晶片的生成方法技术

本发明专利技术提供晶片的生成方法，能够降低在后续工序中在晶片的外周区域产生缺损的可能性。仅对被加工物的除去外周区域之外的中央区域照射激光束而形成剥离层，该外周区域是从被加工物的外周缘至规定的距离内侧的区域。在该情况下，不会由于激光束的照射而在被加工物的外周区域形成剥离层，防止在被加工物的外周面形成烧蚀痕。其结果是，能够降低在对从该被加工物剥离的晶片进行后续工序时在该晶片的外周区域产生缺损的可能性。区域产生缺损的可能性。区域产生缺损的可能性。

【技术实现步骤摘要】
晶片的生成方法


[0001]本专利技术涉及晶片的生成方法。

技术介绍

[0002]半导体器件的芯片通常是使用圆盘状的晶片而制造的。该晶片例如通过使用线切割机从圆柱状的半导体锭切出后对正面进行研磨而精加工成镜面来生成(例如参照专利文献1)。
[0003]具体而言，当使用线切割机从锭切出晶片时，在晶片的正面上形成微细的凹凸，并且晶片整体弯曲(在晶片上产生翘曲)。因此，对于这样切出的晶片，为了将凹凸去除而进行平坦化，大多对正面进行研磨。
[0004]不过，当对晶片进行研磨时，晶片的被研磨面侧的一部分成为研磨屑而被废弃，晶片变薄。基于这点，晶片通常按照比在半导体器件的制造中使用的晶片厚的方式从锭切出。
[0005]在半导体器件的芯片的制造中使用的锭昂贵。因此，当通过需要研磨的方法生成晶片时，使用该晶片而制造的半导体器件的芯片的制造成本也容易增高。
[0006]另外，作为功率器件用的材料备受期待的单晶SiC(碳化硅)的硬度高。因此，在使用线切割机从单晶SiC锭切出晶片的情况下，所需时间容易变长，并且线切割机容易磨损。
[0007]其结果是，单晶SiC晶片的制造成本容易增高。鉴于这点，开发了不使用线切割机而使用激光束从锭剥离晶片的方法(例如参照专利文献2)。
[0008]在该方法中，在将透过锭的波长的激光束的聚光点定位于锭的内部的状态下对锭照射激光束。由此，在锭的内部形成包含改质层和从改质层延伸的裂纹的剥离层。并且，沿着剥离层将锭分离，由此从锭剥离晶片。
[0009]专利文献1：日本特开2000
‑
94221号公报
[0010]专利文献2：日本特开2016
‑
111143号公报
[0011]在上述方法中，一边由激光束照射单元朝向聚光器(激光头)的正下方照射激光束，一边按照锭的一端至另一端在聚光器的正下方通过的方式使保持锭的卡盘工作台呈直线地移动。
[0012]这里，在对锭的一端附近和另一端附近(外周区域)照射激光束时，有时激光束的聚光点处的功率不稳定。下面，参照图10的(A)～图10的(E)对该情况进行说明。另外，图10的(A)～图10的(E)是示出一边使保持锭1的卡盘工作台移动一边对锭1的一端附近照射激光束3的情况的图。
[0013]在对锭1的一端附近照射激光束3时，如图10的(A)所示，在使激光束3的光轴5相对于锭1的外周面充分朝向外侧而分开的状态下将激光束3的聚光点定位于相当于锭1的内部的高度。
[0014]当卡盘工作台移动至光轴5位于锭1的外周面的稍外侧时，如图10的(B)所示，激光束3的一部分在锭1的上表面通过。另外，由于锭1和气氛的折射率的不同，在锭1的内部通过的激光束LB的聚光点的高度与未在锭1的内部通过的激光束LB的聚光点的高度发生偏移。
[0015]当卡盘工作台移动至光轴5位于锭1的外周面时，如图10的(C)所示，激光束3中的接近锭1的侧的约一半在锭1的上表面通过。另外，如上所述，在锭1的内部通过的激光束的聚光点的高度与未在锭1的内部通过的激光束3的聚光点的高度发生偏移。
[0016]当卡盘工作台移动至光轴5位于锭1的外周面的稍内侧时，如图10的(D)所示，激光束3的一部分经由锭1的外周面而朝向锭1的内部的聚光点。此时，在锭1的外周面形成基于多光子吸收的烧蚀痕。另外，与上述同样，在锭1的外周面通过的激光束3的聚光点的高度与在锭1的上表面通过的激光束3的聚光点的高度发生偏移。
[0017]当卡盘工作台移动至光轴5相对于锭1的外周面充分朝向内侧而分开时，如图10的(E)所示，激光束3全部在锭1的上表面通过。此时，激光束3全部朝向锭1的内部的单一的聚光点。因此，从激光束3的聚光点位于锭1的外周面起(参照图10的(C))至此时(参照图10的(E))，此时的锭1的内部的聚光点处的激光束3的功率密度最高。
[0018]另外，在按照将激光束3照射至锭1的另一端的方式使卡盘工作台移动时，也同样地在锭1的外周面形成基于多光子吸收的烧蚀痕，并且锭1的内部的聚光点处的激光束3的功率密度发生变化。
[0019]在这样对锭1的一端附近和另一端附近(外周区域)照射激光束3而在锭1的外周面形成烧蚀痕的情况下，担心会在对从锭1剥离的晶片进行的后续工序(磨削、化学机械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)、边缘修整或倒角等)中在晶片的外周区域产生缺损。

技术实现思路

[0020]鉴于该点，本专利技术的目的在于提供晶片的生成方法，能够降低在后续工序中在晶片的外周区域产生缺损的可能性。
[0021]根据本专利技术，提供晶片的生成方法，从作为单晶SiC锭或单晶SiC晶片的被加工物生成晶片，该被加工物具有第一面和作为该第一面的背面的第二面，该晶片具有小于该第一面与该第二面之间的间隔的厚度，其中，该晶片的生成方法包含如下的步骤：剥离层形成步骤，将透过该被加工物的波长的激光束的聚光点定位于该被加工物的内部，并且一边沿着平行于该被加工物的c面的面与该第一面所交叉的交叉线使该被加工物和该聚光点相对地移动一边照射该激光束，形成包含改质部和从该改质部沿着该c面延伸的裂纹的剥离层；以及晶片剥离步骤，沿着该剥离层将该被加工物分离而从该被加工物剥离该晶片，在该剥离层形成步骤中，仅在将该聚光点定位于该被加工物的除去外周区域之外的中央区域的状态下照射该激光束，该外周区域是从该被加工物的外周缘至规定的距离内侧的区域。
[0022]优选该晶片的生成方法包含如下的外周缘检测步骤：在该剥离层形成步骤之前，通过拍摄单元对该被加工物的该第一面侧进行拍摄，由此对该被加工物的外周缘进行检测。
[0023]优选该晶片的生成方法包含如下的磨削步骤：在该晶片剥离步骤之后，对通过从该被加工物剥离该晶片而露出的该晶片的剥离面进行磨削。
[0024]优选该晶片的生成方法包含如下的倒角步骤：在该晶片剥离步骤之后，对该晶片的外周缘进行倒角。
[0025]在本专利技术中，仅对被加工物的除去外周区域之外的中央区域照射激光束而形成剥
离层，该外周区域是从被加工物的外周缘至规定的距离内侧的区域。在该情况下，不会因激光束的照射而在被加工物的外周区域形成剥离层，从而防止在被加工物的外周面形成烧蚀痕。其结果是，能够降低在对从该被加工物剥离的晶片进行后续工序时，在该晶片的外周区域产生缺损的可能性。
附图说明
[0026]图1的(A)是示意性示出被加工物的一例的立体图，图1的(B)是示意性示出被加工物的一例的侧视图。
[0027]图2是示意性示出一端附近被照射了激光束的状态的被加工物的图。
[0028]图3是示出晶片的生成方法的一例的流程图。
[0029]图4是示意性示出用于进行剥离层形成步骤的激光照射装置和被加工物的立体图。
[0030]图5的(A)是示意性示出剥离层形成步骤后的被加工物的中央区域的剖视图，图5的(B)是示意性示出剥离层形成步骤后的被加工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的生成方法，从作为单晶SiC锭或单晶SiC晶片的被加工物生成晶片，该被加工物具有第一面和作为该第一面的背面的第二面，该晶片具有小于该第一面与该第二面之间的间隔的厚度，其特征在于，该晶片的生成方法包含如下的步骤：剥离层形成步骤，将透过该被加工物的波长的激光束的聚光点定位于该被加工物的内部，并且一边沿着平行于该被加工物的c面的面与该第一面所交叉的交叉线使该被加工物和该聚光点相对地移动一边照射该激光束，形成包含改质部和从该改质部沿着该c面延伸的裂纹的剥离层；以及晶片剥离步骤，沿着该剥离层将该被加工物分离而从该被加工物剥离该晶片，在该剥离层形成步骤中，仅在将该聚光点定位于该被加工物的除去外周区域之外的中央区域的状态下照射该激光束，该外周区域是从该被加工物的外周缘至规定的距离内...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田和也，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：