一种CVD镀膜设备的真空室制造技术

本实用新型专利技术涉及CVD镀膜技术领域，且公开了一种CVD镀膜设备的真空室，包括操作台，所述操作台的内部活动卡接有真空室，所述真空室右端的内部转动套接有取料管，所述取料管的内部滑动套接有固定撑板，所述固定撑板的外部螺纹套接有联动杆，所述真空室右端的底部安装有收集箱。该CVD镀膜设备的真空室，首先转动联动杆，使得联动杆联动移动撑板朝向固定撑板的左端移动，当固定撑板的挡板与移动撑板将固件夹持后，即可将固定送往真空室的内部进行反应，当需要进行翻转时，同样通过转动联动杆使得挡板与移动撑板将固定夹持，然后转动取料管即可使得被夹持的固件进行翻转，由此提高了本装置镀膜的全面性。镀膜的全面性。镀膜的全面性。

【技术实现步骤摘要】
一种CVD镀膜设备的真空室


[0001]本技术涉及CVD镀膜
，具体为一种CVD镀膜设备的真空室。

技术介绍

[0002]CVD镀膜设备，是指通过CVD反应进行镀膜的装置，一般把反应物是气态而生成物之一的固态的反应称为CVD反应，CVD技术原理是建立在化学反应基础上的，目前常用的CVD沉积反应一般有以下几种原理，热分解反应、氢还原反应、置换或合成反应、化学输运反应、固相扩散反应，应用范围广、成膜速度快、工作是在低真空条件下进行的，因此镀膜的绕射性好，在形状复杂，如有深孔，细孔的工件上都能均匀镀膜、由于反应气体、反应产物和基片的相互扩散，可以得到附着强度好的镀膜，这对于制备耐磨、抗腐蚀等表面强化膜是很重要的，由于薄膜生长的温度比膜材的熔点低得多，因此能得到高纯度、结晶完全的膜层，这是某些半导体用镀层所必需的，膜层纯度高，结晶完全是由于低温生长，反应气体和反应器壁以及其中所含不纯物几乎不发生反应，对膜层玷污少等原因所致、CVD可以获得平滑的沉积表面，在沉积过程中成核率高，成核密度大，在整个平面上分布均匀，从而可产生宏平滑的表面、辐射损伤低，这是制造MOS(金属氧化物半导体)等器件不可缺少的条件。
[0003]目前市场大多数的CVD镀膜设备，其采用的都是对真空室管道进行通气并加热，由此使得化学气体进行反应并最终在固件的表层形成镀膜层，但是这种设备中的真空室大多数采用的柱状的管道制成，这种柱状的真空室虽然减小了与固件的接触面积，但是固件的表面依旧存在有接触点，而接触点无法被完全的镀膜，故而使得镀膜完成固定表面上有瑕疵，并且这种通过化学气体反应生成的镀膜层，在化学气体反应完成后会产生易燃易爆炸的气体，这种气体在接触到明火是会产生爆炸，为此我们提出一种CVD镀膜设备的真空室。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本技术提供了一种CVD镀膜设备的真空室，具备翻转调节固件接触点和抽取收集反应后的气体并进行集中点燃处理的优点，解决了上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]本技术提供如下技术方案：一种CVD镀膜设备的真空室，包括操作台，所述操作台的内部活动卡接有真空室，所述真空室右端的内部转动套接有取料管，所述取料管的内部滑动套接有固定撑板，所述固定撑板的外部螺纹套接有联动杆，所述真空室右端的底部安装有收集箱，所述收集箱的一侧固定连接有连接管。
[0006]优选的，所述真空室的两侧设有卡板，所述操作台的内部开设有电加热模块，卡板卡接在电加热模块的内部。
[0007]优选的，所述真空室的左端螺纹套接有进气管，所述进气管的左侧开设两个接气管，所述进气管的顶部安装有压力表。
[0008]优选的，所述取料管的内部呈空心状，且所述取料管右端的外部螺纹套接有固定架，固定架位于联动杆外部的上方。
[0009]优选的，所述联动杆左端的外部转动套接有移动撑板，所述固定撑板的左端设有挡板，所述移动撑板的直径与挡板的直径相等。
[0010]优选的，所述连接管的一侧固定连接有防爆架，所述防爆架右侧的底部设有开口。
[0011]与现有技术对比，本技术具备以下有益效果：
[0012]1、该CVD镀膜设备的真空室，通过在真空室的内部滑动套接的固定撑板和联动杆，首先转动联动杆，使得联动杆联动移动撑板朝向固定撑板的左端移动，当固定撑板的挡板与移动撑板将固件夹持后，即可将固定送往真空室的内部进行反应，当需要进行翻转时，同样通过转动联动杆使得挡板与移动撑板将固定夹持，然后转动取料管即可使得被夹持的固件进行翻转，由此提高了本装置镀膜的全面性。
[0013]2、该CVD镀膜设备的真空室，通过在真空室右端底部固定连接的气泵和收集箱，当真空室内部产生废气后，通过气泵将废气收集到收集箱的内部并经过连接管传输到防爆架的内部，此时将防爆架与连接管的连接处通过明火点燃即可进行废气处理，且这个燃烧的过程都在防爆架的内部进行，由此提高了本装置的安全性。
附图说明
[0014]图1为本技术结构主视图；
[0015]图2为本技术结构气泵侧视图；
[0016]图3为本技术真空室剖视图；
[0017]图4为本技术伸缩夹板剖视图；
[0018]图5为本技术A处的结构放大图。
[0019]图中：1、操作台；2、真空室；3、进气管；4、取料管；5、固定撑板；6、联动杆；7、移动撑板；8、气泵；9、收集箱；10、连接管；11、防爆架；12、电加热模块。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0021]请参阅图1－2，一种CVD镀膜设备的真空室，包括操作台1，操作台1作为本装置的主要平台，其负责承载了真空室2的同时，负责了支撑电加热模块12，使得电加热模块12可以对操作台1进行持续加热，操作台1的内部活动卡接有真空室2，真空室2作为真空结构，其为现有技术，本文不再描述其真空的详细步骤，真空室2右端的内部转动套接有取料管4，取料管4作为封堵结构，保证了真空室2内部的真空密封性，取料管4的内部滑动套接有固定撑板5，固定撑板5作为支撑结构，通过与联动杆6的配合形成对固件的夹持和翻转，保证了对固定进行全面的镀膜，提高了镀膜的全面性，固定撑板5的外部螺纹套接有联动杆6，联动杆6作为连接结构，负责控制移动撑板7的移动，通过螺纹套接在固定撑板5的外部，当联动杆6移动时即可推动移动撑板7进行移动，真空室2右端的底部安装有收集箱9，收集箱9起到了将气泵8抽取出的废气进行收集缓存的效果，避免了废气快速涌入到连接管10的内部，收集箱9的一侧固定连接有连接管10，连接管10起到了连接输送的效果，保证了对废气引导进防
爆架11内部的作用，真空室2的两侧设有卡板，卡板起到了将真空室2固定卡接在电加热模块12的内部，确保了取料管4在转动时不会是的真空室2产生偏移，提高了本装置的镀膜反应的稳定性，操作台1的内部开设有电加热模块12，电加热模块12同样作为现有技术，其内部安装有多组电发热模块，本文不再进行详细描述，卡板卡接在电加热模块12的内部，真空室2的左端螺纹套接有进气管3，进气管3的左侧开设两个接气管，两个接气管，分别负责对外连接和输送需要进行反应的化学气体，进气管3的顶部安装有压力表。
[0022]请参阅图3－5，取料管4的内部呈空心状，取料管4的内部呈空心状，且其空心的内部盛放有冷却水，用以确保联动杆6在真空室2的内部抽出时对联动杆6进行快速降温，避免联动杆6表面的高温烫伤到操作员，且取料管4右端的外部螺纹套接有固定架，固定架起到了固定联动杆6的效果，确保了取料管4在转动时联动杆6不会自传而是跟随取料管4做公转，固定架位于联动杆6外部的上方，联动杆6左端的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CVD镀膜设备的真空室，包括操作台(1)，其特征在于：所述操作台(1)的内部活动卡接有真空室(2)，所述真空室(2)右端的内部转动套接有取料管(4)，所述取料管(4)的内部滑动套接有固定撑板(5)，所述固定撑板(5)的外部螺纹套接有联动杆(6)，所述真空室(2)右端的底部安装有收集箱(9)，所述收集箱(9)的一侧固定连接有连接管(10)。2.根据权利要求1所述的一种CVD镀膜设备的真空室，其特征在于：所述真空室(2)的两侧设有卡板，所述操作台(1)的内部开设有电加热模块(12)，卡板卡接在电加热模块(12)的内部。3.根据权利要求1所述的一种CVD镀膜设备的真空室，其特征在于：所述真空室(2)的左端螺纹套接...

【专利技术属性】
技术研发人员：因福明，沈杰，
申请(专利权)人：昆山福钻新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：