半导体存储装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体存储装置，包括衬底、多条位线、多个插塞、多个存储节点焊盘以及间隙壁。位线以及插塞设置于所衬底上，并且位线以及插塞相互交替且分隔地设置。存储节点焊盘设置于插塞以及位线上方并直接接触插塞。隔离侧壁设置于存储节点焊盘的侧壁上，并直接接触插塞的顶面。由此，可避免存储节点焊盘之间不适当的电性连接所造成的短路，进而可提升元件效能。提升元件效能。提升元件效能。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置


[0001]本技术系关于一种半导体存储装置，特别是一种包括动态随机存取存储器的半导体存储装置。

技术介绍

[0002]随着各种电子产品朝小型化发展之趋势，半导体存储装置的设计也必须符合高积集度及高密度之要求。对于具备凹入式闸极结构之动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)而言，由于其可以在相同的半导体衬底内获得更长的载子通道长度，以减少电容结构之漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面闸极结构的动态随机存取记忆体。
[0003]一般来说，具备凹入式闸极结构的动态随机存取存储器是由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成一阵列区，用来存储信息，而每一存储单元可由一晶体管组件与一电容器组件串联组成，以接收来自于字线(word line，WL)及位线(bit line，BL)的电压信息。因应产品需求，阵列区中的存储单元密度须持续提升，造成相关制作工艺与设计上的困难度与复杂度不断增加。因此，现有技术还待进一步改良以有效提升相关存储装置的效能及可靠度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：衬底；多条位线，设置于所述衬底上；多个插塞，设置于所述衬底上并与所述位线交替且分隔地设置；多个存储节点焊盘，设置于所述插塞以及所述位线上方并直接接触所述插塞；以及隔离侧壁，设置于所述存储节点焊盘的侧壁上，所述隔离侧壁包括材质不同的上半部以及下半部。2.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，还包括绝缘层，设置于所述插塞以及所述位线上方，并位于相邻的所述存储节点焊盘之间。3.依据权利要求第2项所述之半导体存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：方晓培，刘安淇，林刚毅，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：