用于NPN正反馈器件限流的有NPN控制器件结构的双极互补金属氧化物半导体锁存器制造技术

根据锁存命令信号从采集模式转换到锁存模式的锁存器，其特征在于，该锁存器包括：　　　　交叉耦合的第一和第二绝缘晶体管（２７，２８），它们具有第一和第二电流端（３７，３８），并且所耦合的第一电流端用于接受差分输入信号；　　　　交叉耦合的第一和第二锁存晶体管（３１，３２），它们具有集电极（３９）；　　　　至少一个开关（４３，４４）相耦合，它们用于响应所述锁存命令信号向所述第一电流端提供电流；　　　　第一和第二限流晶体管（３５，３６），各自耦合在所述第二电流端中的一端和所述集电极的一端之间，并且各自响应所对应的一个控制信号Ｓ↓［ｃｎｔｒｌ］提供从采集阻抗转换到较大锁存阻抗的阻抗；以及，　　　　第一和第二控制晶体管（５０，５１），各自响应耦合在限流晶体管的所述一个集电极向所述一个限流晶体管提供一个所述控制信号Ｓ↓［ｃｎｔｒｌ］。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：C·米哈尔斯基，
申请(专利权)人：模拟设备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：