申请公开了一种芯片的制备方法，其包括：
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供一初始晶圆；所述初始晶圆包括多个初始芯片(8)和对位芯片(9)；所述多个初始芯片(8)中的每个初始芯片(8)上设有电极阵列；对所述初始晶圆的第一表面进行电镀预处理，得到处理后晶圆；所述第一表面上设有所述电极阵列；在所述处理后晶圆的第一表面上涂覆阻挡层(7)，并图形化所述阻挡层(7)；所述图形化后的阻挡层(7)包括多个第一通孔阵列(801)和第二通孔阵列(901)；所述多个第一通孔阵列(801)与多个所述电极阵列对应；所述第二通孔阵列(901)位于所述对位芯片(9)上；且所述第二通孔阵列(901)的第二通孔(11)的横截面积与所述第一通孔阵列(801)的第一通孔(10)的横截面积的差值小于等于第一阈值；利用电镀工艺在所述多个第一通孔阵列(801)的第一通孔(10)中制备焊点，在所述第二通孔阵列(901)的第二通孔(11)中制备对位点；去除所述阻挡层(7)，得到表面具有多个焊点阵列和对位点阵列的目标晶圆级芯片。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二通孔阵列(901)的第二通孔(11)的高度与所述第一通孔阵列(801)的第一通孔(10)的高度相等；所述第二通孔阵列(901)的阵间距与所述第一通孔阵列(801)的阵间距的差值小于等于第二阈值。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在封装过程中，封装设备能够通过识别所述对位点阵列的位置，进而基于所述对位点阵列的位置确定与所述对位点阵列具有对应位置关系的待封装芯片的位置。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述初始晶圆的第一表面进行电镀预处理，得到处理后晶圆，包括：在所述初始晶圆的第一表面制备介质层(3)；所述介质层(3)包括多个第三通孔阵列，所述多个第三通孔阵列中的每个第三通孔阵列用于暴露出对应的电极阵列；在所述介质层(3)上制备电镀种子层(4)；所述电镀种...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭祎，李春阳，任超，刘凤，方梁洪，
申请(专利权)人：宁波芯健半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：