化合物半导体开关电路装置制造方法及图纸

一种化合物半导体开关电路装置。在开关ＭＭＩＣ中，在将源极电极及漏极电极近接配置的位置产生高频信号的泄漏，存在有失真特性不良的问题。本发明专利技术的开关电路装置使栅极布线电极形成为梯形图案。另外，在开关ＭＭＩＣ的全部源极电极－漏极电极间配置栅极布线电极。进而在栅极布线电极和源极电极或漏极电极的交叉部，在它们之间配置相对介电常数大的氮化膜、和相对介电常数小的聚酰亚胺或中空部。由此，将交叉部的电容降低，可使二次高谐波电平降低。另外，由于可防止漏极电极－源极电极间的高频信号的泄漏，故可使三次高谐波电平降低，且可大幅提高开关ＭＭＩＣ的失真特性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种化合物半导体开关电路装置，在化合物半导体衬底上集成开关元件，将第一ＲＦ端口和第二ＲＦ端口与控制端子连接，其特征在于，所述开关元件具有：ＦＥＴ，其由源极电极、栅极电极及漏极电极构成；源极布线电极，其与所述源极电极重叠一部分 ，并且将该源极电极及其它源极电极连接；漏极布线电极，其与所述漏极电极重叠一部分，并且将该漏极电极及其它漏极电极连接；栅极布线电极，其含有所述栅极电极，在所述第一ＲＦ端口及所述第二ＲＦ端口间的高频模拟信号的传输路径中， 在近接的所述源极布线电极和所述漏极布线电极间配置有沿与所述栅极电极不同的方向延伸的所述栅极布线电极的一部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：浅野哲郎，榊原干人，日下佑一，石原秀俊，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]