半导体装置和使用其的电子用品制造方法及图纸

一种具有较小功耗的半导体装置和使用该半导体装置的电子用品。本发明专利技术的半导体装置被供以来自高电势电源的第一电势和来自低电势电源的第二电势。在将第一信号输入到输入节点时，输出节点输出第二信号。对于本发明专利技术的半导体装置而言，可以控制第二信号的电势差使之小于第一电势和第二电势之间的电势差，由此可以降低为线路充电／放电所需的功耗。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；施加第一电势的第一电源；施加第二电势的第二电源；以及用于施加与所述第一电势和所述第二电势不同的第三电势的电路；其中所述第一晶体 管的源极和漏极的一个连接到所述第一电源；其中所述第一晶体管的源极和漏极的另一个连接到所述第二晶体管的源极和漏极之一；其中所述第二晶体管的源极和漏极的另一个连接到所述第三晶体管的源极和漏极的一个；其中所述第三晶体管的源 极和漏极的另一个连接到所述第二电源；其中所述第三晶体管的栅极连接到所述电路；其中将第一信号输入到所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极；且其中从所述第一晶体管的源极和漏极的所述另一个和所述第二晶体管的源极和漏极的所述一 个输出第二信号。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：纳光明，岩渊友幸，木村肇，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]