在金属填充工艺期减少线弯曲制造技术

在特征填充期间减轻线弯曲的方法包括在填充期间沉积非晶层和/或抑制处理。填充期间沉积非晶层和/或抑制处理。填充期间沉积非晶层和/或抑制处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在金属填充工艺期减少线弯曲
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。

技术介绍

[0002]导体材料的沉积是许多半导体制造处理的必不可少的部分。这些材料可用于水平互连件、相邻金属层之间的通孔、金属层和硅衬底上的器件之间的触点、以及高深宽比特征。在半导体衬底上的沉积处理的示例中，在真室中将衬底加热至处理温度，并且沉积很薄的部分的膜，该膜用作晶种或成核层。此后，通过将衬底同时暴露于两种反应物，将其余部分的膜(主体层)沉积在成核层上。主体层通常比成核层更快地沉积。然而，随着器件收缩和更复杂的图案化方案在工业中使用，薄膜填充特征的沉积成为一个挑战。
[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

技术实现思路
<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：(a)提供具有多个间隔开的特征的衬底，每个特征具有特征开口宽度，其中所述特征的宽度从所述特征的顶部到所述特征的底部变窄；(b)通过将表面暴露于含金属前体和抑制化合物来保形处理所述表面；以及(c)在处理所述表面后，在所述特征中沉积主体金属层。2.根据权利要求1所述的方法，其中每个特征的所述底部的所述宽度介于0nm和所述特征的顶部的宽度的90％之间。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述金属选自由钨、钌、钼和钴组成的群组。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的方法，其还包括重复(b)和(c)一次或多次以填充所述特征。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的方法，其中(b)在没有在所述特征中沉积连续膜的情况下进行。6.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的方法，其中(b)包括所述金属前体和抑制化合物的非均匀吸附。7.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的方法，其中(b)包括不连续膜的沉积。8.根据权利要求1
‑
7中任一项所述的方法，其还包括在所述特征中沉积成核层，使得(b)包括处理所述成核层表面。9.根据权利要求1
‑
8中任一项所述的方法，其中(b)增加所述主体金属层的表面粗糙度。10.根据权利要求1
‑
9中任一项所述的方法，其中(b)是非等离子热处理。11.根据权利要求1
‑
9中任一项所述的方法，其中(b)是基于等离子体的处理。12.根据权利要求1
‑
11中任一项所述的方法，其中，所述抑制化学物质包括含氮化合物。13.根据权利要求1
‑
11中任一项所述的方法，其中，所述抑制化学物质是氨。14.一种方法，其包括：(a)提供具有多个间隔开的特征的衬底，每个特征具有特征开口宽度，其中所述特征中的至少一些的宽度从所述特征的顶部到所述特征的底部变窄；(b)在所述特征中沉积保形非晶金属基层；以及(c)在沉积所述保形非晶金属基层之后，在所述特征中沉积主体金属层。15.根据权利要求14所述的方法，其中每个特征的所述底部的所述宽度介于0nm和所述特征的顶部的宽度的90％之间。16.根据权利要求14或15所述的方法，其中所述金属选自由钨、钌、钼和钴组成的群组。17.根据权利要求14
‑
16中任一项所述的方法，其还包括重复(b)和(c)一次或多次以填充所述特征。18.根据权利要求14
‑
17中任一项所述的方法，其还包括对所述保形非晶金属基层进行退火。19.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿南德，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：