活性碳改质方法、滤网结构及其用途与滤材再生方法技术

本发明专利技术提供活性碳改质方法、滤网结构及其用途与滤材再生方法。活性碳改质方法包含：提供活性碳；使用双氧水处理活性碳的表面以使活性碳形成改质活性碳；以及移除活性碳的表面的双氧水。滤网结构包含改质活性碳，当中包含的滤材可耐受双氧水以及100℃以上且120℃以下的温度。滤材再生方法包含：提供如上述的滤网结构的滤材；使用双氧水处理滤材；以及移除改质活性碳表面的物质。质活性碳表面的物质。质活性碳表面的物质。

【技术实现步骤摘要】
活性碳改质方法、滤网结构及其用途与滤材再生方法


[0001]本专利技术关于活性碳改质方法，以及滤网结构、滤网结构的用途与滤材再生方法。更具体而言，本专利技术关于应用于半导体产业相关工艺中去除含挥发性有机化合物(Volatile Organic Compounds，VOC)的气态分子污染物(Airborne Molecular Contaminants，AMC)的活性碳改质方法，以及滤网结构、滤网结构的用途与滤材再生方法。

技术介绍

[0002]在例如半导体制造业的工业制造领域中，为了进一步提升产品良率，无尘室被广泛使用以在洁净、无污染的隔离环境中进行产品的生产制造。
[0003]欲达成无尘室的环境要求，一般会在无尘室的进气口架设风机及过滤设备，使气流经由风机驱动通过过滤设备的滤网再进入无尘室，用以过滤粉尘及各种有机、无机污染物。
[0004]对于气态分子污染物(Airborne Molecular Contaminants，AMC)当中的挥发性有机化合物(Volatile Organic Compounds，VOC)，例如苯、丙酮、异丙醇、乙酸乙酯、二甲基亚砜、乙醇胺、丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯等，常见的去除方式之一是使用活性碳材料吸附。其中，活性碳材料对于VOC中烷类、烯类、醚类、苯类化合物，通过其孔洞即可产生良好的物理性吸附效果。然而，对于VOC中的醇类、酮类、酸类、酯类化合物，若仅通过孔洞进行物理性吸附则效果较差。另一方面，对于使用过的活性碳材料，常见的再生方法有热脱附及化学脱附。热脱附以高温脱附脂溶性VOC，材料耗损率甚高。化学脱附会有不可控的副产品而造成释气问题，反而会造成无尘室更多污染，这是现有技术的问题。尤其半导体先进工艺的线宽越来越窄，具有腐蚀性的化学物质释气或是氧化剂释气均会造成良率下降。因此，如何有效去除低浓度(250μg/m3)的挥发性有机化合物，以及如何提高再生效果并减少材料耗损率，即为有待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种活性碳改质方法，可制造对于低浓度的挥发性有机化合物具有较佳的去除效果的改质活性碳。
[0006]本专利技术的另一目的在于提供一种滤网结构，对于低浓度的挥发性有机化合物具有较佳的去除效果，且具有较佳的再生效果及较低的材料耗损率。
[0007]本专利技术的另一目的在于提供一种滤网结构作为去除气态分子污染物所含挥发性有机化合物的用途，对于低浓度的挥发性有机化合物具有较佳的去除效果，且具有较佳的再生效果及较低的材料耗损率。
[0008]本专利技术的另一目的在于提供一种滤材再生方法，具有较佳的再生效果及较低的材料耗损率。
[0009]本专利技术的活性碳改质方法，包含：步骤A1000提供活性碳；步骤A2000使用双氧水处理活性碳的表面以使活性碳形成改质活性碳；以及步骤A3000移除改性活性碳的表面的双
氧水。
[0010]在本专利技术的实施例中，步骤A2000包含将活性碳浸泡于双氧水中。
[0011]在本专利技术的实施例中，双氧水的浓度为2～50wt％。
[0012]在本专利技术的实施例中，步骤A3000包含：步骤A3100使用水清洗改质活性碳；以及步骤A3200将改质活性碳加热至100℃以上且120℃以下的温度。
[0013]在本专利技术的实施例中，步骤A3100包含将改质活性碳浸泡于水中。
[0014]本专利技术的滤网结构包含第一网栅结构、第二网栅结构、以及滤材。第一网栅结构具有第一侧面。第二网栅结构具有第二侧面，其中第二网栅结构设置于第一网栅结构的一侧以使第二侧面朝向第一侧面。滤材设置于第一侧面及第二侧面之间，包含上述的活性碳改质方法制成的改质活性碳。其中，滤材可耐受双氧水以及100℃以上的温度。
[0015]在本专利技术的实施例中，滤网结构不包含粘着剂。
[0016]在本专利技术的实施例中，滤网结构用于去除一气态分子污染物所含的一挥发性有机化合物。
[0017]本专利技术的滤材再生方法包含：步骤B1000提供如上述的滤网结构的滤材；步骤B2000使用双氧水处理滤材；以及步骤B3000移除改质活性碳表面的物质。
[0018]在本专利技术的实施例中，步骤B2000包含将滤材浸泡于双氧水中。
[0019]在本专利技术的实施例中，双氧水的浓度为2～50wt％。
[0020]在本专利技术的实施例中，步骤B3000包含：B3100使用水清洗滤材；以及B3200将滤材加热至100℃以上且120℃以下的温度。
[0021]在本专利技术的实施例中，步骤B3100包含将滤材浸泡于水中。
附图说明
[0022]图1是本专利技术活性碳改质方法的实施例流程示意图。
[0023]图2是三次重复测试结果图。
[0024]图3是本专利技术滤网结构的实施例示意图。
[0025]图4是本专利技术滤材再生方法的实施例流程示意图。
[0026]主要元件符号说明：
[0027]100...第一网栅结构
[0028]101...第一侧面
[0029]200...第二网栅结构
[0030]201...第二侧面
[0031]300...滤材
[0032]900...滤网结构
[0033]A1000...步骤
[0034]A2000...步骤
[0035]A3000...步骤
[0036]B1000...步骤
[0037]B2000...步骤
[0038]B3000...步骤
具体实施方式
[0039]如图1所示的实施例流程示意图，本专利技术的活性碳改质方法，包含例如以下步骤：
[0040]步骤A1000，提供活性碳。更具体而言，是提供粒径大小8～50目(mesh)的活性碳颗粒。然而在不同实施例中，亦可使用例如柱状、不规则块状或网状的活性碳。
[0041]步骤A2000，使用双氧水处理活性碳的表面以使活性碳形成改质活性碳。进一步而言，是通过双氧水与活性碳的表面作用以增加活性碳的含氧官能基。其中，活性碳的表面泛指活性碳与外界接触的面，包含未形成孔洞的外侧面以及孔洞内侧面。另一方面，与其他氧化剂相比，双氧水易于去除而较不会残留进一步造成释气，经济廉价且废液易于处理，又易于控制浓度及反应时间等工艺参数，进而获得稳定的工艺品质。更具体而言，步骤A2000是将活性碳浸泡于双氧水中。双氧水的浓度较佳为2～50wt％、pH值为7
±
2。然而在不同实施例中，可使用重复浸洗或喷洒等的方式，使活性碳的表面与双氧水接触反应。双氧水的浓度可根据温度、与活性碳表面接触的方式、活性碳的规格等因素而调整。
[0042]步骤A3000，移除改质活性碳的表面的双氧水。更具体而言，可使用水清洗改质活性碳，以及将改质活性碳加热至100℃以上且120℃以下的温度。其中，所使用的水包含例如纯水及去离子水。使用水清洗改质活性碳的方式包含将改质活性碳浸泡于水中、重复浸洗、或喷冲等。对改质活性碳的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种活性碳改质方法，其特征在于，包含以下步骤：A1000：提供一活性碳；A2000：使用一双氧水处理该活性碳的表面以使活性碳形成一改质活性碳；以及A3000：移除该改质活性碳表面的该双氧水。2.如权利要求1所述的活性碳改质方法，其特征在于，该步骤A2000包含将该活性碳浸泡于该双氧水中。3.如权利要求1所述的活性碳改质方法，其特征在于，该双氧水的浓度为2～50wt％。4.如权利要求1所述的活性碳改质方法，其特征在于，该步骤A3000包含：A3100：使用水清洗该改质活性碳；以及A3200：将该改质活性碳加热至100℃以上且120℃以下的温度。5.如权利要求4所述的活性碳改质方法，其特征在于，该步骤A3100包含将该改质活性碳浸泡于水中。6.一种滤网结构，其特征在于，包含：一第一网栅结构，具有一第一侧面；一第二网栅结构，具有一第二侧面，其中该第二网栅结构设置于该第一网栅结构的一侧以使该第二侧面朝向该第一侧面；以及一滤材，设置于该第一侧面及该第二侧面之间，包含如权利要求1所述的活性碳改质方法制成的该改质活性碳；其中，该滤材可耐受双氧水...

【专利技术属性】
技术研发人员：游议辉，
申请(专利权)人：滤能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：