基于氮化物的集成声波器件及其制造方法技术

一种单片电子器件包括：衬底；在衬底上形成的半绝缘压电Ⅲ族氮化物外延层；在外延层上形成表面声波器件的一对输入和输出叉指形换能器；以及在衬底上形成的至少一个电子器件（诸如ＨＥＭＴ、ＭＥＳＦＥＴ、ＪＦＥＴ、ＭＯＳＦＥＴ、光电二极管、ＬＥＤ等）。公开了一种隔离装置，用于在电气上和在声学上把电子器件与ＳＡＷ器件隔离，反之亦然。在某些实施例中，在ＳＡＷ器件和电子器件之间形成沟槽。还公开了离子注入技术，用于形成半绝缘Ⅲ族氮化物外延层，其上可以制造ＳＡＷ器件。与所述叉指形换能器相邻的吸收和／或反射元件减小可能干扰所述ＳＡＷ器件工作的不希望有的反射。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景本专利技术涉及基于氮化物的声波器件。声波器件形成一类处理在压电晶体中传播的声波(亦即，声的或者压缩的)的信号的电子器件。压电晶体的特征是，当所述材料在机械上受应力(亦即，压缩或者处于拉伸状态下)时，诱生相关联的电场。类似地，当电场施加于压电晶体时，材料变成以预定的方式在机械上受到应力作用。有可能利用这些特性来利用压电晶体完成不同的功能。例如，压电微音器把在空气中传播的声波转换为电子信号。压电扬声器和蜂鸣器完成相反的功能。压电传感器检测压力、温度、扭矩、湿度和/或一个范围很宽的其他现象的变化。普通的压电材料包括石英(SiO2)、氧化锌(ZnO)、钛酸钡(BaTiO3)、钽酸锂(LiTaO3)和铌酸锂(LiNbO3)。但是，其他材料，最著名碳化硅(SiC)和III族材料，诸如氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)都是压电的并可以用来形成声波器件。当时变电场施加于压电晶体的一部分时，所施加的电场诱生通过所述晶体传播的声波。声波可以以若干种方式通过压电材料传播。例如，声波可以通过物体传播，所谓″体″波，或者在所述材料表面传播。波沿着压电材料的表面传播的一般地称作表面声波(SAW)，而处理表面声本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单片电子器件，它包括：衬底；在所述衬底上形成的压电的Ⅲ族氮化物外延层；在所述Ⅲ族氮化物外延层的半绝缘区域上形成的多个金属指状物，所述多个金属指状物和所述半绝缘区域一起形成表面声波器件，所述多个金属指状物形成输入换 能器和输出换能器；以及在所述衬底上形成的至少一个电子器件，所述至少一个电子器件包括金属触点；其中所述金属触点电连接到所述输入和／或输出换能器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：AW萨克斯莱尔，
申请(专利权)人：克里公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]