一种半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基底及下电极。基底中形成有着陆焊盘。下电极主要包括两个部分，其中一个部分为形成在基底上且与着陆焊盘接触的柱状结构，另一个部分为形成在柱状结构上且与柱状结构的上端面接触的筒状结构。采用下电极由位于下方的柱状结构、以及位于上方的筒状结构这两部分组成。由于位于下方的柱状结构为实心结构，其刚度较好，具有较好的稳定性，能够对位于上方的呈筒状结构的下电极进行支撑，防止整个下电极倾斜。后续工序中在下电极上沉积介质层及上电极时，位于下方的呈柱状结构的下电极还防止整个下电极弯曲变形，从而防止电容器坍塌。坍塌。坍塌。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]电容器(Capacitor)是一种可以存储电量和电能的元件。可以通过在电容器的两个电极上施加不同的电压，使得电容器内储存不同数量的电荷。在此基础上，可以通过电容器来实现对不同数据的存储。由此可见，电容器的品质直接影响半导体器件的数据存储性能。
[0003]为了提升存储器的驱动性能，需要增加电容器的电容。一般增加电容器电容的方式是增加电容器的高度。然而电容器的高度增高，会导致电容器的高宽比(Aspect Ratio)增加。电容器的高宽比增加，就容易在Wet Clean(湿法清洗)工艺进行时，出现电容器倾斜、弯曲甚至塌陷等问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种半导体器件及其制造方法，用以防止电容器倾斜、弯曲或坍塌。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种半导体器件，该半导体器件包括基底及下电极。其中，基底中形成有着陆焊盘。下电极主要包括两个部分，其中一个部分为形成在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：形成在基底中的着陆焊盘；下电极，所述下电极包括：形成在所述基底上且与所述着陆焊盘接触的柱状结构；形成在所述柱状结构上且与所述柱状结构的上端面接触的筒状结构。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述柱状结构的外沿与所述筒状结构的外沿重合。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基底上沉积有刻蚀阻挡层，所述柱状结构贯穿所述刻蚀阻挡层后与所述着陆焊盘接触。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述柱状结构的材料与所述筒状结构的材料相同。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述柱状结构及筒状结构的材料均为氮化钛或多晶硅。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述柱状结构的高度为h1，所述筒状结构的高度为h2；其中，(h1+h2)
×
50％≤h1≤(h1+h2)
×
70％。7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述柱状结构及筒状结构的外壁及所述筒状结构的底壁及内壁上均形成有上电极、以及将所述下电极与所述上电极绝缘隔离的介质层。8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底中形成着陆焊盘；在所述基底上形成与所述着陆焊盘接触的呈柱状结构的下电极；在所述柱状结构上形成与所述柱状结构的上端面接触的呈筒状结构的下电极。9.如权利要求8所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭炳容，杨涛，卢一泓，胡艳鹏，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：