化合物半导体装置制造方法及图纸

技术编号:3410845 阅读:222 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种化合物半导体装置,其在化合物半导体衬底上集成化多个包含晶体管与直流端子焊盘的元件,其特征在于,具有:直流端子,其向上述晶体管施加直流电位;第一元件及第二元件,高频信号在其至少任一个中传送且经由分离区域互相邻近;分离元件,其设置在上述第一元件及第二元件间的上述衬底上;高电阻元件,其与上述分离元件连接;第一路径,其连接上述直流端子与上述晶体管;第二路径,其连接上述分离元件和上述直流端子焊盘并向上述分离元件施加直流电位,    通过由上述分离元件遮断上述第一元件及上述第二元件间的上述高频信号的泄漏。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:浅野哲郎日下佑一榊原干人
申请(专利权)人:三洋电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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