存储器制造技术

本发明专利技术提供了一种存储器。利用第一分隔线和第二分隔线界定出节点接触窗，其中第二分隔线中的底部垫层和顶部主体层依次形成在字线遮蔽层上，并利用绝缘层覆盖第二分隔线，以提高所述第二分隔线对相邻的节点接触部的隔离性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
存储器


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种存储器。

技术介绍

[0002]存储器，例如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常包括存储电容器以及电性连接所述存储电容器的存储晶体管，所述存储电容器用于存储代表存储信息的电荷，以及所述存储晶体管可通过一节点接触部电性连接所述存储电容器。
[0003]现有的存储器中，一般是利用相交的分隔线界定出用于容纳节点接触部的节点接触窗，其具体是利用牺牲层并结合回填的方式形成与位线相交的分隔线。即，形成与位线相交的分隔线的方法一般包括：首先形成牺牲层，并在所述牺牲层中开设凹槽，进而在所述凹槽中填充隔离材料以形成分隔线，最后还需去除所述牺牲层以暴露出所述第二分隔线。然而，该制备过程较为繁琐，影响器件的生产效率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种存储器，所述存储器可以在简化其制备工艺的基础上，保障其器件性能。
[0005]具体的，本专利技术提供的一种存储器，包括：字线，形成在位于所述衬底中的字本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底；字线，形成在位于所述衬底中的字线沟槽内，所述字线的顶部低于所述字线沟槽的顶部；字线遮蔽层，形成在所述字线沟槽高于所述字线的上方空间中；多条第一分隔线和多条第二隔离线，形成在所述衬底上，所述第一分隔线和所述第二分隔线相交以界定出节点接触窗；其中，所述第二分隔线包括依次堆叠设置在所述字线遮蔽层上的底部垫层和顶部主体层，所述底部垫层直接接触所述字线遮蔽层；以及，绝缘层，至少覆盖所述第二分隔线中的所述底部垫层和所述顶部主体层的侧壁。2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述顶部主体层的高度值大于所述底部垫层的高度值。3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述绝缘层的硬度大于所述顶部主体层的硬度。4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述顶部主体层的介电常数低于氮化硅的介电常数。5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述底部衬垫层包括至少两层膜层，所述至少两层膜层中的至少一层膜层的材料不同于所述顶部主体层的材料。6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述绝缘层包括掩模层和绝缘侧壁部，所述掩模层覆盖所述顶部主体层的顶表面，所述绝缘侧壁部覆盖所述底部垫层和所述顶部主体层的侧壁。7.如权利要求6所述的存储器，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张钦福，林昭维，朱家仪，朴成，童宇诚，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：