动态随机存取存储器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种动态随机存取存储器，包括衬底、设置在衬底上的多条位线、设置在位线之间的多个存储节点接触插塞，以及分别设置在存储节点接触插塞上并且与位线部分重叠的多个存储节点接触垫，其中存储节点接触垫包括位于位线正上方的第一侧壁以及位于存储节点接触插塞正上方的第二侧壁。所述动态随机存取存储器还包括金属氮化物层，至少覆盖在存储节点接触垫的第一侧壁和第二侧壁上。节点接触垫的第一侧壁和第二侧壁上。节点接触垫的第一侧壁和第二侧壁上。

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器


[0001]本技术是关于一种半导体元件，特别是关于一种动态随机存取存储器。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)属于一种挥发性存储器，包含由多个存储单元(memory cell)构成的阵列区(array area)以及由控制电路构成的周边区(peripheral area)。各个存储单元是由一个晶体管(transistor)以及与所述晶体管电连接的一个电容(capacitor)构成，由所述晶体管控制所述电容中的电荷的存储或释放，来达到存储资料的目的。控制电路通过横跨阵列区并且与各个存储单元电连接的字线(wordline，WL)与位线(bitline，BL)，可定址至各个存储单元来控制各个存储单元的资料的存取。
[0003]为了缩小存储单元的尺寸而制作出具备更高集密度的芯片，存储单元的结构已朝向三维(three
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dimensional)发展，例如采用埋入式字线连接(buried wordline)以及堆叠式电容(stacked本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：衬底；多条位线，设置在所述衬底上；多个存储节点接触插塞，设置在所述位线之间；多个存储节点接触垫，分别设置在所述存储节点接触插塞上并且与所述位线的顶面部分重叠，其中，所述存储节点接触垫包括位于所述位线正上方的第一侧壁，以及位于所述存储节点接触插塞正上方的第二侧壁；以及金属氮化物层，至少覆盖在所述存储节点接触垫的所述第一侧壁和所述第二侧壁上。2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，还包括设置在所述存储节点接触垫之间的介质层，且所述介质层和所述存储节点接触垫由所述金属氮化物层区隔开而不直接接触。3.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述金属氮化物层包括所述存储节点接触垫的金属材料的氮化物。4.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述存储节点接触垫包括钨，所述金属氮化物层包括氮化钨。5.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述金属氮化物层位于所述第二侧壁上的部分的长度大于所述金属氮化物层位于所述第一侧壁上的部分的长度。6.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：何新悦，刘自豪，周阳，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：