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一种单片电子器件包括：衬底；在衬底上形成的半绝缘压电Ⅲ族氮化物外延层；在外延层上形成表面声波器件的一对输入和输出叉指形换能器；以及在衬底上形成的至少一个电子器件（诸如ＨＥＭＴ、ＭＥＳＦＥＴ、ＪＦＥＴ、ＭＯＳＦＥＴ、光电二极管、ＬＥＤ等）。公...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

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