【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001]本申请涉及半导体器件领域，具体涉及半导体存储装置。
技术介绍
[0002]现有技术中，在制备半导体存储器时，存在制作难度大、制备工艺较为繁琐的问题。例如，在制备节点接触部时，为确保节点接触部能够与存储晶体管之间具有良好的电性连接，对节点接触部的制备工艺的要求较高，例如对制备节点接触部的过程中所使用的沉积工艺有较高的要求，要求沉积材料能够具备较好的填充性能，这将导致节点接触部的制作要求严格、制备过程较慢，不仅会影响存储器的生产效率，并且还会使得半导体加工设备的利用率较低。并且，这些过程如果质量不达标，很容易导致最终制备的半导体产品的电性毁损。
[0003]亟需提出一种能够降低存储器制作难度、简化工艺、提高半导体产品良率的技术。
技术实现思路
[0004]鉴于此，本申请提供一种半导体存储装置，能够降低存储器制作难度，同时还有简化工艺的效果，还能够优化半导体产品的良率。
[0005]本申请提供的一种半导体存储装置，包括：
[0006]衬底，表面形成有接触窗，所述接触窗...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：衬底，表面形成有接触窗，所述接触窗暴露所述衬底内部；多个堆叠结构，形成于所述衬底表面，且所述接触窗位于相邻两个所述堆叠结构之间；第一材料层，分布于相邻两个所述堆叠结构之间，并位于所述接触窗内，所述第一材料层中包含掺杂离子，所述第一材料层内部形成有至多一个空洞；所述第一材料层包括多个材料子层，各个所述材料子层的掺杂离子浓度不同，并沿垂直所述衬底上表面的方向向上依次减小。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：童宇诚，张钦福，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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